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実用的な低電圧MOSFET 多機能Nチャネル低Rds

  • Practical Low Voltage MOSFET Multifunctional N Channel Low Rds
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
構造プロセス トレンチ/SGT 効率性 高効率と信頼性
SGTのプロセス利点 より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。 トレンチプロセスの利点 より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。
製品名 低電圧MOSFET 電力消費量 低い電力の損失
SGTのプロセス適用 モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。 トレンチプロセスの適用 ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。
ハイライト

実用的な低電圧MOSFET

,

低電圧 MOSFET 多機能

,

Nチャネル低RdsMOSFET
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
製品の説明

高EAS能力 低電圧 MOSFET トレンチ/SGT構造プロセス 低Rds ((ON)

製品説明:

低電圧MOSFETは,低電圧で動作するフィールド効果トランジスタ (FET) の1種類である.モータードライバー,5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチと同期直線この低電圧MOSFETは,低Rds ((ON) 抵抗,高効率,信頼性の高い性能,高EAS機能が特徴です.この低電圧MOSFETの構造プロセスは,溝/SGTプロセスです.この低電圧MOSFETは,先進的な技術により,さまざまなアプリケーションで優れたパフォーマンスを提供できます.

 

技術パラメータ:

製品名 利点
低電圧MOSFET (トレンチプロセス) 小型のRSPでは,連続型と並行型の両方が自由に組み合わせて利用できます.
低電圧MOSFET (SGTプロセス) 突破的なFOM最適化により多くのアプリケーションをカバーします
電力消費量 EAS 能力
低電力損失 高いEAS能力
適用する 効率性
ワイヤレス充電,高速充電,モータードライバー,DC/DC変換器,高周波スイッチ,同期矯正 高効率 で 信頼 できる
モータードライバ,5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチ,同期修正 (SGTプロセス) - そうだ
構造プロセス 抵抗力
トレンチ/SGT 低Rds ((ON)
 

応用:

REASUNOS低電圧MOSFETは,低Rds ((ON) と高いEAS能力を備えた高性能の溝およびSGTプロセスMOSFETである.無線充電,高速充電,自動車運転手, DC/DC変換器,高周波スイッチと同期直線.それは中国広東で生産され,最低注文量5KK/月でEXW価格で顧客に提供されています.製品が粉末に包装されています.,防水および抗静的管状のパッケージ,紙箱の中に入れて,紙箱に. 配達時間は,総量に応じて2-30日です. 支払条件は,100%T/T事前です.

 

サポートとサービス

低電圧MOSFETの技術サポートとサービス

低電圧MOSFET製品に 総合的な技術サポートとサービスを提供しています経験豊富なエンジニアと技術者のチームで プロセスのあらゆる段階であなたを助けることができます設計と選択から設置と保守まで

我々は,以下のようなサービスを提供しています.

  • 設計と選択支援
  • 設置・保守支援
  • 問題解決と診断
  • ソフトウェアとファームウェアの更新
  • 製品に関する訓練と教育

私たちのチームは,あらゆる質問に答え,アドバイスを提供し,あなたが抱える問題を解決するために24時間24時間利用可能です.私たちは最高レベルの顧客満足を提供することにコミットしています.

 

梱包と輸送:

低電圧 MOSFET の 梱包 と 輸送

低電圧MOSFETは安全のために 頑丈な紙箱に包装され 内部に泡状の包装を施し 部品を外部の損傷から保護します箱は適切に封印され,警告ラベルに"脆弱 - 慎重に扱う"と記されています..

梱包 に は,設置 や 使用 目的 に 関する 詳細 な 指示 書 も 含ま れ ます.ケーブル,コネクタ,その他 の 部品 などの 必要 な アクセサリー すべて が 箱 に 含まれ ます..

低電圧MOSFETは 信頼性の高い輸送会社から送られ 独自の追跡番号で追跡されます運送時間は目的地に依存し,どこでも3〜7日かかります..

 

FAQ:

FAQ:低電圧MOSFET
Q1:低電圧MOSFETのブランドは?

A1:低電圧MOSFETは REASUNOSブランドです

Q2:低電圧MOSFETはどこで作られていますか?

A2:低電圧MOSFETは中国の広東で作られています

Q3:低電圧MOSFETの価格は?

A3:低電圧MOSFETの価格は製品によって異なります.詳細についてはご連絡ください.

Q4:低電圧MOSFETのパッケージは?

A4:低電圧MOSFETは,防塵,防水,反静的管状の包装に詰められ,紙箱に詰められています.

Q5:低電圧MOSFETの納期はどのくらいですか?

A5: 低電圧MOSFETの配送は,総量に応じて 2~30日です.

札:

Nチャネル モスフェット 低スローレッジ電圧

安定低電源Pチャネルモスフェット

ベースステーション低電圧MOSFET