همه محصولات
تماس با شخص : Anita Yin
شماره تلفن : +86 13712219843
واتس اپ : +8613712219843

MOSFET کم ولتاژ عملی چند منظوره N کانال کم ولتاژ

  • Practical Low Voltage MOSFET Multifunctional N Channel Low Rds
محل منبع گوانگدونگ، CN
نام تجاری REASUNOS
قیمت Confirm price based on product
جزئیات بسته بندی بسته بندی لوله ای ضد گرد و غبار، ضد آب و ضد الکتریسیته ساکن داخل جعبه مقوایی در کارتن
زمان تحویل 2-30 روز (بستگی به مقدار کل دارد)
شرایط پرداخت 100% T/T پیشاپیش (EXW)
قابلیت ارائه 5KK در ماه

برای نمونه و کوپن رایگان با من تماس بگیرید.

واتس اپ:0086 18588475571

ویچت: 0086 18588475571

اسکایپ: sales10@aixton.com

اگر نگرانی دارید، ما به صورت آنلاین 24 ساعته راهنمایی می کنیم.

x
جزئیات محصول
فرآیند ساختار سنگر/SGT کارایی راندمان بالا و قابل اعتماد
مزایای فرآیند SGT پیشرفت بهینه سازی FOM، پوشش برنامه های بیشتر. مزایای فرآیند ترانشه RSP کوچکتر، هر دو سری و تنظیمات موازی را می توان آزادانه ترکیب و استفاده کرد.
نام محصول ماسفت ولتاژ پایین مصرف برق تلفات برق کم
برنامه فرآیند SGT درایور موتور، ایستگاه پایه 5G، ذخیره انرژی، سوئیچ فرکانس بالا، اصلاح همزمان. کاربرد فرآیند ترانشه شارژ بی سیم، شارژ سریع، درایور موتور، مبدل DC/DC، سوئیچ فرکانس بالا، یکسوسازی همزمان.
برجسته کردن

MOSFET ولتاژ پایین عملی,MOSFET ولتاژ پایین چند منظوره,N کانال کم Rds MOSFET

,

Low Voltage MOSFET Multifunctional

,

N Channel Low Rds MOSFET
می توانید محصولات مورد نیاز خود را علامت بزنید و در صفحه پیام با ما ارتباط برقرار کنید.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
پیام بگذارید
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
توضیحات محصول

ظرفیت EAS بالا ولتاژ پایین MOSFET خندق/SGT ساختار فرآیند Rds پایین ((ON)

توضیحات محصول:

MOSFET ولتاژ پایین یک نوع ترانزیستور اثر میدان (FET) است که تحت ولتاژ پایین کار می کند. این در کاربردهای مختلف مانند راننده موتور، ایستگاه پایه 5G، ذخیره انرژی،سوئیچ فرکانس بالا و اصلاح همزماناین MOSFET ولتاژ پایین دارای مقاومت Rds ((ON) پایین، بهره وری بالا و عملکرد قابل اعتماد و همچنین قابلیت EAS بالا است.فرآیند ساختاری مورد استفاده برای این MOSFET ولتاژ پایین فرآیند خندق / SGT استبا تکنولوژی پیشرفته خود، این MOSFET ولتاژ پایین قادر به ارائه عملکرد عالی در کاربردهای مختلف است.

 

پارامترهای فنی:

نام محصول مزایا
MOSFET ولتاژ پایین (پروسس خندق) RSP کوچکتر، هر دو سری و پیکربندی موازی می تواند به طور آزادانه ترکیب و مورد استفاده قرار گیرد.
MOSFET ولتاژ پایین (SGT فرآیند) پیشرفت FOM بهینه سازی، پوشش بیشتر برنامه.
مصرف برق قابلیت EAS
از دست دادن قدرت کم قابلیت EAS بالا
درخواست کارایی
شارژ بی سیم، شارژ سریع، راننده موتور، کنورتر DC/DC، سوئیچ فرکانس بالا، اصلاح همزمان (طریق خندق) کارایی بالا و قابلیت اطمینان
راننده موتور، ایستگاه پایه 5G، ذخیره انرژی، سوئیچ فرکانس بالا، اصلاح هم زمان (رویه SGT) ...
فرآیند ساختار مقاومت
خندق/SGT کم Rds ((ON)
 

کاربردها:

