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Automotive Siliziumkarbid MOSFET Mehrzweck für die Luft- und Raumfahrt
| Herkunftsort | Guangdong, KN |
|---|---|
| Markenname | REASUNOS |
| Min Bestellmenge | 600 |
| Preis | Confirm price based on product |
| Verpackung Informationen | Staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Kartons in einer Kartonbox. |
| Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
| Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |
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xProduktdetails
| Macht | Hohe Leistung | Vorteile | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu |
|---|---|---|---|
| Einheitentyp | MOSFET | Häufigkeit | Hochfrequenz |
| Typ | N | Anwendung | Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, |
| Widerstand | Geringer Widerstand | Material | Siliziumkarbid |
| Hervorheben | MOSFET aus Siliziumkarbid für die Automobilindustrie,MOSFET aus Siliziumkarbid für die Luftfahrt,Mehrzweckfahrzeug Sic Mosfet |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
| 2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
| 3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
| 4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
| 5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
| 7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
| 8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
| 9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
| 10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
| 11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
| 12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
| 13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
| 14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
| 15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
| 16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
| 17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
| 18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
| 19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Produkt-Beschreibung
Hochfrequente Silikonkarbidmetalloxid Halbleiterfeldwirkungstransistor
Beschreibung des Produkts:
Der Silicon-Carbide-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor (MOSFET) ist ein Hochfrequenzprodukt, das einen geringen Widerstand und eine hohe Effizienz bietet.Basierend auf der nationalen militärischen Produktionslinie, ist der Prozess von Siliziumkarbid-MOSFETs stabil und die Qualität zuverlässig.Silikonkarbidmetalloxid Halbleiterfeldwirkungstransistor (MOSFET) bietet im Vergleich zu anderen Halbleitern auf dem Markt eine überlegene LeistungEs hat eine breite Palette von Anwendungen und kann in Hochfrequenzschalt- und Leistungsumwandlungsanwendungen verwendet werden.sowie in der industriellen Automatisierung und medizinischen Ausrüstung.
Siliziumkarbid-MOSFETs sind so konzipiert, dass sie einen geringen Widerstand und eine hohe Effizienz bieten, was sie ideal für Hochfrequenzanwendungen macht.Außerdem sind sie sehr zuverlässig und langlebig. Siliziumkarbid-MOSFETs bieten eine robuste Lösung für Hochfrequenz-Schalt- und Stromumwandlungsanwendungen.Sie sind auch sehr kostengünstig und können in Anwendungen verwendet werden, in denen andere Halbleiter nicht geeignet sind.
Siliziumkarbid-MOSFETs sind aufgrund ihres geringen Widerstands und ihrer hohen Effizienz die ideale Lösung für Hochfrequenzanwendungen.Siliziumkarbid-MOSFETs bieten eine robuste Lösung für Hochfrequenzschalt- und StromumwandlungsanwendungenAuf der Grundlage der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess von Siliziumkarbid-MOSFETs stabil und die Qualität zuverlässig.Sie sind auch sehr kostengünstig und können in Anwendungen verwendet werden, in denen andere Halbleiter nicht geeignet sind.
Technische Parameter:
| Parameter | Beschreibung |
|---|---|
| Gerätetypen | MOSFET |
| Macht | Hohe Macht |
| Widerstand | Niedriger Widerstand |
| Effizienz | Hohe Effizienz |
| Häufigkeit | Hochfrequenz |
| Anwendung | Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestelle usw. |
| Typ | N-Typ |
| Vorteile | Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig. |
| Material | Siliziumkarbid |
| Produktbezeichnung | MOSFET aus Siliziumkarbid |
Anwendungen:
Siliziumkarbid MOSFET-REASUNOS aus Guangdong, CN
REASUNOS, aus Guangdong, China, liefert Siliziumkarbid-Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET) mit geringem Widerstand.Dieser Halbleiterfeldwirkungstransistor (MOSFET) aus Siliziumcarbide Metalloxid hat eine Mindestbestellmenge von 600 und der Preis wird anhand des Produkts bestätigt.Die Verpackung besteht aus staub-, wasser- und antistatischer Rohrverpackung, die in einer Kartonschachtel in Kartons gepackt ist.Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW). REASUNOS hat eine Lieferkapazität von 5KK/Monat. Dieses MOSFET ist Typ N, hohe Leistung und aus Siliziumkarbid.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Silicon Carbide MOSFETs bieten technische Unterstützung und Dienstleistungen an, darunter umfassende Beratung bei der Produktwahl, Design-in-Support, Anwendungsnotizen, technische Dokumentation und mehr.
Unser technisches Support-Team kann Ihnen bei der Produktauswahl, bei der Einbauunterstützung, bei Anwendungsnotizen und bei der technischen Dokumentation helfen.Produktprüfung und -bewertung, und Produktgarantie.
Wir bieten auch eine breite Palette von On-Site-Dienstleistungen an, darunter Gerätecharakterisierung und Designoptimierung, Zuverlässigkeitsprüfung und Produktanpassung.z. B. Analyse von Gerätefehlern, technische Beratung und Produktentwicklung.
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand
- Siliziumkarbid-MOSFETs werden in antistatischen Röhren zum Schutz geliefert.
- Die Röhren werden in antistatische Beutel gelegt und dann in Kartons verpackt.
- Die Kisten sind mit dem Produktnamen, der Teilnummer, der Menge und anderen relevanten Informationen versehen.
- Die Kisten werden dann vor dem Versand mit Klebeband versiegelt.
Häufige Fragen:
F: Was ist Silicon Carbide MOSFET?
A: Silicon Carbide MOSFET ist ein Halbleitergerät, das zur Umschaltung von elektrischer Energie mit sehr geringen Verlusten verwendet werden kann.
F: Was ist der Markenname?
A: Der Markenname ist REASUNOS.
F: Was ist der Ursprungsort?
A: Herkunftsort ist Guangdong, CN.
F: Was ist die Mindestbestellmenge?
A: Die Mindestbestellmenge beträgt 600.
F: Welche Zahlungsbedingungen gelten?
A: Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).
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