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Transistores industriales de potencia Sic de 1200 V, de alto voltaje estable y de canal N Mosfet
| Lugar de origen | Guangdong, NC |
|---|---|
| Nombre de la marca | REASUNOS |
| Cantidad de orden mínima | 600 |
| Precio | Confirm price based on product |
| Detalles de empaquetado | Embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antistatico, colocado dentro de una caja de c |
| Tiempo de entrega | 2-30 días (depende de la cantidad total) |
| Condiciones de pago | 100% T/T por adelantado (EXW) |
| Capacidad de la fuente | 5KK/mes |
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xDatos del producto
| Ventajas | Basado en la línea de producción de normas militares nacionales, el proceso es estable y la calidad | Aplicación | Inversor solar, convertidor CC/CC de alto voltaje, controlador de motor, fuente de alimentación UPS, |
|---|---|---|---|
| El poder | Poder más elevado | Frecuencia | De alta frecuencia |
| El material | Carburo de silicio | Nombre del producto | MOSFET de carburo de silicio |
| El tipo | N | Tipo de dispositivo | MOSFET |
| Resaltar | Transistores de potencia industrial,Transistores de potencia Sic de canal N,Mosfet de alta tensión estable en el canal N |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
| 2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
| 3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
| 4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
| 5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
| 7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
| 8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
| 9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
| 10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
| 11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
| 12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
| 13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
| 14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
| 15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
| 16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
| 17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
| 18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
| 19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Descripción de producto
Descripción del producto:
Los transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de carburo de silicio (SiC MOSFET) son un tipo avanzado de dispositivo de potencia, con alta eficiencia y excelente rendimiento.Los MOSFET de SiC cuentan con capacidades de baja resistencia y alta potenciaBasado en la línea de producción militar estándar nacional, el proceso es estable y la calidad es confiable.El uso de MOSFETs de SiC puede reducir drásticamente las pérdidas de conmutación y aumentar la densidad de energía, proporcionando una alta eficiencia a bajas temperaturas de funcionamiento. Con una excelente estabilidad térmica, los SiC MOSFET son ideales para aplicaciones muy exigentes,como la conversión de potencia y el cambio de alta potencia.
Parámetros técnicos:
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| El material | Carburo de silicio |
| Nombre del producto | MOSFET de carburo de silicio |
| Resistencia | Baja resistencia |
| El tipo | Tipo N |
| Aplicación | Inversor solar, convertidor de alta tensión de CC/CC, controlador de motor, fuente de alimentación UPS, fuente de alimentación de conmutación, pila de carga, etc. |
| Tipo de dispositivo | MOSFET |
| El poder | El poder |
| Frecuencia | Frecuencia alta |
| Eficiencia | Alta eficiencia |
| Ventajas | Basado en la línea de producción estándar militar nacional, el proceso es estable y la calidad es confiable |
| Transistor de efecto de campo SiC | - ¿ Qué? |
| Transistor de efecto de campo de óxido metálico-semiconductor | - ¿ Qué? |
| Transistor de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico | - ¿ Qué? |
Aplicaciones:
REASUNOS MOSFET de carburo de silicio es un tipo de transistor de efecto de campo (FET) basado en el semiconductor de óxido de silicio (SiC).Proporciona capacidades de baja resistencia y alta frecuencia para aplicaciones como el inversor solar, convertidores DC/DC de alto voltaje, controlador de motor, fuente de alimentación UPS, fuente de alimentación de conmutación, pila de carga y otros sistemas de alta potencia.y envases tubulares antistaticosLa cantidad mínima de pedido es de 600 y el precio es negociable en función del producto.La capacidad de suministro es de 5KK/mes y el tiempo de entrega suele ser de 2-30 días dependiendo de la cantidad total.Los términos de pago son 100% T/T por adelantado (EXW).
Apoyo y servicios:
MOSFET de carburo de silicio ofrece una gama de soporte técnico y servicios para garantizar el mejor rendimiento de su dispositivo.
- Optimización del diseño
- Selección y evaluación del producto
- Solución de problemas y mantenimiento del producto
- Soluciones específicas de aplicación
- Integración y validación del sistema
- Desarrollo de software y firmware
También ofrecemos una amplia gama de cursos de capacitación para garantizar que usted y su equipo estén bien versados en el uso de la tecnología MOSFET de carburo de silicio.
- Fundamentos del diseño
- Funcionamiento y mantenimiento del producto
- Integración y validación del sistema
- Desarrollo de software y firmware
- Solución de problemas y reparación
Si tiene alguna pregunta o necesita ayuda, póngase en contacto con nosotros en cualquier momento. Nuestro equipo siempre está aquí para ayudar.
Embalaje y envío:
Embalaje y envío del MOSFET de carburo de silicio:
El MOSFET de carburo de silicio se empaquetará en una caja o contenedor apropiado para garantizar su llegada segura.La caja o el contenedor estará etiquetado con el nombre del producto y el código de barras para facilitar su identificación y seguimientoEl envío será manejado por un proveedor de envío confiable y rastreado a través de su sistema de seguimiento.
Preguntas frecuentes:
Las preguntas frecuentes sobre el MOSFET de carburo de silicio
P1: ¿Cuál es el nombre de marca del MOSFET de carburo de silicio?
R1: El nombre comercial del MOSFET de carburo de silicio es REASUNOS.
P2: ¿Dónde está el lugar de origen del MOSFET de carburo de silicio?
R2: El lugar de origen del MOSFET de carburo de silicio es Guangdong, CN.
P3: ¿Cuál es la cantidad mínima de pedido para MOSFET de carburo de silicio?
R3: La cantidad mínima de pedido para el MOSFET de carburo de silicio es de 600.
P4: ¿Cuáles son los detalles del embalaje del MOSFET de carburo de silicio?
A4: Los detalles del embalaje para el MOSFET de carburo de silicio es un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.
P5: ¿Cuál es el tiempo de entrega para el MOSFET de carburo de silicio?
R5: El tiempo de entrega para el MOSFET de carburo de silicio es de 2 a 30 días (depende de la cantidad total).
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