نوع N MOSFET چند منظوره برای تغییر منبع برق

محل منبع گوانگدونگ، CN
نام تجاری REASUNOS
قیمت Confirm price based on product
جزئیات بسته بندی بسته بندی لوله ای ضد گرد و غبار، ضد آب و ضد الکتریسیته ساکن داخل جعبه مقوایی در کارتن
زمان تحویل 2-30 روز (بستگی به مقدار کل دارد)
شرایط پرداخت 100% T/T پیشاپیش (EXW)
قابلیت ارائه 5KK در ماه

برای نمونه و کوپن رایگان با من تماس بگیرید.

واتس اپ:0086 18588475571

ویچت: 0086 18588475571

اسکایپ: sales10@aixton.com

اگر نگرانی دارید، ما به صورت آنلاین 24 ساعته راهنمایی می کنیم.

x
جزئیات محصول
درخواست درایور LED، مدار PFC، منبع تغذیه سوئیچینگ، یو پی اس سیستم منبع تغذیه پیوسته، تجهیزات انرژی جدید و غی مزایای It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. این توسط فرآیند اپیتاکسی چند لایه ساخته شده است
حاشیه EMI حاشیه EMI بزرگ مقاومت داخلی مقاومت داخلی فوق العاده کوچک
بسته بندی بسته فوق العاده کوچک نوع وسیله قدرت دستگاه های گسسته
نوع ن ظرفیت ظرفیت اتصال فوق العاده کم
برجسته کردن

نوع N MOSFET سوپر جنکشن,MOSFET سوپر جنکشن چند منظوره,منبع برق N دیود فوق اتصال

,

Super Junction MOSFET Multipurpose

,

Power Supply N Superjunction Diode

می توانید محصولات مورد نیاز خود را علامت بزنید و در صفحه پیام با ما ارتباط برقرار کنید.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
پیام بگذارید
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
توضیحات محصول

ظرفیت اتصال بسیار پایین N دستگاه های جدا از دیود قدرت فوق اتصال

توضیحات محصول:

MOSFET سوپر جنکشن، که به عنوان ترانزیستور اثر میدان اکسید فلزی سوپر جنکشن نیز شناخته می شود، یک نوع دستگاه جدا از قدرت با یک بسته بسیار کوچک است.با مقاومت داخلی بسیار کوچک، ظرفیت اتصال بسیار پایین و حاشیه EMI بزرگ، آن را به یک انتخاب ایده آل برای برنامه هایی مانند تبدیل قدرت، مدیریت قدرت، سوئیچ فرکانس بالا، تقویت کننده ها و کنترل موتور تبدیل می کند.همچنین به عنوان ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلزی سوپر جنکشن شناخته می شود.

 

پارامترهای فنی:

مالکیت ارزش
نوع دستگاه دستگاه های جدا کننده قدرت
نوع N
نام محصول MOSFET/SJ MOSTET سوپر جنکشن
بسته بندی بسته ی بسیار کوچک
مزایا این توسط فرایندهای چند لایه ایپتاکسی ساخته شده است. در مقایسه با فرایندهای خندق، دارای قابلیت های عالی ضد EMI و ضد افزایش است.
ظرفیت ظرفیت اتصال بسیار کم
مقاومت درونی مقاومت داخلی بسیار کوچک
مارجین EMI حاشیه ی بزرگ EMI
درخواست راننده LED، مدار PFC، منبع برق سوئیچینگ، UPS از سیستم تامین برق مداوم، تجهیزات انرژی جدید، و غیره
 

کاربردها:

REASUNOS Super Junction MOSFET (SJ MOSFET) یک ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلزی (MOSFET) با حاشیه EMI بزرگ و مقاومت داخلی بسیار کوچک است.این یک دستگاه نوع N است و دارای کاربردهای گسترده ای در راننده LED است، مدار PFC، منبع برق سوئیچ، UPS از سیستم منبع برق مداوم و تجهیزات انرژی جدید، و غیره

REASUNOS Super Junction MOSFET یک محصول با کیفیت بالا با عملکرد قابل اعتماد و عملکرد پایدار است.داخل یک جعبه مقوا در کارتون قرار داده شده است. قیمت این محصول بر اساس محصول تایید شده و می تواند 2-30 روز پس از دریافت پرداخت تحویل داده شود. REASUNOS می تواند 5KK / ماه از Super Junction MOSFET را ارائه دهد.

