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MOSFET prático de baixa tensão Multifuncional N Channel Low Rds

  • Practical Low Voltage MOSFET Multifunctional N Channel Low Rds
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
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Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
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Detalhes do produto
processo de estrutura Trincheira/SGT eficiência Alta eficiência e confiável
Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. Vantagens do processo de vala RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas.
Nome do produto MOSFET de baixa tensão Consumo de energia Perda de baixa potência
Aplicação do processo de SGT Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre
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MOSFET prático de baixa tensão

,

MOSFET de baixa tensão multifuncional

,

MOSFET de baixo Rds de canal N
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

Capacidade EAS elevada MOSFET Trench/SGT Structure Process Low Rds ((ON) de baixa tensão

Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é um tipo de transistor de efeito de campo (FET) que funciona sob baixa tensão.Comutador de alta frequência e retificação síncronaEste MOSFET de baixa tensão apresenta baixa resistência Rds ((ON), alta eficiência e desempenho confiável, bem como alta capacidade EAS.O processo de estrutura adotado para este MOSFET de baixa tensão é o processo de trincheira/SGTCom a sua tecnologia avançada, este MOSFET de baixa tensão é capaz de fornecer um excelente desempenho em diferentes aplicações.

 

Parâmetros técnicos:

Nome do produto Vantagens
MOSFET de baixa tensão (processo de trincheira) RSPs menores, com configurações em série e paralelas, podem ser combinadas e utilizadas livremente.
MOSFET de baixa tensão (processo SGT) Otimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações.
Consumo de energia Capacidade do EAS
Baixa perda de potência Alta capacidade de EAS
Aplicação Eficiência
Carregamento sem fios, carregamento rápido, condutor do motor, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona (processo de trincheira) Alta eficiência e fiabilidade
Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Síncrona (Processo SGT) - Não.
Processo de estrutura Resistência
Tranche/SGT Baixa Rds ((ON)
 

Aplicações:

O MOSFET de baixa tensão REASUNOS é um MOSFET de processo de trincheira e SGT de alto desempenho com baixo Rds ((ON) e alta capacidade EAS. É amplamente utilizado em aplicações como carregamento sem fio, carregamento rápido,motoristaÉ produzido em Guangdong, na China, e está disponível para os clientes a um preço EXW com uma quantidade mínima de encomenda de 5KK/mês.O produto está embalado em material à prova de poeira, embalagem tubular impermeável e antistática, colocada dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.

 

Apoio e Serviços:

Suporte técnico e serviço de MOSFET de baixa tensão

Estamos dedicados a fornecer suporte técnico e serviço abrangente para todos os nossos produtos MOSFET de baixa voltagem.A nossa equipa de engenheiros e técnicos experientes pode ajudá-lo em todas as fases do processo, desde a concepção e selecção até à instalação e manutenção.

Oferecemos uma gama de serviços que incluem:

  • Auxílio à concepção e selecção
  • Apoio à instalação e manutenção
  • Solução de problemas e diagnóstico
  • Atualizações de software e firmware
  • Formação e educação sobre produtos

A nossa equipa está disponível 24 horas por dia, 7 dias por semana para responder a quaisquer perguntas, dar conselhos e resolver quaisquer problemas que possam ter.

 

Embalagem e transporte:

Embalagem e transporte de MOSFET de baixa tensão

Por razões de segurança, os MOSFETs de baixa tensão serão embalados e enviados em uma caixa de papelão resistente com borbulha por dentro para proteger os componentes de danos externos.A caixa será bem selada e rotulada com um rótulo de aviso que diz: "Fragilidade - Manusear com cuidado"..

A embalagem também incluirá um manual de instruções detalhado para fins de instalação e uso..

Os MOSFETs de Baixa Tensão serão enviados através de uma empresa de navegação confiável e serão rastreados com um número de rastreamento exclusivo.O tempo de envio dependerá do destino e pode demorar entre 3 e 7 dias.

 

Perguntas frequentes:

FAQ: MOSFET de baixa tensão
P1: Que marca é o MOSFET de baixa tensão?

A1: O MOSFET de baixa tensão é da marca REASUNOS.

P2: Onde é feito o MOSFET de baixa tensão?

R2: O MOSFET de baixa tensão é fabricado em Guangdong, na China.

P3: Qual é o preço do MOSFET de baixa tensão?

A3: O preço do MOSFET de baixa tensão é baseado no produto.

Q4: Como é a embalagem do MOSFET de baixa tensão?

A4: O MOSFET de baixa tensão é embalado em embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antiestáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.

Q5: Quanto tempo para a entrega do MOSFET de baixa tensão?

A: A entrega do MOSFET de baixa tensão é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.

Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base