Produkt-Beschreibung

Transistor mit geringer Widerstandsleistung und hoher Frequenz

Beschreibung des Produkts:

Siliziumkarbid-MOSFETs, auch bekannt als Siliziumkarbid-Feldwirkungstransistoren (SiC-FETs), sind Hochfrequenz-, N-Typ- und Hochleistungsgeräte. Sie eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen,mit einer Leistung von mehr als 50 WattSiC-FETs bieten eine überlegene Leistung gegenüber herkömmlichen Silizium-basierten MOSFETs, einschließlich geringerer Leistungsverluste, verbesserter Schaltgeschwindigkeiten,und eine bessere thermische StabilitätMit ihren höheren Strom- und Temperaturwerte sind Siliziumkarbid-MOSFETs ideal für Hochleistungsanwendungen geeignet.die Konstrukteure in die Lage versetzen, ihre Stromversorgungssysteme für höhere Effizienz und Leistung zu optimieren.

Technische Parameter:

Eigenschaften	Einzelheiten
Vorteile	Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig.
Häufigkeit	Hochfrequenz
Macht	Hohe Macht
Gerätetypen	MOSFET
Effizienz	Hohe Effizienz
Widerstand	Niedriger Widerstand
Anwendung	Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestelle usw.
Typ	N
Material	Siliziumkarbid
Produktbezeichnung	MOSFET aus Siliziumkarbid
Schlüsselwörter	MOSFETs aus Siliziumkarbid, SiC-Feldwirkungstransistor, SiC-MOSFETs

Anwendungen:

REASUNOS Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) ist ein Hochleistungsprodukt mit einer Mindestbestellmenge von 600 und einer Produktionskapazität von 5 KK/Monat.Es wird auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie hergestellt.Es wird hauptsächlich in Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltnetzversorgung, Ladestapel usw. verwendet.

Das Produkt wird in Guangdong, China hergestellt. Der Preis muss basierend auf dem Produkt bestätigt werden. Die Verpackung ist staub-, wasserdicht und antistatisch geformte Rohrverpackung,in einer Kartonscheibe in KartonschichtenDie Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge. Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).

Die Vorteile dieses Siliziumkarbid-MOSFET sind, dass es auf der nationalen Militärstandard-Produktionslinie basiert, der Prozess stabil ist und die Qualität zuverlässig ist.

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Dienstleistungen für Silicon Carbide MOSFET

Wir bieten umfassende technische Unterstützung und Dienstleistungen für MOSFETs aus Siliziumkarbid, einschließlich:

Unterstützung bei der Konzeption und Anwendung
Fehlerbehebung
technische Unterstützung vor Ort
Software- und Firmware-Updates
Ausbildung

Unsere erfahrenen Ingenieure stehen Ihnen zur Verfügung, um Ihnen die nötige Unterstützung zu bieten.

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand: Siliziumkarbid-MOSFET

Siliziumkarbid-MOSFETs werden in einer versiegelten Kunststoffverpackung mit einem schützenden Schaumpolster geliefert. Die Verpackung sollte an einem kühlen, trockenen Ort gelagert werden, um zu verhindern, dass Feuchtigkeit Rost oder Korrosion verursacht.Der Versand erfolgt in der Regel per Luftfracht, wobei die Nachverfolgungsnummer angegeben ist.

Häufige Fragen:

F: Wie heißt das Silicon Carbide MOSFET?
A: Der Markenname ist REASUNOS.
F: Wo ist der Ursprungsort des Siliziumkarbid-MOSFET?
A: Herkunftsort ist Guangdong, China.
F: Wie viele Silicon Carbide MOSFETs sind für eine Mindestbestellung erforderlich?
A: Die Mindestbestellmenge beträgt 600.
F: Wie hoch ist der Preis für Siliziumkarbid-MOSFET?
A: Der Preis hängt vom Produkt ab. Bitte kontaktieren Sie uns, um den Preis zu bestätigen.
F: Wie ist das Silicon Carbide MOSFET verpackt?
A: Die Verpackung besteht aus staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen, die in Kartons in einer Kartonschachtel platziert sind.
F: Wie lange dauert die Lieferung des Silicon Carbide MOSFET?
A: Die Lieferzeit hängt von der Gesamtmenge ab. Im Allgemeinen dauert es 2-30 Tage.
F: Wie lange dauert die Zahlungsfrist für das Siliziumkarbid-MOSFET?
A: Die Zahlungsfrist beträgt 100% T/T im Voraus (EXW).
F: Wie viele MOSFETs aus Siliziumkarbid können monatlich geliefert werden?
A: Wir können 5KK pro Monat liefern.

Umbauten:

	No.	Part No.	Type	ID(A)	VDSS(V)	RDS(ON) Typ(mΩ)	RDS(ON) Max(mΩ)	Package	MOQ(pcs)
checkbox	1	RSM065030W	N	55	650	30	50	TO247-3	600
checkbox	2	RSM065030Z	N	55	650	30	50	TO247-4	600
checkbox	3	RSM065060W	N	29	650	60	79	TO247-3	600
checkbox	4	RSM065060Z	N	29	650	60	79	TO247-4	600
checkbox	5	RSM120018Z	N	105	1200	18	26	TO247-4	600
checkbox	6	RSM120025W	N	90	1200	25	34	TO247-3	600
checkbox	7	RSM120025Z	N	90	1200	25	34	TO247-4	600
checkbox	8	RSM120040W	N	68	1200	40	55	TO247-3	600
checkbox	9	RSM120040Z	N	68	1200	40	55	TO247-4	600
checkbox	10	RSM120075W	N	33	1200	75	95	TO247-3	600
checkbox	11	RSM120075Z	N	33	1200	75	95	TO247-4	600
checkbox	12	RSM120080W	N	36	1200	80	98	TO247-3	600
checkbox	13	RSM120080Z	N	36	1200	80	98	TO247-4	600
checkbox	14	RSM120160W	N	18	1200	160	196	TO247-3	600
checkbox	15	RSM120160Z	N	18	1200	160	196	TO247-4	600
checkbox	16	RSM1701K0W	N	5	1700	1000	1300	TO247-3	600
checkbox	17	RSM1701K0Z	N	5	1700	1000	1300	TO247-4	600
checkbox	18	RSM170045W	N	72	1700	45	70	TO247-3	600
checkbox	19	RSM170045Z	N	72	1700	45	70	TO247-4	600

MOSFET der hohen Leistung

Siliziumkarbid-MOSFET

MOSFET mit Superverbindung

Siliziumkarbid SBD

Hochspannungs-MOSFET

Niederspannungs-MOSFET

IGBT mit hoher Leistung

Schottky-Sperrschichtdioden

Halbleiter mit hoher Leistung

SIC-Leistungshalbleiter

Praktische Siliziumkarbid-MOSFET Stabile Hochfrequenz-Militärstandard