 

پشتیبانی و خدمات:

پشتیبانی فنی و خدمات برای MOSFET سوپر جونکشن

ما پشتیبانی فنی و سرویس برای MOSFET Super Junction را ارائه می دهیم.متخصصان باتجربه ما در دسترس هستند تا مشتریان را با مطمئن ترین و کارآمدترین راه حل برای برنامه های خود فراهم کنندما این خدمات را از طریق وب سایت، تلفن و ایمیل ارائه می دهیم.

پشتیبانی فنی
  • پشتیبانی از طراحی و شبیه سازی برای انتخاب محصول، برنامه ها و رفع مشکل
  • مدارک خاص محصول و کاربرد، از جمله ورق های داده و یادداشت های کاربرد
  • پشتیبانی فنی در محل
خدمات
  • طراحی و ساخت راه حل های سفارشی
  • خدمات تعمیر و نگهداری
  • نصب و راه اندازی در محل
 

بسته بندی و حمل:

بسته بندی و حمل و نقل برای MOSFET سوپر جنکشن

MOSFET های Super Junction ما در ظروف با کیفیت بالا بسته بندی و ارسال می شوند که محصول را در طول حمل و نقل از آسیب های زیست محیطی محافظت می کنند.ظروف طراحی شده اند تا اطمینان حاصل شود که محصولات به طور ایمن و امن وارد می شوند.

فرآیند بسته بندی شامل مراحل زیر است:

  • MOSFET ها به صورت جداگانه با مواد ضد ایستاتیک پیچیده می شوند.
  • MOSFET های پیچیده در ظروف با پوشش حبابی برای حفاظت اضافی قرار می گیرند.
  • ظرف ها با اطلاعات محصول و آدرس حمل و نقل برچسب زده شده اند.
  • کانتینرها در جعبه های حمل و نقل بزرگتر با پوششی اضافی قرار می گیرند.
  • جعبه های حمل و نقل مهر و موم شده و آدرس حمل و نقل نوشته شده.

تمام بسته ها با شماره ردیابی ارسال می شوند، بنابراین مشتریان می توانند پیشرفت محموله خود را کنترل کنند.

 

سوالات متداول:

پرسش و پاسخ در مورد REASUNOS Super Junction MOSFET

سوال1: MOSFET سوپر جنکشن چیست؟

A1:Super Junction MOSFET is a type of MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) that features a structure with multiple connected junctions to reduce on-resistance and increase current handling capabilities.

سوال2: REASUNOS Super Junction MOSFET کجا ساخته می شود؟

A2: REASUNOS Super Junction MOSFET در گوانگدونگ چین ساخته شده است.

س3: مقدار REASUNOS Super Junction MOSFET چقدر است؟

A3: قیمت REASUNOS Super Junction MOSFET بر اساس محصول است.

Q4: REASUNOS Super Junction MOSFET چگونه بسته بندی می شود؟

A4: REASUNOS Super Junction MOSFET با بسته بندی لوله ای ضد گرد و غبار، ضد آب و ضد جامد بسته بندی شده و در یک جعبه کارتن در کارتن قرار داده شده است.

س5: تحویل REASUNOS Super Junction MOSFET چقدر طول می کشد؟

A5: برای تحویل REASUNOS Super Junction MOSFET 2 تا 30 روز طول می کشد ( بستگی به کل مقدار دارد).