Όλα τα Προϊόντα
Υπεύθυνος Επικοινωνίας : Anita Yin
Τηλεφωνικό νούμερο : +86 13712219843
Whatsapp : 8613712219843

Βιομηχανικοί τρανζίστορες ισχύος 1200V Sic, σταθερή υψηλή τάση N Channel Mosfet

  • Industrial 1200V SiC Power Transistors , Stable High Voltage N Channel Mosfet
  • Industrial 1200V SiC Power Transistors , Stable High Voltage N Channel Mosfet
Τόπος καταγωγής Guangdong, ΣΟ
Μάρκα REASUNOS
Ποσότητα παραγγελίας min 600
Τιμή Confirm price based on product
Συσκευασία λεπτομέρειες Αδιάβροχη, αδιάβροχη και αντιστατική σωληνιακή συσκευασία, τοποθετημένη μέσα σε ένα χαρτόκουτο σε κο
Χρόνος παράδοσης 2-30 ημέρες (εξαρτάται από τη συνολική ποσότητα)
Όροι πληρωμής 100% T/T εκ των προτέρων (EXW)
Δυνατότητα προσφοράς 5KK/μήνα

Με ελάτε σε επαφή με δωρεάν δείγματα και δελτία.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε τη 24ωρη σε απευθείας σύνδεση βοήθεια.

x
Λεπτομέρειες
Πλεονεκτήματα Με βάση την εθνική στρατιωτική γραμμή παραγωγής, η διαδικασία είναι σταθερή και η ποιότητα είναι αξι Εφαρμογή Ηλιακός μετατροπέας, Μετατροπέας DC/DC υψηλής τάσης, Οδηγός κινητήρα, Τροφοδοτικό UPS, Τροφοδοτικό μ
Δύναμη Υψηλή δύναμη Συχνότητα Υψηλή συχνότητα
Υλικό Καρβίδιο πυριτίου Ονομασία προϊόντος MOSFET καρβιδίου πυριτίου
Τύπος Ν Τύπος συσκευών MOSFET
Επισημαίνω

Τρανζιστοί βιομηχανικής ισχύος

,

Τρανζίστορες ισχύος N-Channel Sic

,

Σταθερή υψηλή τάση N-κανάλι Mosfet
Μπορείτε να σημειώσετε τα προϊόντα που χρειάζεστε και να επικοινωνήσετε μαζί μας στον πίνακα μηνυμάτων.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
7 RSM120025Z N 90 1200 25 34 TO247-4 600
8 RSM120040W N 68 1200 40 55 TO247-3 600
9 RSM120040Z N 68 1200 40 55 TO247-4 600
10 RSM120075W N 33 1200 75 95 TO247-3 600
11 RSM120075Z N 33 1200 75 95 TO247-4 600
12 RSM120080W N 36 1200 80 98 TO247-3 600
13 RSM120080Z N 36 1200 80 98 TO247-4 600
14 RSM120160W N 18 1200 160 196 TO247-3 600
15 RSM120160Z N 18 1200 160 196 TO247-4 600
16 RSM1701K0W N 5 1700 1000 1300 TO247-3 600
17 RSM1701K0Z N 5 1700 1000 1300 TO247-4 600
18 RSM170045W N 72 1700 45 70 TO247-3 600
19 RSM170045Z N 72 1700 45 70 TO247-4 600
Αφήστε ένα μήνυμα
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Περιγραφή προϊόντων

Περιγραφή του προϊόντος:

Τα Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Ημιαγωγών Χαλκιδίου (SiC MOSFETs) είναι ένας προηγμένος τύπος συσκευής ισχύος, με υψηλή απόδοση και εξαιρετική απόδοση.Τα MOSFET SiC διαθέτουν χαμηλή αντίσταση και υψηλές δυνατότητες ισχύοςΗ διαδικασία είναι σταθερή και η ποιότητα είναι αξιόπιστη, με βάση την εθνική στρατιωτική γραμμή παραγωγής.Η χρήση SiC MOSFETs μπορεί να μειώσει δραματικά τις απώλειες μετάβασης και να αυξήσει την πυκνότητα ισχύοςΜε εξαιρετική θερμική σταθερότητα, τα SiC MOSFET είναι ιδανικά για πολύ απαιτητικές εφαρμογές,όπως η μετατροπή ισχύος και η μετατροπή υψηλής ισχύος.

 

Τεχνικές παραμέτρους:

Παράμετρος Αξία
Υλικό Καρβίδιο πυριτίου
Ονομασία του προϊόντος MOSFET καρβιδίου πυριτίου
Αντίσταση Μικρή Αντίσταση
Τύπος Τύπος N
Εφαρμογή Ηλιακός μετατροπέας, μετατροπέας υψηλής τάσης DC/DC, οδηγός κινητήρα, παροχή ηλεκτρικής ενέργειας UPS, παροχή ηλεκτρικής ενέργειας μεταγωγής, στοίβα φόρτισης, κλπ.
Τύπος συσκευής MOSFET
Δύναμη Υψηλή δύναμη
Συχνότητα Υψηλή συχνότητα
Αποτελεσματικότητα Υψηλή αποδοτικότητα
Πλεονεκτήματα Με βάση την εθνική στρατιωτική γραμμή παραγωγής, η διαδικασία είναι σταθερή και η ποιότητα είναι αξιόπιστη.
Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου SiC - Ναι, ναι.
Μεταγωγός με επιρροή πεδίου μετάλλου-οξειδίου-ημιαγωγού - Ναι, ναι.
Μεταγωγός με επίδραση πεδίου ημιαγωγού οξειδίου μετάλλου - Ναι, ναι.
 

