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Industrielle Transistoren mit 1200 V Sic-Leistung, stabiler Hochspannung, N-Kanal Mosfet
| Herkunftsort | Guangdong, KN |
|---|---|
| Markenname | REASUNOS |
| Min Bestellmenge | 600 |
| Preis | Confirm price based on product |
| Verpackung Informationen | Staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Kartons in einer Kartonbox. |
| Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
| Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |
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xProduktdetails
| Vorteile | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu | Anwendung | Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, |
|---|---|---|---|
| Macht | Hohe Leistung | Häufigkeit | Hochfrequenz |
| Material | Siliziumkarbid | Produktbezeichnung | Siliziumkarbid-MOSFET |
| Typ | N | Einheitentyp | MOSFET |
| Hervorheben | Transistoren für die industrielle Sic-Leistung,N-Kanal-Sic-Leistungstransistoren,Stabiler Hochspannungs-N-Kanal Mosfet |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
| 2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
| 3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
| 4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
| 5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
| 7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
| 8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
| 9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
| 10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
| 11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
| 12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
| 13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
| 14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
| 15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
| 16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
| 17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
| 18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
| 19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Produkt-Beschreibung
Beschreibung des Produkts:
SiC-MOSFETs sind eine fortschrittliche Art von Leistungseinrichtung mit hoher Effizienz und hervorragender Leistung.SiC-MOSFETs verfügen über geringe Widerstände und hohe LeistungsfähigkeitAuf der Grundlage der nationalen militärischen Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig.Die Verwendung von SiC-MOSFETs kann die Schaltverluste drastisch reduzieren und die Leistungsdichte erhöhenDie SiC-MOSFETs sind mit ihrer hervorragenden thermischen Stabilität ideal für anspruchsvolle Anwendungen geeignet.wie Leistungsumwandlung und Hochleistungsumstellung.
Technische Parameter:
| Parameter | Wert |
|---|---|
| Material | Siliziumkarbid |
| Produktbezeichnung | MOSFET aus Siliziumkarbid |
| Widerstand | Niedriger Widerstand |
| Typ | N-Typ |
| Anwendung | Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestelle usw. |
| Gerätetypen | MOSFET |
| Macht | Hohe Macht |
| Häufigkeit | Hochfrequenz |
| Effizienz | Hohe Effizienz |
| Vorteile | Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig. |
| SiC-Feldwirkungstransistor | - Ja, das ist es. |
| Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor | - Ja, das ist es. |
| Metalloxid Halbleiterfeldwirkungstransistor | - Ja, das ist es. |
Anwendungen:
REASUNOS Silicon Carbide MOSFET ist eine Art von Feldwirkungstransistor (FET) auf Basis von Silicon Carbide (SiC) Metalloxid-Halbleiter.Es bietet eine geringe Widerstands- und Hochfrequenzfähigkeit für Anwendungen wie Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs/GleichspannungsWandler, Motorantrieb, UPSStromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladesystem und andere Hochleistungssysteme.und antistatische RohrverpackungenDie Mindestbestellmenge beträgt 600 und der Preis ist je nach Produkt verhandelbar.Die Lieferfähigkeit beträgt 5KK/Monat und die Lieferzeit beträgt in der Regel 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).
Unterstützung und Dienstleistungen:
Silicon Carbide MOSFET bietet eine Reihe von technischen Support und Dienstleistungen, um die beste Leistung Ihres Geräts zu gewährleisten.
- Designoptimierung
- Produktauswahl und -bewertung
- Fehlerbehebung und Wartung von Produkten
- Anwendungsspezifische Lösungen
- Systemintegration und Validierung
- Entwicklung von Software und Firmware
Wir bieten auch eine breite Palette von Schulungen an, um sicherzustellen, dass Sie und Ihr Team in der Verwendung der Silicon Carbide MOSFET-Technologie gut versiert sind.
- Grundlagen der Gestaltung
- Betrieb und Wartung des Produkts
- Systemintegration und Validierung
- Entwicklung von Software und Firmware
- Fehlerbehebung und Reparatur
Wenn Sie Fragen haben oder Hilfe benötigen, kontaktieren Sie uns jederzeit. Unser Team ist immer bereit zu helfen.
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von Siliziumkarbid-MOSFET:
Das Siliziumkarbid-MOSFET wird in eine geeignete Box oder einen geeigneten Behälter verpackt, um eine sichere Ankunft zu gewährleisten.Die Box oder der Behälter wird mit dem Produktnamen und dem Barcode gekennzeichnet, um sie leicht zu identifizieren und nachzuverfolgenDie Lieferung wird von einem zuverlässigen Versanddienstleister abgewickelt und durch ihr Tracking-System verfolgt.
Häufige Fragen:
Silikonkarbid-MOSFET-Fragenhefte
F1: Wie heißt der Markenname von Siliziumkarbid-MOSFET?
A1: Der Markenname für Siliziumkarbid-MOSFET ist REASUNOS.
F2: Wo liegt der Ursprungsort von Siliziumkarbid-MOSFET?
A2: Der Ursprungsort von Silicon Carbide MOSFET ist Guangdong, CN.
F3: Wie hoch ist die Mindestbestellmenge für Siliziumkarbid-MOSFET?
A3: Die Mindestbestellmenge für Siliziumkarbid-MOSFET beträgt 600.
F4: Was sind die Verpackungsdetails für Siliziumkarbid-MOSFET?
A4: Die Verpackungsdetails für Siliziumkarbid-MOSFET ist eine staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, die in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt wird.
F5: Wie lange dauert die Lieferzeit für Siliziumkarbid-MOSFET?
A5: Die Lieferzeit für Siliziumkarbid-MOSFET beträgt 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge).
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