MOSFET tipe N Super Junction Multipurpose Untuk Mengganti Pasokan Listrik
Tempat asal | Guangdong, CN |
---|---|
Nama merek | REASUNOS |
Harga | Confirm price based on product |
Kemasan rincian | Kemasan berbentuk tabung tahan debu, tahan air, dan antistatis, ditempatkan di dalam kotak karton da |
Waktu pengiriman | 2-30 hari (Tergantung Jumlah Total) |
Syarat-syarat pembayaran | 100% T/T di Muka (EXW) |
Menyediakan kemampuan | 5KK/bulan |

Hubungi saya untuk sampel dan kupon gratis.
Ada apa:0086 18588475571
Wechat wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
Jika Anda memiliki kekhawatiran, kami menyediakan bantuan online 24 jam.
xAplikasi | Driver LED, Sirkuit PFC, Switching Power Supply, UPS Sistem Catu Daya Berkelanjutan, Peralatan Tenag | Keuntungan | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. Itu Dibuat Dengan Proses Epitaksi Multi-layer.< |
---|---|---|---|
Margin EMI | Margin EMI yang Besar | Ketahanan batin | Resistensi Internal Ultra Kecil |
Paket | Paket Ultra Kecil | Tipe perangkat | Perangkat Diskrit Daya |
Jenis | N | Kapasitansi | Kapasitansi Persimpangan Sangat Rendah |
Menyoroti | MOSFET Super Junction tipe N,Super Junction MOSFET Multipurpose,Sumber Daya N Diode Superjunction |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
9 | RSF60R099W | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO247-3 | 600 | |
10 | RSF60R070W | N | 45 | 600 | 61 | 70 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSF60R041W | N | 70 | 600 | 35 | 41 | TO247-3 | 600 | |
12 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
13 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
14 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 | |
15 | RSU7N65D | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-252 | 2500 | |
16 | RSU7N65F | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-220F | 1000 | |
17 | RS65R600D | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-252 | 2500 | |
18 | RS65R600F | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
19 | RSE65R550D | N | 7.6 | 650 | 480 | 550 | TO-252 | 2500 | |
20 | RSU12N65F | N | 12 | 650 | 380 | 420 | TO-220F | 1000 | |
21 | RS65R380D | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-252 | 2500 | |
22 | RS65R380F | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-220F | 1000 | |
23 | RS65R280D | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS65R280F | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-220F | 1000 | |
25 | RSE65R210F | N | 16.8 | 650 | 185 | 210 | TO-220F | 1000 | |
26 | RS65R190F | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220F | 1000 | |
27 | RS65R190S | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-263 | 800 | |
28 | RS65R190T | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220 | 1000 | |
29 | RSF65R190T | N | 20 | 650 | 170 | 190 | TO-220 | 1000 | |
30 | RSE65R180F | N | 22 | 650 | 150 | 180 | TO-220F | 1000 | |
31 | RSE65R165F | N | 20.4 | 650 | 145 | 165 | TO-220F | 1000 | |
32 | RSF65R130F | N | 26 | 650 | 115 | 130 | TO-220F | 1000 | |
33 | RSE70R600F | N | 7.3 | 700 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
34 | RSE70R420F | N | 11 | 700 | 365 | 420 | TO-220F | 1000 | |
35 | RSE70R360F | N | 12 | 700 | 315 | 360 | TO-220F | 1000 | |
36 | RSE80R850D | N | 7 | 800 | 740 | 850 | TO-252 | 2500 | |
37 | RS80R500F | N | 9 | 800 | 420 | 500 | TO-220F | 1000 | |
38 | RSE80R380F | N | 13 | 800 | 330 | 380 | TO-220F | 1000 | |
39 | RSE80R250F | N | 18 | 800 | 220 | 250 | TO-220F | 1000 |
Kapasitas Perpaduan Ultra-Rendah N Perangkat Diskrit Daya Dioda Superjunction
Deskripsi produk:
Super Junction MOSFET, juga dikenal sebagai Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor, adalah jenis perangkat diskrit daya dengan paket ultra kecil.Ini memiliki ketahanan internal yang sangat kecil, kapasitansi junction yang sangat rendah dan margin EMI yang besar, menjadikannya pilihan yang ideal untuk aplikasi seperti konversi daya, manajemen daya, switching frekuensi tinggi, amplifier, dan kontrol motor.Hal ini juga dikenal sebagai Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