Εφαρμογές:

Το REASUNOS Silicon Carbide MOSFET είναι ένας τύπος Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου (FET) βασισμένος σε μεταλλικό-οξείδιο-ημιαγωγό Silicon Carbide (SiC).Παρέχει δυνατότητες χαμηλής αντίστασης και υψηλής συχνότητας για εφαρμογές όπως ηλιακός μετατροπέας, υψηλής τάσης DC/DC μετατροπείς, κινητήρα, τροφοδοσία UPS, διακόπτης τροφοδοσίας, συσσωρευτής φόρτισης και άλλα συστήματα υψηλής ισχύος.και αντιστατική σωληνιακή συσκευασίαΗ ελάχιστη ποσότητα παραγγελίας είναι 600 και η τιμή είναι διαπραγματεύσιμη ανάλογα με το προϊόν.Η ικανότητα εφοδιασμού είναι 5KK/μήνα και ο χρόνος παράδοσης είναι συνήθως 2-30 ημέρες ανάλογα με τη συνολική ποσότηταΟι όροι πληρωμής είναι 100% T/T εκ των προτέρων.

 

Υποστήριξη και υπηρεσίες:

Η Silicon Carbide MOSFET προσφέρει μια σειρά τεχνικών υπηρεσιών και υποστήριξης για να εξασφαλίσει την καλύτερη απόδοση της συσκευής σας.

  • Βελτιστοποίηση σχεδιασμού
  • Επιλογή και αξιολόγηση προϊόντων
  • Ανάλυση προβλημάτων και συντήρηση προϊόντων
  • Ειδικές λύσεις εφαρμογής
  • Ενσωμάτωση και επικύρωση συστημάτων
  • Ανάπτυξη λογισμικού και firmware

Προσφέρουμε επίσης ένα ευρύ φάσμα μαθημάτων κατάρτισης για να διασφαλίσουμε ότι εσείς και η ομάδα σας είστε καλά εξοικειωμένοι με τη χρήση της τεχνολογίας Silicon Carbide MOSFET.

  • Θεμελιώδη στοιχεία σχεδιασμού
  • Λειτουργία και συντήρηση προϊόντων
  • Ενσωμάτωση και επικύρωση συστημάτων
  • Ανάπτυξη λογισμικού και firmware
  • Εξάλειψη προβλημάτων και επισκευή

Αν έχετε οποιεσδήποτε ερωτήσεις ή χρειάζεστε βοήθεια, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας ανά πάσα στιγμή.

 

Συσκευή και αποστολή:

Συσκευή και αποστολή του MOSFET καρβιδίου πυριτίου:

Το Silicon Carbide MOSFET θα συσκευαστεί σε κατάλληλο κουτί ή δοχείο για να εξασφαλιστεί η ασφαλή άφιξή του.Το κουτί ή το δοχείο θα επισημαίνεται με την ονομασία του προϊόντος και τον γραμμικό κωδικό για εύκολη ταυτοποίηση και παρακολούθησηΤο φορτίο θα χειριστεί από έναν αξιόπιστο προμηθευτή ναυτιλίας και θα παρακολουθείται μέσω του συστήματος παρακολούθησης.

 

Γενικά ερωτήματα:

Ενημερωτικά ερωτήματα για το MOSFET του Καρβιδίου του Σιλικονίου

Ε: Ποιο είναι το εμπορικό σήμα για το MOSFET του Καρβιδίου του Σιλικού;
Α1: Το εμπορικό σήμα για το MOSFET του καρβιδίου του πυριτίου είναι REASUNOS.

Ε2: Πού βρίσκεται ο τόπος προέλευσης του MOSFET του καρβιδίου του πυριτίου;
Α2: Ο τόπος προέλευσης του MOSFET καρβιδίου πυριτίου είναι το Guangdong, CN.

Ε3: Ποια είναι η ελάχιστη ποσότητα παραγγελίας για το Silicon Carbide MOSFET;
Α3: Η ελάχιστη ποσότητα παραγγελίας για το MOSFET από καρβίδιο του πυριτίου είναι 600.

Ε4: Ποιες είναι οι λεπτομέρειες συσκευασίας για το MOSFET καρβιδίου πυριτίου;
Α4: Οι λεπτομέρειες συσκευασίας για το Silicon Carbide MOSFET είναι αδιάβροχη, αδιάβροχη και αντιστατική σωληνιακή συσκευασία, που τοποθετείται μέσα σε ένα χαρτονιούχο κουτί σε κουτιά.

Ε5: Ποιο είναι το χρονικό διάστημα παράδοσης για το MOSFET καρβιδίου πυριτίου;
Α5: Ο χρόνος παράδοσης για το MOSFET από καρβίδιο του πυριτίου είναι 2-30 ημέρες (εξαρτάται από τη συνολική ποσότητα).

Ετικέττες:

Πρακτικός αυτοκινητοβιομηχανικός Sic Mosfet

Τύπος N Sic Power Mosfet

Καρβιδιοπυριτικό MOSFET