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Industrielle Transistoren mit 1200 V Sic-Leistung, stabiler Hochspannung, N-Kanal Mosfet

Siliziumkarbid-MOSFET
2024-04-18
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Beschreibung des Produkts: SiC-MOSFETs sind eine fortschrittliche Art von Leistungseinrichtung mit hoher Effizienz und hervorragender Leistung.SiC-MOSFETs verfügen über geringe Widerstände und hohe ... Ansicht mehr
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