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Metallpraktischer Hochspannungs-Sic Mosfet, N-Typ Siliziumkarbid Halbleiter
| Herkunftsort | Guangdong, KN |
|---|---|
| Markenname | REASUNOS |
| Min Bestellmenge | 600 |
| Preis | Confirm price based on product |
| Verpackung Informationen | Staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Kartons in einer Kartonbox. |
| Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
| Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |
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xProduktdetails
| Vorteile | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu | Macht | Hohe Leistung |
|---|---|---|---|
| Typ | N | Widerstand | Geringer Widerstand |
| Produktbezeichnung | Siliziumkarbid-MOSFET | Effizienz | Hohe Leistungsfähigkeit |
| Häufigkeit | Hochfrequenz | Einheitentyp | MOSFET |
| Hervorheben | Hochspannungsmetall Sic Mosfet,Praktische Hochspannungs-Sic Mosfet,Halbleiter aus Siliziumkarbid des Typs N |
||
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
| 2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
| 3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
| 4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
| 5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
| 7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
| 8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
| 9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
| 10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
| 11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
| 12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
| 13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
| 14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
| 15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
| 16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
| 17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
| 18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
| 19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Produkt-Beschreibung
Beschreibung des Produkts:
Silicon Carbide MOSFET is a type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) that has been developed to optimize the performance of high-frequency and high-efficiency electrical applicationsDieses Siliziumkarbid-MOSFET verfügt über einen N-Typ-Kanal und ist ideal zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen.Es entsteht durch Kombination eines Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiters mit einem Metaloxid-Halbleiterfeldwirkungstransistor, was sie robuster und effizienter macht als traditionelle MOSFETs.Siliziumkarbid-MOSFETs werden aufgrund ihrer höheren Frequenz und Effizienz im Vergleich zu anderen MOSFET-Typen immer beliebter.
Technische Parameter:
| Parameter | Beschreibung |
|---|---|
| Widerstand | Niedriger Widerstand |
| Häufigkeit | Hochfrequenz |
| Material | Siliziumkarbid |
| Macht | Hohe Macht |
| Typ | N-Typ |
| Anwendung | Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestelle usw. |
| Effizienz | Hohe Effizienz |
| Produktbezeichnung | MOSFET aus Siliziumkarbid |
| Vorteile | Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig. |
| Gerätetypen | MOSFET |
Anwendungen:
Die Marke REASUNOSMOSFETs aus Siliziumkarbidist ein Feldwirkungstransistor (FET) auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) Materialien.Es wird von einer nationalen militärischen Produktionslinie hergestellt.Es ist eine ausgezeichnete Wahl für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen und bietet im Vergleich zu herkömmlichen MOSFETs viele Vorteile.
Die REASUNOS Siliziumkarbid-MOSFETs haben eine Mindestbestellmenge von 600 und die Preise werden Produkt für Produkt festgelegt.und antistatische RohrverpackungenDie Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge. Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW). Die Lieferfähigkeit beträgt 5KK/Monat.
Die REASUNOS Silicon Carbide MOSFETs eignen sich für eine breite Palette von Anwendungen, z. B. in der Automobilindustrie, Industrie, Medizin und Konsumelektronik.Seine hohe Frequenzleistung und sein geringer Widerstand machen ihn zu einer idealen Wahl für Anwendungen im StrommanagementEs eignet sich auch für Hochfrequenz-Schaltsysteme sowie Hochleistungs- und Hochspannungsanwendungen.
Unterstützung und Dienstleistungen:
MOSFET-Technikunterstützung und Service für Siliziumkarbid
Wir bieten technische Unterstützung und Dienstleistungen für Silicon Carbide MOSFET.Unser Support-Team besteht aus erfahrenen Ingenieuren, die mit dem Produkt vertraut sind und Ihnen den besten Support und Service bieten können.
Unsere technische Unterstützung umfasst:
- Bereitstellung von technischer Beratung für Silicon Carbide MOSFET-Produkte.
- Fehlerbehebung und Diagnose.
- Reparatur und Wartung.
- Software-Updates.
- Produktschulungen.
Für alle Fragen wenden Sie sich bitte an unser Support-Team. Wir sind hier, um Ihnen zu helfen, das Beste aus Ihrem Silicon Carbide MOSFET Produkt zu machen.
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von Siliziumkarbid-MOSFET:
Das Siliziumkarbid-MOSFET ist für den Versand sicher verpackt, um sicherzustellen, dass es mit seiner vollen Funktionalität sicher ankommt..Das Produkt wird in einem antistatischen Beutel verschlossen und in eine schützende Verpackung gelegt, umgeben von Schaumpolsterung oder anderen Polsterstoffen.Die Kiste wird dann gesichert und in einen äußeren Versandbehälter gelegt, um zusätzlichen Schutz zu erhaltenSchließlich wird die Sendung mit der entsprechenden Versandadresse gekennzeichnet und bereit für die Lieferung.
Häufige Fragen:
F1: Was ist Siliziumkarbid-MOSFET?
A1: Ein Siliziumkarbid-MOSFET ist ein Metalloxid-Halbleiterfeldwirkungstransistor (MOSFET) aus einem Siliziumkarbid-Wafer. Es wird in Hochleistungs-Schaltanwendungen verwendet,und kann in verschiedenen Anwendungen verwendet werden, wie Elektrofahrzeuge, Solarumrichter und Hochspannungssysteme.
F2: Wer ist der Hersteller von Silicon Carbide MOSFET?
A2: REASUNOS ist der Hersteller von Siliziumkarbid-MOSFET.
F3: Was ist die Mindestbestellmenge?
A3: Die Mindestbestellmenge für Siliconcarbide MOSFET beträgt 600.
F4: Wie hoch ist der Preis?
A4: Der Preis für Silicon Carbide MOSFET wird auf der Grundlage des Produkts bestätigt.
F5: Wie ist die Lieferzeit?
A5: Die Lieferzeit für Silicon Carbide MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.
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