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Multiscene Siliziumkarbid-Leistung Mosfet 650V für Solarumrichter

  • Multiscene Silicon Carbide Power Mosfet 650V For Solar Inverter
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Min Bestellmenge 600
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Kartons in einer Kartonbox.
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Material Siliziumkarbid Einheitentyp MOSFET
Macht Hohe Leistung Produktbezeichnung Siliziumkarbid-MOSFET
Typ N Anwendung Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil,
Effizienz Hohe Leistungsfähigkeit Vorteile Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu
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Multiscene Siliziumkarbid Power Mosfet

,

Silikonkarbidstrom Mosfet 650V

,

Solarumrichter Mosfet Silizium
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
7 RSM120025Z N 90 1200 25 34 TO247-4 600
8 RSM120040W N 68 1200 40 55 TO247-3 600
9 RSM120040Z N 68 1200 40 55 TO247-4 600
10 RSM120075W N 33 1200 75 95 TO247-3 600
11 RSM120075Z N 33 1200 75 95 TO247-4 600
12 RSM120080W N 36 1200 80 98 TO247-3 600
13 RSM120080Z N 36 1200 80 98 TO247-4 600
14 RSM120160W N 18 1200 160 196 TO247-3 600
15 RSM120160Z N 18 1200 160 196 TO247-4 600
16 RSM1701K0W N 5 1700 1000 1300 TO247-3 600
17 RSM1701K0Z N 5 1700 1000 1300 TO247-4 600
18 RSM170045W N 72 1700 45 70 TO247-3 600
19 RSM170045Z N 72 1700 45 70 TO247-4 600
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Hochleistungs-MOSFET aus Siliziumkarbid für Solarumrichteranwendungen

Beschreibung des Produkts:

Das Siliziumcarbide MOSFET ist eine Art SiC-Feldwirkungstransistor (FET), der aus einer Siliziumcarbide-Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur (MOS) besteht.Es ist ein Hochfrequenzgerät mit geringem Widerstand.Dieses Siliziumkarbid-MOSFET ist so konzipiert, dass es bei Anwendungen, die ein schnelles Schalten erfordern, eine überlegene Leistung und Zuverlässigkeit bietet.geringer LeistungsverlustDas Siliziumcarbid-MOSFET ist in der Lage, bei Frequenzen bis zu 10 MHz zu arbeiten und bietet eine ausgezeichnete Signalintegrität und Leistungseffizienz.Es ist auch sehr widerstandsfähig gegen thermische Belastungen und hat eine sehr niedrige Torschwelle SpannungDer SiC-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor (MOSFET) ist eine ideale Wahl für Anwendungen, die hohe Leistung erfordern.Verlässlichkeit, und Effizienz.

 

Technische Parameter:

Name Parameter
Produktbezeichnung MOSFET aus Siliziumkarbid
Gerätetypen MOSFET
Material Siliziumkarbid
Häufigkeit Hochfrequenz
Widerstand Niedriger Widerstand
Typ N
Macht Hohe Macht
Effizienz Hohe Effizienz
Vorteile Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig.
Anwendung Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestelle usw.
 

Anwendungen:

Siliziumkarbid-MOSFETs sind eine Art Siliziumkarbid-Feldwirkungstransistor (SiC FET), der von der bekannten Marke REASUNOS in Guangdong, China, hergestellt wird.mit einer Mindestbestellmenge von 600 Stück, der Preis des Produkts ist auf der Grundlage des Produkttyps zu bestätigen. Um die Sicherheit zu gewährleisten, sind die Siliziumkarbid-MOSFETs in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt,in einer Kartonscheibe in Kartonschichten. Die Lieferzeit des Produktes beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Bestellmenge. Die Zahlung für den Kauf erfolgt im Voraus, 100% über T/T.Das Unternehmen hat eine Lieferkapazität von 5KK/Monat.. Die Siliziumkarbid-MOSFETs haben einen geringen Widerstand, hohe Effizienz, N-Typ und hohe Leistung.UPS-Stromversorgung, die Stromversorgung und den Ladehaufen wechseln.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Silicon Carbide MOSFET bietet technische Unterstützung und Service, um optimale Leistung und Zuverlässigkeit in Kundenanwendungen zu gewährleisten.Probleme beheben, und bieten Anleitungen und Empfehlungen für die beste Lösung für jeden Kunden.Unsere technischen Experten sind zur Verfügung, um Anleitungen zu geeigneten Installations- und Wartungsverfahren zu geben, um den langfristigen Betrieb und die Leistung des Silicon Carbide MOSFET zu gewährleisten.

 

Verpackung und Versand:

MOSFET-Verpackung und Versand erfolgt auf sichere und zuverlässige Weise. Alle Produkte werden sorgfältig geprüft und in Blasenfolie verpackt, bevor sie in thermisch isolierte Kartons gelegt werden.Die Kisten werden dann mit Klebeband versiegelt und mit den notwendigen Versandinformationen gekennzeichnet.die für den Transport gesichert sindDie Paletten werden anschließend für die Lieferung auf Lastwagen oder Frachtschiffe geladen.

 

Häufige Fragen:

F1: Wie lautet der Markenname von Siliziumkarbid-MOSFET?

A1: Der Markenname von Siliziumkarbid-MOSFET ist REASUNOS.

F2: Wo ist der Ursprungsort von Siliziumkarbid-MOSFET?

A2: Der Ursprungsort von Silicon Carbide MOSFET ist Guangdong, China.

F3: Wie hoch ist die Mindestbestellmenge für Siliziumkarbid-MOSFET?

A3: Die Mindestbestellmenge für Siliziumkarbid-MOSFET beträgt 600.

F4: Welche Art von Verpackung wird für Silicon Carbide MOSFET verwendet?

A4: Bei Siliziumkarbid-MOSFET wird eine staub-, wasser- und antistatische Rohrverpackung verwendet, die in Kartons in einer Kartonschachtel platziert wird.

F5: Wie lange dauert die Lieferzeit von Siliziumkarbid-MOSFET?

A5: Die Lieferzeit von Silicon Carbide MOSFET beträgt 2-30 Tage, je nach Gesamtmenge.

Umbauten:

Praktische Fahrzeugtechnik Sic Mosfet

N Typ Sic Power Mosfet

MOSFET aus Siliziumkarbid für die Automobilindustrie