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MOSFET multipropósito de súper unión de tipo N para cambiar la fuente de alimentación

  • N Type Super Junction MOSFET Multipurpose For Switching Power Supply
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Aplicación Conductor del LED, circuito de PFC, fuente de alimentación que cambia, UPS del sistema de abastecimi Ventajas Es hecho por proceso de múltiples capas de la epitaxia. Comparado con proceso del foso, tiene EMI An
Margen de la EMI EMI Margin grande Resistencia interna Resistencia interna ultra pequeña
paquete Paquete ultra pequeño Tipo de dispositivo Dispositivos discretos del poder
El tipo N Capacitancia Capacitancia de empalme ultrabaja
Resaltar

MOSFET de súper unión de tipo N

,

MOSFET de súper unión multipropósito

,

Fuente de alimentación N Diodo de superunión
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

Capacidad de unión ultrabaja N Discreto de energía de diodo de superunión

Descripción del producto:

Super Junction MOSFET, también conocido como Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor, es un tipo de dispositivo discreto de potencia con un paquete ultra pequeño.Tiene una resistencia interna muy pequeña., capacidad de unión ultrabaja y gran margen EMI, lo que lo convierte en una opción ideal para aplicaciones como conversión de potencia, gestión de energía, conmutación de alta frecuencia, amplificadores y control de motores.También se conoce como Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.

 

Parámetros técnicos:

Propiedad Valor
Tipo de dispositivo Dispositivos discretos de energía
El tipo No
Nombre del producto MOSFET/SJ MOSTET de súper unión
Paquete Paquete muy pequeño
Ventajas Se hace por proceso de epitaxia de múltiples capas. Comparado con el proceso de trinchera, tiene excelentes capacidades anti-EMI y anti-surge
Capacidad Capacidad de unión ultrabaja
Resistencia interna Resistencia interna muy pequeña
Margen de la EMI Gran margen de IEM
Aplicación El conductor LED, el circuito PFC, el suministro de energía de conmutación, el sistema UPS de suministro de energía continua, el equipo de energía de nueva energía, etc.
 

Aplicaciones:

REASUNOS Super Junction MOSFET (SJ MOSFET) es un transistor de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico (MOSFET) con un gran margen EMI y una resistencia interna ultra pequeña.Se trata de un dispositivo de tipo N y tiene amplias aplicaciones en el conductor LED, circuito PFC, suministro de energía de conmutación, UPS de sistema de suministro de energía continua y equipo de energía de nueva generación, etc.

REASUNOS Super Junction MOSFET es un producto de alta calidad con un rendimiento confiable y un funcionamiento estable.colocados dentro de una caja de cartón en cartonesEl precio de este producto se confirma según el producto y se puede entregar 2-30 días después de recibir el pago. REASUNOS puede proporcionar 5KK / mes del Super Junction MOSFET.

 

Apoyo y servicios:

Apoyo técnico y servicio para el MOSFET de súper unión

Ofrecemos soporte técnico y servicio para el MOSFET de súper unión.Nuestros profesionales experimentados están disponibles para proporcionar a los clientes las soluciones más fiables y eficientes para sus aplicacionesProporcionamos estos servicios a través de nuestro sitio web, teléfono y correo electrónico.

Apoyo técnico
  • Apoyo al diseño y a la simulación para la selección de productos, aplicaciones y solución de problemas
  • Documentación específica del producto y de la aplicación, incluidas las hojas de datos y las notas de aplicación
  • Apoyo técnico in situ
Servicio
  • Diseño y fabricación de soluciones a medida
  • Servicios de reparación y mantenimiento
  • Instalación y puesta en marcha in situ
 

Embalaje y envío:

Embalaje y envío del MOSFET de súper unión

Nuestros Super Junction MOSFETs están empaquetados y enviados en contenedores de alta calidad que protegen el producto de daños ambientales durante el transporte.Los contenedores están diseñados para garantizar que los productos lleguen seguros y protegidos.

El proceso de envasado incluye las siguientes etapas:

  • Los MOSFET están envueltos individualmente en un material antistatico.
  • Los MOSFET envueltos se colocan en recipientes con envoltura de burbujas para una protección adicional.
  • Los contenedores están etiquetados con la información del producto y la dirección de envío.
  • Los contenedores se colocan en cajas de envío más grandes con relleno adicional.
  • Las cajas están selladas y etiquetadas con la dirección de envío.

Todos los paquetes se envían con un número de seguimiento, para que los clientes puedan controlar el progreso de su envío.

 

Preguntas frecuentes:

Preguntas y respuestas sobre REASUNOS Super Junction MOSFET

P1: ¿Qué es el MOSFET de súper unión?

A1: ¿Qué es esto?Super Junction MOSFET is a type of MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) that features a structure with multiple connected junctions to reduce on-resistance and increase current handling capabilities.

P2: ¿Dónde se hace el REASUNOS Super Junction MOSFET?

A2: REASUNOS Super Junction MOSFET se hace en Guangdong, China.

P3: ¿Cuánto es el MOSFET de súper unión REASUNOS?

A3:El precio del MOSFET de súper unión REASUNOS es el precio confirmado basado en el producto.

P4: ¿Cómo se empaqueta el REASUNOS Super Junction MOSFET?

A4:REASUNOS Super Junction MOSFET está envasado con un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antistatico, colocado dentro de una caja de cartón en cartones.

P5: ¿Cuánto tiempo se tarda en entregar el MOSFET de súper unión REASUNOS?

R5:Se tarda de 2 a 30 días (depende de la cantidad total) en entregar el MOSFET de súper unión REASUNOS.

Etiquetas:

Transistores de súper unión de óxido metálico

MOSFET de súper unión del circuito PFC

MOSFET de súper unión de suministro de energía