Tous les produits
Transistors industriels à haute tension à haute tension à N-channel
| Lieu d'origine | Guangdong, NC |
|---|---|
| Nom de marque | REASUNOS |
| Quantité de commande min | 600 |
| Prix | Confirm price based on product |
| Détails d'emballage | Emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en cart |
| Délai de livraison | 2 à 30 jours (selon la quantité totale) |
| Conditions de paiement | 100% T/T à l'avance |
| Capacité d'approvisionnement | 5KK/mois |
Contactez-moi pour des aperçus gratuits et des bons.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
Si vous avez n'importe quel souci, nous fournissons l'aide en ligne de 24 heures.
xDétails sur le produit
| Avantages | Basé sur la chaîne de production de normes militaires nationales, le processus est stable et la qual | Application du projet | Onduleur solaire, convertisseur DC/DC haute tension, pilote de moteur, alimentation UPS, alimentatio |
|---|---|---|---|
| Le pouvoir | Puissance élevée | Fréquence | À haute fréquence |
| Matériel | Carbure de silicium | Nom du produit | MOSFET en carbure de silicium |
| Le type | N | Type de dispositif | Transistor MOSFET |
| Mettre en évidence | Transistors de puissance industriels,Transistors de puissance N-canal Sic,Mosfet de chaîne N à haute tension stable |
||
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
| 2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
| 3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
| 4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
| 5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
| 7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
| 8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
| 9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
| 10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
| 11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
| 12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
| 13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
| 14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
| 15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
| 16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
| 17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
| 18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
| 19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Description de produit
Description du produit:
Les transistors à effet de champ à semi-conducteurs d'oxyde de carbure de silicium (SiC MOSFET) sont un type avancé de dispositif de puissance, avec une efficacité élevée et d'excellentes performances.Les MOSFET SiC présentent une faible résistance et des capacités de haute puissance, permettant un fonctionnement fiable et des performances de commutation supérieures.L'utilisation de MOSFET SiC peut réduire considérablement les pertes de commutation et augmenter la densité de puissance, offrant une efficacité élevée à basses températures de fonctionnement.comme la conversion de puissance et la commutation de haute puissance.
Paramètres techniques:
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Matériel | Carbure de silicium |
| Nom du produit | MOSFET au carbure de silicium |
| Résistance | Faible résistance |
| Le type | N type |
| Application du projet | Invertisseur solaire, convertisseur CC/CC haute tension, pilote de moteur, alimentation UPS, alimentation commutée, pile de charge, etc. |
| Type de dispositif | MOSFET |
| Le pouvoir | Le pouvoir suprême |
| Fréquence | Fréquence élevée |
| Efficacité | Haute efficacité |
| Les avantages | Basé sur la ligne de production militaire nationale, le processus est stable et la qualité est fiable |
| Transistors à effet de champ SiC | - Oui, oui. |
| Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur | - Oui, oui. |
| Transistors à effet de champ à semi-conducteurs d'oxyde métallique | - Oui, oui. |
Applications:
Le MOSFET au carbure de silicium de REASUNOS est un type de transistor à effet de champ (FET) basé sur un semi-conducteur métal-oxyde de carbure de silicium (SiC).Il fournit des capacités de faible résistance et haute fréquence pour des applications telles que l'onduleur solaire, convertisseurs CC/DC haute tension, pilote de moteur, alimentation UPS, alimentation commutée, pile de charge et autres systèmes de haute puissance.et emballage tubulaire antistatiqueLa quantité minimale de commande est de 600 et le prix est négociable en fonction du produit.La capacité d'approvisionnement est de 5KK/mois et le délai de livraison est généralement de 2 à 30 jours selon la quantité totaleLes conditions de paiement sont de 100% T/T à l'avance (EXW).
Assistance et services:
Notre équipe d'ingénieurs expérimentés peut vous fournir un soutien sur les sujets suivants:
- Optimisation de la conception
- Sélection et évaluation des produits
- Détection et maintenance des défauts du produit
- Solution spécifique à l'application
- Intégration et validation du système
- Développement de logiciels et de firmware
Nous offrons également une large gamme de cours de formation pour vous assurer que vous et votre équipe êtes bien versés dans l'utilisation de la technologie MOSFET au carbure de silicium.
- Fondements de la conception
- Fonctionnement et maintenance du produit
- Intégration et validation du système
- Développement de logiciels et de firmware
- Résolution de problèmes et réparation
Si vous avez des questions ou si vous avez besoin d'aide, veuillez nous contacter à tout moment.
Emballage et expédition
Emballage et expédition du MOSFET au carbure de silicium:
Le MOSFET au carbure de silicium sera emballé dans une boîte ou un conteneur approprié pour assurer son arrivée en toute sécurité.La boîte ou le contenant sera étiqueté avec le nom du produit et le code à barres pour une identification et un suivi facilesL'expédition sera gérée par un fournisseur de transport fiable et suivie par leur système de suivi.
FAQ:
FAQ sur le MOSFET au carbure de silicium
Q1: Quel est le nom de marque du MOSFET au carbure de silicium?
R1: Le nom de marque du MOSFET au carbure de silicium est REASUNOS.
Q2: Où se trouve le lieu d'origine du MOSFET au carbure de silicium?
R2: Le lieu d'origine du MOSFET au carbure de silicium est Guangdong, CN.
Q3: Quelle est la quantité minimale de commande pour le MOSFET au carbure de silicium?
R3: La quantité minimale de commande pour le MOSFET au carbure de silicium est de 600.
Q4: Quels sont les détails de l'emballage du MOSFET au carbure de silicium?
A4: Les détails de l'emballage du MOSFET au carbure de silicium est un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.
Q5: Quel est le délai de livraison pour le MOSFET au carbure de silicium?
R5: Le délai de livraison pour le MOSFET au carbure de silicium est de 2 à 30 jours (dépend de la quantité totale).
produits recommandés
