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Solar-Inverter Siliziumkarbid MOSFET N-Kanal für Industrie

  • Solar Inverter Silicon Carbide MOSFET N Channel For Industrial
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Min Bestellmenge 600
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Kartons in einer Kartonbox.
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Einheitentyp MOSFET Häufigkeit Hochfrequenz
Widerstand Geringer Widerstand Anwendung Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil,
Effizienz Hohe Leistungsfähigkeit Vorteile Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu
Macht Hohe Leistung Produktbezeichnung Siliziumkarbid-MOSFET
Hervorheben

MOSFET aus Siliziumkarbid

,

Silikonkarbid-MOSFET-N-Kanal

,

Industrielles Silizium-N-Kanal Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
7 RSM120025Z N 90 1200 25 34 TO247-4 600
8 RSM120040W N 68 1200 40 55 TO247-3 600
9 RSM120040Z N 68 1200 40 55 TO247-4 600
10 RSM120075W N 33 1200 75 95 TO247-3 600
11 RSM120075Z N 33 1200 75 95 TO247-4 600
12 RSM120080W N 36 1200 80 98 TO247-3 600
13 RSM120080Z N 36 1200 80 98 TO247-4 600
14 RSM120160W N 18 1200 160 196 TO247-3 600
15 RSM120160Z N 18 1200 160 196 TO247-4 600
16 RSM1701K0W N 5 1700 1000 1300 TO247-3 600
17 RSM1701K0Z N 5 1700 1000 1300 TO247-4 600
18 RSM170045W N 72 1700 45 70 TO247-3 600
19 RSM170045Z N 72 1700 45 70 TO247-4 600
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Hochleistungs-MOSFET aus Siliziumkarbid auf Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie

Beschreibung des Produkts:

SiC-MOSFET (SiC-Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ist eine Art von Leistungshalbleitergerät aus Siliziumkarbid,die sich ideal für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen eignetDiese Siliziumkarbid-MOSFETs werden häufig in Solarumrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltnetzversorgung und Ladestapel usw. verwendet.aufgrund seines geringen Einschaltwiderstands und seiner hervorragenden SchaltleistungSie sind so konzipiert, dass sie in den anspruchsvollsten Umgebungen überlegene Leistung, Robustheit und Zuverlässigkeit bieten.,unabhängige Temperaturwechselmerkmale, geringer Stromverlust und breiter Betriebstemperaturbereich.

 

Technische Parameter:

Parameter Wert
Macht Hohe Macht
Anwendung Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestelle usw.
Produktbezeichnung MOSFET aus Siliziumkarbid
Vorteile Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig.
Gerätetypen MOSFET
Häufigkeit Hochfrequenz
Effizienz Hohe Effizienz
Material Siliziumkarbid
Typ N
Widerstand Niedriger Widerstand
 

Anwendungen:

REASUNOS Siliziumcarbid-MOSFET (SiC-MOSFETs) ist eine Art Metalloxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor (MOSFET), der Siliziumcarbid als Halbleitermaterial verwendet.Es ist für den Einsatz in Hochfrequenz- und hocheffizienten Anwendungen ausgelegt, wie z. B. Photovoltaik-Wechselrichter, Kraftfahrzeugmodule und industrielle Antriebe.Der SiC-Feldwirkungstransistor ist aufgrund seiner hervorragenden thermischen und elektrischen Eigenschaften in der Lage, hohe Leistung zu verarbeiten und hohe Effizienz zu erzielenDarüber hinaus weist es einen geringen Einschaltwiderstand und eine hohe Schaltfrequenz auf, was es zu einem geeigneten Bauteil für Anwendungen zur Leistungsumwandlung macht.

REASUNOS Silicon Carbide MOSFET ist mit einer Mindestbestellmenge von 600 erhältlich und in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt, in Kartons in einer Kartonbox.Das Produkt wird mit einer Lieferzeit von 2-30 Tagen, je nach Gesamtmenge angeboten.Der Gerätetyp ist N-Typ mit hoher Frequenz und hoher Leistung.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

MOSFET-Technikunterstützung und Service für Siliziumkarbid

Wir bieten technische Unterstützung und Service für unsere Silicon Carbide MOSFET Produkte.Unser erfahrenes Team ist bereit, alle Fragen zu unseren Produkten zu beantworten und Ihnen die Informationen zu geben, die Sie benötigen, um eine fundierte Kaufentscheidung zu treffen..

Unser technisches Supportpersonal hilft Ihnen bei der Behebung von Problemen mit unseren Produkten.und unser engagiertes Kundenservice-Team ist da, um alle Fragen oder Bedenken zu beantworten, die Sie über unsere Produkte und Dienstleistungen haben können.

Wir bemühen uns, Ihnen den bestmöglichen Service zu bieten und sind bestrebt, sicherzustellen, dass Sie mit unseren Produkten und Dienstleistungen zufrieden sind.

 

Verpackung und Versand:

Die Verpackung und der Versand von Siliziumkarbid-MOSFET umfassen:

  • Flaschenverpackung
  • Kunststoffverpackung
  • in Boxen
  • Isolierte Schachtel
  • Etikettiert
  • Versicherte
  • Nachverfolgungsnummer
 

Häufige Fragen:

F1: Wie lautet der Markenname von Siliziumkarbid-MOSFET?

A1: Die Marke ist REASUNOS.

F2: Wo wird Silicon Carbide MOSFET hergestellt?

A2: Silicon Carbide MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.

F3: Wie hoch ist die Mindestbestellmenge für Silicon Carbide MOSFET?

A3: Die Mindestbestellmenge beträgt 600.

F4: Wie lange dauert die Lieferzeit von Siliziumkarbid-MOSFET?

A4: Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, je nach Gesamtmenge.

F5: Welche Zahlungsbedingungen gelten für Silicon Carbide MOSFET?

A5: Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).

Umbauten:

Praktische Fahrzeugtechnik Sic Mosfet

N Typ Sic Power Mosfet

MOSFET aus Siliziumkarbid für die Automobilindustrie