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MOSFET pratico a bassa tensione

  • Practical Low Voltage MOSFET Multifunctional N Channel Low Rds
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
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Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Processo di struttura Trincea/SGT efficienza Alta efficienza e affidabilità
Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. Vantaggi del processo di trincea RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione Consumo di energia Perdita di potere basso
Applicazione trattata di SGT Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz
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MOSFET pratico a bassa tensione

,

MOSFET a bassa tensione multifunzionale

,

N canale basso Rds MOSFET
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

Alta capacità EAS bassa tensione MOSFET Trench/SGT Structure Process Low Rds ((ON)

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è un tipo di transistor a effetto campo (FET) che funziona a bassa tensione.di alte frequenze e rettifica sincronaQuesto MOSFET a bassa tensione presenta una bassa resistenza Rds ((ON), un'elevata efficienza e prestazioni affidabili, nonché una elevata capacità EAS.Il processo di costruzione adottato per questo MOSFET a bassa tensione è il processo trench/SGTCon la sua tecnologia avanzata, questo MOSFET a bassa tensione è in grado di fornire prestazioni eccellenti in diverse applicazioni.

 

Parametri tecnici:

Nome del prodotto Vantaggi
MOSFET a bassa tensione (processo di fossa) RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate.
MOSFET a bassa tensione (processo SGT) Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.
Consumo di energia Capacità EAS
Basse perdite di potenza Capacità elevata di EAS
Applicazione Efficienza
Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona (processo di trincea) Alta efficienza e affidabilità
Motor driver, stazione base 5G, immagazzinamento di energia, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona (processo SGT) - Non lo so.
Processo di struttura Resistenza
Fossa/SGT Basso Rds ((ON)
 

Applicazioni:

REASUNOS Low Voltage MOSFET è un MOSFET di processo SGT ad alte prestazioni con basso Rds ((ON) e elevata capacità EAS.autista, convertitore CC/CC, interruttore ad alta frequenza e rettificazione sincrona.Il prodotto è confezionato in una confezione antipolvere, imballaggio tubulare impermeabile e antistatico, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizio di MOSFET a bassa tensione

Siamo impegnati a fornire un supporto tecnico completo e servizi per tutti i nostri prodotti MOSFET a bassa tensione.Il nostro team di ingegneri e tecnici esperti può aiutarvi in ogni fase del processo, dalla progettazione e dalla selezione fino all'installazione e alla manutenzione.

Offriamo una serie di servizi tra cui:

  • Assistenza alla progettazione e alla selezione
  • Sostegno all'installazione e alla manutenzione
  • Risoluzione dei problemi e diagnostica
  • Aggiornamenti software e firmware
  • Formazione e istruzione sui prodotti

Il nostro team è disponibile 24 ore su 24, 7 giorni su 7, per rispondere a qualsiasi domanda, offrire consigli e risolvere eventuali problemi.

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione del MOSFET a bassa tensione

Per motivi di sicurezza, i MOSFET a bassa tensione saranno confezionati e spediti in una robusta scatola di cartone con un involucro a bolla all'interno per proteggere i componenti dai danni esterni.La scatola deve essere sigillata correttamente ed etichettata con un'etichetta di avvertimento che recita “Fragile - Handle with Care”.

L'imballaggio include anche un manuale di istruzioni dettagliato per l'installazione e l'uso..

I MOSFET a bassa tensione saranno spediti tramite una compagnia di spedizione affidabile e saranno tracciati con un numero di tracciamento unico.Il tempo di spedizione dipenderà dalla destinazione e può richiedere da 3-7 giorni.

 

FAQ:

FAQ: MOSFET a bassa tensione
D1: Di che marca è il MOSFET a bassa tensione?

R1: Il MOSFET a bassa tensione è di marca REASUNOS.

D2: Dove viene prodotto il MOSFET a bassa tensione?

R2: Il MOSFET a bassa tensione è prodotto a Guangdong, in Cina.

Q3: Qual è il prezzo del MOSFET a bassa tensione?

A3: Il prezzo del MOSFET a bassa tensione dipende dal prodotto.

Q4: Come è l'imballaggio del MOSFET a bassa tensione?

A4: Il MOSFET a bassa tensione è confezionato in un imballaggio tubulare antistatico, impermeabile e antirughe, collocato in una scatola di cartone in cartone.

Q5: Quanto tempo ci vuole per la consegna del MOSFET a bassa tensione?

R5: La consegna del MOSFET a bassa tensione è di 2-30 giorni a seconda della quantità totale.

Etichette:

N canale Mosfet bassa tensione di soglia

Mosfet di canale P stabile a bassa potenza

MOSFET a bassa tensione della stazione base