Parameter teknis:
Properti | Nilai |
---|---|
Jenis Perangkat | Perangkat Diskrit Daya |
Jenis | N |
Nama produk | Super Junction MOSFET/SJ MOSTET |
Paket | Paket yang Sangat Kecil |
Keuntungan | Dibandingkan dengan proses trench, memiliki kemampuan anti-EMI dan anti surge yang sangat baik. |
Kapasitas | Kapasitas simpang ultra-rendah |
Resistensi Internal | Resistensi internal yang sangat kecil |
Margin EMI | Margin EMI yang besar |
Aplikasi | LED Driver, PFC Circuit, Switching Power Supply, UPS dari sistem pasokan listrik terus menerus, peralatan energi baru, dll |
Aplikasi:
REASUNOS Super Junction MOSFET (SJ MOSFET) adalah transistor efek medan semikonduktor logam oksida (MOSFET) dengan margin EMI yang besar dan resistensi internal yang sangat kecil.Ini adalah perangkat tipe N dan memiliki aplikasi luas di driver LED, PFC sirkuit, switching power supply, UPS dari sistem pasokan listrik terus menerus dan peralatan energi baru, dll
REASUNOS Super Junction MOSFET adalah produk berkualitas tinggi dengan kinerja yang dapat diandalkan dan operasi yang stabil.ditempatkan di dalam kotak kardus dalam kartonHarga produk ini dikonfirmasi sesuai dengan produk dan dapat dikirim 2-30 hari setelah pembayaran diterima. REASUNOS dapat menyediakan 5KK / bulan dari Super Junction MOSFET.
Dukungan dan Layanan:
Kami menawarkan dukungan teknis dan layanan untuk Super Junction MOSFET.Profesional berpengalaman kami tersedia untuk menyediakan pelanggan dengan solusi yang paling dapat diandalkan dan efisien untuk aplikasi merekaKami menyediakan layanan ini melalui website, telepon, dan email.
- Dukungan desain dan simulasi untuk pemilihan produk, aplikasi, dan pemecahan masalah
- Dokumen spesifik produk dan aplikasi, termasuk lembar data dan catatan aplikasi
- Dukungan teknis di tempat
- Desain dan pembuatan solusi khusus
- Layanan perbaikan dan pemeliharaan
- Pemasangan dan pengoperasian di lokasi
Kemasan dan Pengiriman:
Super Junction MOSFET kami dikemas dan dikirim dalam wadah berkualitas tinggi yang melindungi produk dari kerusakan lingkungan selama transit.Kontainer dirancang untuk memastikan bahwa produk tiba dengan aman dan aman.
Proses kemasan mencakup langkah-langkah berikut:
- MOSFET dibungkus secara individual dalam bahan antistatik.
- MOSFET yang dibungkus ditempatkan dalam wadah dengan bungkus gelembung untuk perlindungan tambahan.
- Kontainer diberi label dengan informasi produk dan alamat pengiriman.
- Kontainer-kontainer tersebut ditempatkan dalam kotak-kotak pengiriman yang lebih besar dengan bantalan tambahan.
- Kotak pengiriman disegel dan diberi label dengan alamat pengiriman.
Semua paket dikirim dengan nomor pelacakan, sehingga pelanggan dapat memantau kemajuan pengiriman mereka.
FAQ:
Q1: Apa itu Super Junction MOSFET?
A1:Super Junction MOSFET is a type of MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) that features a structure with multiple connected junctions to reduce on-resistance and increase current handling capabilities.
T2: Di mana REASUNOS Super Junction MOSFET dibuat?
A2: REASUNOS Super Junction MOSFET dibuat di Guangdong, Cina.
T3: Berapa harga REASUNOS Super Junction MOSFET?
A3: Harga REASUNOS Super Junction MOSFET adalah Harga konfirmasi berdasarkan produk.
Q4: Bagaimana REASUNOS Super Junction MOSFET dikemas?
A4: REASUNOS Super Junction MOSFET dikemas dengan kemasan tabung tahan debu, tahan air, dan anti-statis, ditempatkan di dalam kotak karton dalam karton.
T5: Berapa lama waktu yang dibutuhkan untuk mengirimkan REASUNOS Super Junction MOSFET?
A5:Butuh 2-30 hari (Tergantung pada Total Quantity) untuk mengirimkan REASUNOS Super Junction MOSFET.