Alle producten
Industriële 1200V Sic Power Transistors, Stabil High Voltage N Channel Mosfet
| Plaats van herkomst | Guangdong, CN |
|---|---|
| Merknaam | REASUNOS |
| Min. bestelaantal | 600 |
| Prijs | Confirm price based on product |
| Verpakking Details | Stof-, waterdichte en antistatische buisvormige verpakking, geplaatst in een kartonnen doos in karto |
| Levertijd | 2-30 dagen (afhankelijk van de totale hoeveelheid) |
| Betalingscondities | 100% T/T vooraf (EXW) |
| Levering vermogen | 5KK/maand |
Contacteer me voor vrije steekproeven en coupons.
Whatsapp:0086 18588475571
wechatten: 0086 18588475571
Skypen: sales10@aixton.com
Als u om het even welke zorg hebt, verstrekken wij de online-Help van 24 uur.
xProductdetails
| Voordelen | Gebaseerd op de nationale militaire standaardproductielijn, is het proces stabiel en is de kwaliteit | Toepassing | Zonne-omvormer, hoogspannings-DC/DC-omzetter, motordriver, UPS-voeding, schakelende voeding, laadsta |
|---|---|---|---|
| Kracht | Hoge macht | Frequentie | Hoge Frequentie |
| Materiaal | Siliciumcarbide | Naam van het product | Siliciumcarbide MOSFET |
| Type | N | Apparatentype | MOSFET |
| Markeren | Transistoren voor industriële Sic-vermogen,N-kanaalsic-vermogenstransistoren,Stabiel hoogspannings-N-kanaal Mosfet |
||
U kunt de producten die u nodig heeft aanvinken en met ons communiceren op het mededelingenbord.
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
| 2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
| 3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
| 4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
| 5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
| 7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
| 8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
| 9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
| 10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
| 11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
| 12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
| 13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
| 14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
| 15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
| 16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
| 17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
| 18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
| 19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Productomschrijving
Productbeschrijving:
Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (SiC MOSFET's) zijn een geavanceerd type energieapparaat met een hoge efficiëntie en uitstekende prestaties.SiC-MOSFET's hebben lage weerstand en hoge vermogenHet proces is stabiel en de kwaliteit betrouwbaar op basis van de nationale militaire productielijn.Het gebruik van SiC-MOSFET's kan de schakelverliezen drastisch verminderen en de energie-dichtheid verhogenMet uitstekende thermische stabiliteit zijn SiC-MOSFET's ideaal voor zeer veeleisende toepassingen.zoals vermogen omzetting en high power switching.
Technische parameters:
| Parameter | Waarde |
|---|---|
| Materiaal | Siliciumcarbide |
| Productnaam | MOSFET van siliciumcarbide |
| Resistentie | Weinig weerstand |
| Type | N-type |
| Toepassing | Solar Inverter, High-voltage DC/DC Converter, Motor Driver, UPS stroomvoorziening, Schakelstroomvoorziening, Charging Stack, enz. |
| Typ van apparaat | MOSFET |
| Kracht | Hoge macht |
| Frequentie | Hoge frequentie |
| Efficiëntie | Hoge efficiëntie |
| Voordelen | Gebaseerd op de nationale militaire standaard productielijn, het proces is stabiel en de kwaliteit is betrouwbaar |
| SiC-veld-effecttransistor | - Ja, dat klopt. |
| Metalen-oxide-halfgeleidersveld-effect transistor | - Ja, dat klopt. |
| Metalen oxide halfgeleider veld-effect transistor | - Ja, dat klopt. |
Toepassingen:
REASUNOS Silicon Carbide MOSFET is een soort veld-effect transistor (FET) op basis van Silicon Carbide (SiC) metaal-oxide-halfgeleider.Het biedt lage weerstand en hoge frequentie mogelijkheden voor toepassingen zoals zonne-omvormer, hoogspannings DC/DC-omvormers, motorrijder, UPS-stroomvoorziening, schakelstroomvoorziening, laadstapel en andere hoogspanningssystemen.en antistatische buisvormige verpakkingenHet minimum aantal bestellingen bedraagt 600 en de prijs is onderhandelbaar op basis van het product.De leveringscapaciteit is 5KK/maand en de levertijd is meestal 2-30 dagen, afhankelijk van de totale hoeveelheidBetalingsvoorwaarden zijn 100% T/T in Advance (EXW).
Ondersteuning en diensten:
Silicon Carbide MOSFET biedt een reeks technische ondersteuning en diensten om de beste prestaties van uw apparaat te garanderen.
- Ontwerp optimalisatie
- Selectie en evaluatie van het product
- Probleemoplossing en onderhoud van producten
- Applicatiespecifieke oplossingen
- Systemintegratie en validatie
- Ontwikkeling van software en firmware
We bieden ook een breed scala aan opleidingen aan om ervoor te zorgen dat u en uw team goed op de hoogte zijn van het gebruik van Silicon Carbide MOSFET-technologie.
- Ontwerpbeginselen
- Productbeheer en -onderhoud
- Systemintegratie en validatie
- Ontwikkeling van software en firmware
- Probleemoplossing en reparatie
Als u vragen heeft of hulp nodig heeft, neem dan op elk moment contact met ons op. Ons team is altijd klaar om te helpen.
Verpakking en verzending:
Verpakking en verzending van siliciumcarbide MOSFET:
De MOSFET van siliciumcarbide zal in een geschikte doos of container worden verpakt om de veilige aankomst ervan te verzekeren.De doos of container zal worden gelabeld met de productnaam en barcode voor gemakkelijke identificatie en traceerbaarheidDe zending wordt afgehandeld door een betrouwbare scheepvaartmaatschappij en wordt gevolgd via hun tracking systeem.
Vragen:
Siliciumcarbide MOSFET FAQs
V1: Wat is de merknaam van siliciumcarbide MOSFET?
A1: De merknaam voor siliciumcarbide MOSFET is REASUNOS.
V2: Waar is de plaats van oorsprong van siliciumcarbide-MOSFET?
A2: De plaats van oorsprong van siliciumcarbide-MOSFET is Guangdong, China.
V3: Wat is de minimale orderhoeveelheid voor siliciumcarbide-MOSFET?
A3: De minimale orderhoeveelheid voor siliciumcarbide-MOSFET is 600.
V4: Wat zijn de verpakkingsgegevens voor Silicon Carbide MOSFET?
A4: De verpakkingsgegevens voor siliciumcarbide MOSFET is een stofdichte, waterdichte en antistatische buisvormige verpakking, geplaatst in een kartonnen doos in kartonnen dozen.
V5: Wat is de levertijd voor siliciumcarbide MOSFET?
A5: De levertijd voor siliciumcarbide MOSFET is 2-30 dagen (afhankelijk van de totale hoeveelheid).
Geadviseerde Producten
