Устойчивая SGT низковольтная мультифункция MOSFET с меньшим RSP

Место происхождения Гуандун, CN
Фирменное наименование REASUNOS
Цена Confirm price based on product
Упаковывая детали Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка
Время доставки 2-30 дней (зависит от общего количества)
Условия оплаты 100% T/T заранее ((EXW)
Поставка способности 5кк/месяц

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Применение SGT отростчатое Водитель мотора, 5G базовая станция, накопление энергии, высокочастотный переключатель, одновременно Сопротивление Низкий RDS (ДАЛЬШЕ)
Траншейный процесс Применение Беспроводная зарядка, быстрая зарядка, драйвер двигателя, преобразователь постоянного тока в постоян Структурный процесс Траншея/SGT
Наименование продукта МОП-транзистор низкого напряжения Возможности EAS Высокая способность EAS
Потребление энергии Потеря низкой мощности Преимущества траншейного процесса Меньшие RSP, как последовательные, так и параллельные конфигурации, можно свободно комбинировать и и
Выделить

Прочный низковольтный МОСФЕТ

,

Низковольтный MOSFET многофункциональный

,

Мелкий RSP SGT MOSFET

Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
Оставьте сообщение
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Характер продукции

MOSFET низкого напряжения с меньшим RSP для синхронной ректификации

Описание продукта:

Низковольтный MOSFET - это тип транзистора с полевым эффектом низкого порогового напряжения (FET), который обеспечивает высокую способность EAS, высокую эффективность и надежную потерю мощности.Он может использоваться в различных приложениях., включая драйвер двигателя, базовую станцию 5G, хранилище энергии, высокочастотный коммутатор, синхронную ректификацию, беспроводное зарядное устройство, быструю зарядку, преобразователь постоянного тока/ постоянного тока и т.д.Низкое напряжение MOSFET имеет низкое пороговое напряжениеС его превосходными возможностями EAS, он может использоваться в высокочастотных переключателях, таких как базовые станции 5G, хранилища энергии,водительКроме того, он может обеспечить надежную потерю мощности и низкое потребление энергии для беспроводной зарядки, быстрой зарядки и приложений преобразователя постоянного тока / постоянного тока.

 

Технические параметры:

Наименование продукта Низковольтный MOSFET
Структурный процесс Тренч/СГТ
Процесс SGT Преимущества Прорыв в оптимизации FOM, охватывающий больше приложений.
Эффективность Высокая эффективность и надежность
Способность EAS Высокая способность EAS
Преимущества траншейного процесса Меньшие RSP, как серийные, так и параллельные конфигурации могут свободно комбинироваться и использоваться.
Процесс SGT Применение Двигатель, базовая станция 5G, хранилище энергии, высокочастотный переключатель, синхронная коррекция.
Процесс траншеи Применение Беспроводная зарядка, быстрая зарядка, драйвер двигателя, преобразователь постоянного тока/ постоянного тока, высокочастотный переключатель, синхронная коррекция.
сопротивление Низкий Rds ((ON)
Потребление энергии Низкая потеря мощности
 

Применение:

Низковольтный MOSFET от REASUNOS, Гуандун

Низковольтный полевой эффект транзистора (MOSFET) от REASUNOS является идеальным выбором для низковольтных энергетических приложений.эти низковольтные FETs приходят как в SGT и траншеи структуры процессовПроцесс SGT предлагает прорывную оптимизацию FOM и охватывает больше приложений,в то время как процесс Trench предлагает меньшие RSP и позволяет свободно комбинировать и использовать серии и параллельные конфигурации.

Низковольтные MOSFET от REASUNOS предлагаются по конкурентоспособным ценам и упакованы в пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку.помещенные в картонную коробку в картонные коробки для безопасной доставки. С возможностью поставки 5KK / месяц, заказы могут быть выполнены в течение 2-30 дней в зависимости от общего количества.

 

Поддержка и услуги:

Техническая поддержка и обслуживание низковольтных MOSFET доступны для обеспечения оптимальной производительности наших продуктов.Наши эксперты доступны для оказания технической помощи для любых вопросов или вопросов, связанных с установкой, эксплуатации и обслуживания низковольтных MOSFET.

Мы также предоставляем бесплатные услуги, такие как ремонт, замена и обновление продукции.Наши опытные техники и инженеры всегда готовы помочь с любыми техническими проблемами, которые могут возникнуть..

Мы стремимся предоставить нашим клиентам превосходную техническую поддержку и сервис. Мы стремимся обеспечить безопасный, надежный и эффективный продукт.

 

Упаковка и перевозка:

Низковольтные MOSFET должны быть упакованы и отправлены таким образом, чтобы максимально защитить их от механического удара, абразии и других экологических опасностей.Упаковка должна быть спроектирована таким образом, чтобы снизить риск возникновения электрического удара и других опасностейПри транспортировке низковольтные MOSFET должны помещаться в герметичные контейнеры, предназначенные для защиты от вибрации и экстремальных температур.

 

Часто задаваемые вопросы

Низковольтное MOSFET FAQ
Вопрос 1: Каково торговое название низковольтного MOSFET?

Ответ 1: Торговая марка низковольтного MOSFET - REASUNOS.

Q2: Где находится место происхождения низковольтного MOSFET?

A2: Место происхождения MOSFET низкого напряжения - Гуандун, Китай.

Вопрос 3: Какова цена низковольтного MOSFET?

A3: Цена низковольтного MOSFET подтверждается на основе цены продукта.

Q4: Какова упаковка низковольтного MOSFET?

A4: Подробности упаковки Низковольтный MOSFET является пылестойкой, водонепроницаемой и антистатической трубчатой упаковкой, помещенной в картонную коробку в картонные коробки.

Q5: Сколько длится срок поставки MOSFET низкого напряжения?

A5: Время доставки MOSFET низкого напряжения составляет 2-30 дней (зависит от общего количества).

Вопрос 6: Каковы условия оплаты MOSFET низкого напряжения?

A6: Условия оплаты MOSFET низкого напряжения - 100% T / T заранее ((EXW).

Вопрос 7: Какова способность питания низковольтного MOSFET?

Ответ 7: Способность подачи низковольтного MOSFET составляет 5KK / месяц.