MOSFET ولتاژ پایین REASUNOS یک MOSFET فرآیند خندق و SGT با عملکرد بالا با قابلیت Rds ((ON) پایین و EAS بالا است. این به طور گسترده ای در برنامه هایی مانند شارژ بی سیم، شارژ سریع،راننده موتور، تبدیل DC / DC ، سوئیچ فرکانس بالا و اصلاح هم زمان. این در گوانگ دونگ ، چین تولید می شود و برای مشتریان با قیمت EXW با حداقل مقدار سفارش 5KK / ماه موجود است.محصول در بسته بندی ضد گرد و غبار است، بسته بندی لوله ای ضد آب و ضد استاتیک، داخل یک جعبه کارتن در کارتن قرار داده شده است. زمان تحویل 2-30 روز بسته به کل مقدار است. شرایط پرداخت 100٪ T / T پیش پرداخت است.

 

پشتیبانی و خدمات:

پشتیبانی فنی و سرویس MOSFET ولتاژ پایین

ما متعهد به ارائه پشتیبانی فنی جامع و خدمات برای تمام محصولات MOSFET ولتاژ پایین ما هستیم.تیم ما از مهندسان و تکنسین های باتجربه می توانند در هر مرحله از فرآیند به شما کمک کنند، از طراحی و انتخاب تا نصب و نگهداری.

ما طیف وسیعی از خدمات را ارائه می دهیم که شامل:

  • کمک به طراحی و انتخاب
  • پشتیبانی از نصب و نگهداری
  • رفع مشکل و تشخیص
  • به روز رسانی نرم افزار و نرم افزار
  • آموزش و آموزش محصولات

تیم ما در دسترس است 24/7 برای پاسخ به هر سوالی، ارائه مشاوره و حل هر گونه مشکل شما ممکن است. ما متعهد به ارائه بالاترین سطح رضایت مشتری.

 

بسته بندی و حمل:

بسته بندی و حمل و نقل برای MOSFET ولتاژ پایین

برای اهداف ایمنی و امنیت، MOSFETهای ولتاژ پایین در یک جعبه کارتونی محکم با پوشش حباب در داخل بسته بندی و ارسال می شوند تا اجزای آن را از آسیب های خارجی محافظت کنند.جعبه باید به درستی بسته شود و با برچسب هشدار دهنده ای که نوشته شده است " شکننده - با دقت کار کنید" برچسب گذاری شود..

بسته بندی همچنین شامل یک دستورالعمل دقیق برای نصب و استفاده از اهداف خواهد بود. تمام لوازم ضروری مانند کابل ها، کانکتورها و سایر قطعات در جعبه گنجانده خواهد شد.

MOSFETهای ولتاژ پایین از طریق یک شرکت حمل و نقل قابل اعتماد ارسال می شوند و با یک شماره ردیابی منحصر به فرد ردیابی می شوند.زمان حمل و نقل بستگی به مقصد دارد و می تواند در هر نقطه از 3-7 روز طول بکشد.

 

سوالات متداول:

سوالات عمومی: MOSFET ولتاژ پایین
سوال1: MOSFET ولتاژ پایین کدام برند است؟

A1: MOSFET ولتاژ پایین مارک REASUNOS است.

سوال2: MOSFET ولتاژ پایین کجا ساخته می شود؟

A2: MOSFET ولتاژ پایین در گوانگدونگ، چین ساخته شده است.

س3: قیمت MOSFET ولتاژ پایین چیست؟

A3: قیمت MOSFET ولتاژ پایین بر اساس محصول است. لطفا برای جزئیات بیشتر با ما تماس بگیرید.

سوال 4: بسته بندی MOSFET ولتاژ پایین چگونه است؟

A4: MOSFET ولتاژ پایین در بسته بندی لوله ای ضد گرد و غبار، ضد آب و ضد جامد بسته بندی شده و در یک جعبه کارتن در کارتن قرار داده شده است.

س5: چه مدت برای تحویل MOSFET ولتاژ پایین؟

A5: تحویل MOSFET ولتاژ پایین 2-30 روز بسته به کل مقدار است.

برچسب ها:

N کانال Mosfet ولتاژ آستانه پایین,موسفیت کانال P با قدرت پایین پایدار,MOSFET ولتاژ پایین ایستگاه پایه

MOSFET ولتاژ پایین عملی,MOSFET ولتاژ پایین چند منظوره,N کانال کم Rds MOSFET

Base Station Low Voltage MOSFET