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MOSFET polyvalent à super jonction de type N pour la commutation d'alimentation

  • N Type Super Junction MOSFET Multipurpose For Switching Power Supply
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Application du projet Conducteur de LED, circuit de PFC, alimentation d'énergie de changement, UPS de système d'alimentati Avantages Il est fait par procédé multicouche d'épitaxie. Comparé au processus de fossé, il a excellente anti
Marge d'IEM Grande EMI Margin Résistance interne Résistance interne ultra petite
le paquet Paquet ultra petit Type de dispositif Dispositifs discrets de puissance
Le type N Capacité Capacité de jonction très réduite
Mettre en évidence

MOSFET à super jonction de type N

,

Super Junction MOSFET polyvalent

,

Énergie N Diode de superjonction
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

Capacité de jonction ultra-faible N Discrètes de puissance de diode à superjonction

Description du produit:

Le Super Junction MOSFET, également connu sous le nom de Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor, est un type d'appareil discret de puissance avec un paquet ultra petit.Il est caractérisé par une résistance interne ultra-petite, ultra-faible capacité de jonction et grande marge EMI, ce qui en fait un choix idéal pour des applications telles que la conversion de puissance, la gestion de l'énergie, la commutation à haute fréquence, les amplificateurs et le contrôle du moteur.Il est également connu sous le nom de transistor à effet de champ à super jonction d'oxyde métallique semi-conducteur.

 

Paramètres techniques:

Les biens immobiliers Valeur
Type de dispositif Dispositifs discrets en puissance
Le type N
Nom du produit Le MOSFET/SJ MOSTET à super jonction est utilisé.
Le paquet Paquet ultra petit
Les avantages Il est fabriqué par un procédé d'épitaxie multicouche.
Capacité Capacité de jonction ultra-faible
Résistance interne Résistance interne extrêmement faible
Marge de l'IME Marge d'IME élevée
Application du projet Le conducteur LED, le circuit PFC, l'alimentation électrique par commutation, le système UPS d'alimentation électrique continue, l'équipement électrique à énergie nouvelle, etc.
 

Applications:

REASUNOS Super Junction MOSFET (SJ MOSFET) est un transistor à effet de champ à semi-conducteurs d'oxyde métallique (MOSFET) avec une grande marge EMI et une résistance interne ultra-petite.Il s'agit d'un dispositif de type N et a de larges applications dans le pilote LEDLe système d'alimentation en courant continu et les nouveaux équipements d'alimentation en énergie.

Le REASUNOS Super Junction MOSFET est un produit de haute qualité avec des performances fiables et un fonctionnement stable.placés dans une boîte en carton dans des cartonsLe prix de ce produit est confirmé en fonction du produit et peut être livré 2-30 jours après réception du paiement.

 

Assistance et services:

Assistance technique et service pour le MOSFET à super jonction

Nous offrons un soutien technique et un service pour le MOSFET de super jonction.Nos professionnels expérimentés sont disponibles pour fournir aux clients les solutions les plus fiables et les plus efficaces pour leurs applicationsNous fournissons ces services via notre site Web, téléphone et courrier électronique.

Appui technique
  • Appui à la conception et à la simulation pour la sélection des produits, les applications et le dépannage
  • Documentation spécifique au produit et à l'application, y compris feuilles de données et notes d'application
  • Assistance technique sur place
Le service
  • Conception et fabrication de solutions sur mesure
  • Services de réparation et d'entretien
  • Installation et mise en service sur site
 

Emballage et expédition

Emballage et expédition du MOSFET à super jonction

Nos Super Junction MOSFET sont emballés et expédiés dans des conteneurs de haute qualité qui protègent le produit des dommages environnementaux pendant le transport.Les conteneurs sont conçus pour assurer que les produits arrivent en toute sécurité..

Le processus d'emballage comprend les étapes suivantes:

  • Les MOSFET sont enveloppés individuellement dans un matériau antistatique.
  • Les MOSFET enveloppés sont placés dans des récipients enveloppés de bulles pour une protection supplémentaire.
  • Les conteneurs sont étiquetés avec les informations sur le produit et l'adresse d'expédition.
  • Les conteneurs sont placés dans de plus grandes boîtes d'expédition avec un rembourrage supplémentaire.
  • Les boîtes d'expédition sont scellées et étiquetées avec l'adresse d'expédition.

Tous les colis sont expédiés avec un numéro de suivi, afin que les clients puissent suivre l'avancement de leur expédition.

 

FAQ:

Questions et réponses au sujet de REASUNOS Super Junction MOSFET

Q1:Qu'est-ce que le MOSFET à super jonction?

R1: Je suis désolé.Super Junction MOSFET is a type of MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) that features a structure with multiple connected junctions to reduce on-resistance and increase current handling capabilities.

Q2: Où le MOSFET à super jonction REASUNOS est-il fabriqué?

A2: Le MOSFET à super jonction REASUNOS est fabriqué à Guangdong, en Chine.

Q3: Combien coûte le MOSFET à super jonction REASUNOS?

R3:Le prix du MOSFET à super jonction REASUNOS est le prix confirmé en fonction du produit.

Q4: Comment le REASUNOS Super Junction MOSFET est-il emballé?

A4: Le MOSFET REASUNOS Super Junction est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton.

Q5: Combien de temps faut-il pour livrer le MOSFET à super jonction REASUNOS?

R5:Il faut 2 à 30 jours (selon la quantité totale) pour livrer le MOSFET à super jonction REASUNOS.

Étiquettes:

Transistors à super jonction d'oxyde métallique

MOSFET à super jonction de circuit PFC

MOSFET à super jonction d'alimentation électrique