Многоцелевой MOSFET с суперсоединением типа N для переключения источника питания

Место происхождения Гуандун, CN
Фирменное наименование REASUNOS
Цена Confirm price based on product
Упаковывая детали Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка
Время доставки 2-30 дней (зависит от общего количества)
Условия оплаты 100% T/T заранее ((EXW)
Поставка способности 5кк/месяц

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Применение Водитель СИД, цепь PFC, переключая электропитание, UPS непрерывной системы электропитания, новое сил Преимущества Оно сделано разнослоистым процессом эпитаксии. Сравненный с процессом канавы, он имеет превосходный
Допустимый предел EMI Большой допустимый предел EMI Внутреннее сопротивление Ультра небольшое внутреннее сопротивление
Пакет Ультра небольшой пакет Тип прибора Приборы силы дискретные
Тип N Емкость Ультра-низкая емкость соединения
Выделить

MOSFET с суперсоединением типа N

,

Многоцелевой суперсоединение MOSFET

,

Силовое питание N Сверхсоединительный диод

Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
Оставьте сообщение
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Характер продукции

Ультранизкая емкость соединения N Диодная мощность с суперсоединением

Описание продукта:

Super Junction MOSFET, также известный как Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor, представляет собой тип дискретного устройства питания с ультра-малым пакетом.Он отличается с очень маленьким внутренним сопротивлением, сверхнизкая емкость соединения и большая маржа EMI, что делает его идеальным выбором для таких приложений, как преобразование мощности, управление мощностью, переключение высокой частоты, усилители и управление двигателем.Он также известен как Транзистор с эффектом поля полупроводникового оксида металла с суперсоединением.

 

Технические параметры:

Недвижимость Стоимость
Тип устройства Устройства с дискретным питанием
Тип N
Наименование продукта Суперсоединение MOSFET/SJ MOSTET
Пакет Сверхмаленький пакет
Преимущества Он изготовлен многослойным эпитаксическим процессом.
Пропускная способность Ультранизкая пропускная способность соединения
Внутреннее сопротивление Ультраменьшее внутреннее сопротивление
Маржинальная ставка по ИПВ Большая маржа EMI
Применение Драйвер LED, схема PFC, переключающее питание, UPS системы непрерывного питания, новое энергетическое оборудование, и т.д.
 

Применение:

REASUNOS Super Junction MOSFET (SJ MOSFET) - это полупроводниковый транзистор с эффектом поля из оксида металла (MOSFET) с большой маржой EMI и сверхменьшим внутренним сопротивлением.Это устройство типа N и имеет широкое применение в светодиодном драйвере, схема PFC, переключатель питания, UPS системы непрерывного питания и нового энергетического оборудования, и т.д.

REASUNOS Super Junction MOSFET - это высококачественный продукт с надежными характеристиками и стабильной работой. Он упакован в пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку,помещенные в картонную коробку в картонных коробкахЦена этого продукта подтверждается в зависимости от продукта и может быть доставлена через 2-30 дней после получения оплаты. REASUNOS может предоставить 5KK / месяц Super Junction MOSFET.

 

Поддержка и услуги:

Техническая поддержка и обслуживание MOSFET с суперсвязью

Мы предлагаем техническую поддержку и сервис для MOSFET с суперсоединением.Наши опытные специалисты готовы предоставить клиентам наиболее надежные и эффективные решения для их приложенийМы предоставляем эти услуги через наш сайт, телефон и электронную почту.

Техническая поддержка
  • Поддержка проектирования и моделирования для выбора продукта, приложений и устранения неполадок
  • Специфическая документация по продукту и применению, включая листы данных и примечания к применению
  • Техническая поддержка на месте
Служба
  • Проектирование и изготовление индивидуальных решений
  • Услуги по ремонту и обслуживанию
  • Установка на месте и ввод в эксплуатацию
 

Упаковка и перевозка:

Упаковка и транспортировка MOSFET с суперсоединением

Наши MOSFET Super Junction упаковываются и отправляются в высококачественные контейнеры, которые защищают продукт от ущерба для окружающей среды во время транзита.Контейнеры спроектированы таким образом, чтобы продукты прибывали безопасно и надежно.

Процесс упаковки включает следующие этапы:

  • MOSFET отдельно упакованы в антистатический материал.
  • Опакованные MOSFET помещаются в контейнеры с пузырьковой обложкой для дополнительной защиты.
  • Контейнеры помечены информацией о продукте и адресом доставки.
  • Контейнеры помещаются в более крупные коробки с дополнительной подкладкой.
  • Погрузочные коробки запечатаны и помечены с адресом доставки.

Все посылки отправляются с номером отслеживания, так что клиенты могут отслеживать ход их отправки.

 

Часто задаваемые вопросы

Вопросы и ответы о REASUNOS Super Junction MOSFET

Вопрос 1: Что такое суперсоединение MOSFET?

А1:Super Junction MOSFET is a type of MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) that features a structure with multiple connected junctions to reduce on-resistance and increase current handling capabilities.

Q2: Где производится REASUNOS Super Junction MOSFET?

A2: REASUNOS Super Junction MOSFET производится в Гуандун, Китай.

Q3: Сколько стоит REASUNOS Super Junction MOSFET?

A3:Цена REASUNOS Super Junction MOSFET подтверждена на основе продукта.

Q4: Как упаковывается REASUNOS Super Junction MOSFET?

A4: REASUNOS Super Junction MOSFET упаковывается в пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку, помещенную в картонную коробку в картонные коробки.

Q5: Сколько времени требуется для доставки REASUNOS Super Junction MOSFET?

Ответ 5: Для доставки REASUNOS Super Junction MOSFET требуется 2-30 дней (зависит от общего количества).