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Industrieller stabiler Super Junction-Transistor, Wärmeverlust Diskreter Mosfet

  • Industrial Stable Super Junction Transistor , Heat Dissipation Discrete Mosfet
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
EMS-Rand Große EMI Margin Anwendung LED-Fahrer, PFC-Stromkreis, Schaltnetzteil, UPS des Dauerleistungs-Versorgungssystems, der New Energ
Typ N Vorteile Es wird durch mehrschichtigen Epitaxie-Prozess gemacht. Verglichen mit Graben-Prozess, hat es ausgez
Paket Ultra Päckchen Kapazitanz Ultra-niedrige Kreuzungs-Kapazitanz
Einheitentyp Energie-getrennte Geräte Produktbezeichnung Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET
Hervorheben

Industrielle Super-Junction-Transistoren

,

Transistor mit stabiler Superverbindung

,

Wärmeabbau Diskreter Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Ultra-kleine interne Widerstands-Super-Junction-MOSFET/SJ MOSTET Leistungsdiskrete Geräte

Beschreibung des Produkts:

Der Super Junction Metal Oxide Semiconductor Transistor (sj mosfet) ist eine Art fortschrittlicher Superjunction-Diode, die eine bessere Leistung und Funktionen bietet als herkömmliche Geräte.Dieses Gerät hat einen Ultra-kleinen internen Widerstand und ist ideal für Anwendungen wie LED-TreiberDas Gerät verfügt außerdem über eine ultra-niedrige Verbindungskapazität, die sich durch eine hohe Leistungsfähigkeit erstreckt.was bedeutet, dass es mit viel höheren Schaltfrequenzen umgehen kann als andere Transistortypen.Darüber hinaus verfügt es über eine große EMI-Marge, was bedeutet, dass es effektiv gegen EMI und Überspannungsströme schützen kann.die effizienter ist als der Trench-Prozess und hervorragende Fähigkeiten gegen EMI und Überspannungen bietet.

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung Überschneidung MOSFET/SJ MOSTET
Kapazität Ultra-niedrige Knotenkapazität
Der innere Widerstand Ultraschmaler innerer Widerstand
Vorteile Es ist durch mehrschichtigen Epitaxy-Prozess hergestellt. Verglichen mit Trench-Prozess, hat es ausgezeichnete Anti-EMI und Anti-Surge Fähigkeiten
Paket Ultra-kleines Paket
EWI-Marge Große EMI-Marge
Typ N
Anwendung LED-Treiber, PFC-Schaltkreis, Schaltnetzteil, UPS von kontinuierlicher Stromversorgungssystem, neue Energie Energie Ausrüstung, usw.
Gerätetypen Stromdiskrete Geräte
 

Anwendungen:

DieTransistor mit Metalloxid-Halbleiter mit Superschnitt (Si-MOSFET mit Superschnitt)produziert von der renommierten chinesischen ElektronikfirmaGründeist ein leistungsstarkes, diskretes Gerät, das entwickelt wurde, um die Anforderungen moderner Anwendungen zu erfüllen.Sie besteht aus hochwertigen Materialien und ist nach höchsten Sicherheits- und Zuverlässigkeitsstandards konstruiertEs wird in Guangdong, China hergestellt und ist zu einem wettbewerbsfähigen Preis erhältlich.

Das Si-Super-Junction-MOSFET verfügt über eineStaub-, Wasser- und antistatische RohrverpackungenDie Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW) und hat eine Lieferkapazität von 5KK/Monat.Das Produkt wird in einerUltrakleines Paketmit einer Breite vongeringer innerer Widerstand.

Das Super Junction MOSFET kann in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden, wie beispielsweise LED-Treiber, PFC-Schaltkreise, Schaltnetzteile, UPS von kontinuierlichen Stromversorgungssystemen und neue Energieversorgungsgeräte.Dieses Produkt ist ideal für diejenigen, die eine zuverlässige und effiziente Stromversorgungslösung für ihr Gerät suchen.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Wartung von Super Junction MOSFET

Wir bieten umfassende technische Unterstützung und Service für unsere Super Junction MOSFET Produkte.Unser Team von erfahrenen Ingenieuren ist darauf spezialisiert, Kunden dabei zu helfen, die richtige Lösung für ihre Bedürfnisse zu finden.Zu unseren Dienstleistungen gehören:

  • Designhilfe und Beratung
  • Produktauswahl und -bewertung
  • Fehlerbehebung und Anpassung von Anwendungen
  • Überprüfung des Datenblatts
  • Produktunterstützung und Ausbildung

Wir sind bestrebt, unseren Kunden das bestmögliche Erlebnis zu bieten, und unser Kundenservice-Team steht Ihnen zur Verfügung, um Fragen zu beantworten und Unterstützung zu bieten.

 

Verpackung und Versand:

Super Junction MOSFET Verpackung und Versand werden mit größter Sorgfalt behandelt, um sicherzustellen, dass Ihr Produkt sicher und pünktlich ankommt.Alle Produkte werden vor Verpackung und Versand zur Qualitätskontrolle geprüft. Verpackungsmaterialien wie Blasenfolie, Schaumstoff und andere Schutzmaterialien werden verwendet, um sicherzustellen, dass das Produkt während des Transports sicher ist.Alle Pakete werden mit zuverlässigen Spediteuren versendet und die Nachverfolgungsnummern werden dem Kunden zur einfachen Nachverfolgung zur Verfügung gestellt..

 

Häufige Fragen:

F1: Was ist ein Super Junction MOSFET?
A1: Ein Super Junction MOSFET ist eine Art Metalloxid-Halbleiterfeldwirkungstransistor (MOSFET) mit einer verbesserten Struktur.mit einer Breite von mehr als 20 mm,.
F2: Welche Marke ist das Super Junction MOSFET?
A2: Das Super Junction MOSFET ist von REASUNOS.
F3: Wo wird das Super Junction MOSFET hergestellt?
A3: Das Super Junction MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.
F4: Wie ist die Verpackung des Super Junction MOSFET?
A4: Das Super Junction MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.
F5: Wie lange dauert die Lieferzeit des Super Junction MOSFET?
A5: Die Lieferzeit des Super Junction MOSFET beträgt 2-30 Tage, je nach Gesamtmenge.
Umbauten:

Transistor mit Metalloxid-Superverbindung

PFC-Schaltkreis-MOSFET mit Überschneidung

Stromversorgung Super Junction MOSFET