N型スーパージャンクション MOSFET 多目的用 交換電源

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x適用する | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 | 利点 | それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある |
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EMIの差益 | 大きいEMIの差益 | 内部抵抗 | 超小さい内部抵抗 |
パッケージ | 超小型パッケージ | 装置タイプ | 力の分離した装置 |
タイプ | N | キャパシタンス | 超低い接続点キャパシタンス |
ハイライト | N型スーパージャンクションMOSFET,スーパージャンクション MOSFET 多目的,電力供給 N 超結合ダイオード |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
9 | RSF60R099W | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO247-3 | 600 | |
10 | RSF60R070W | N | 45 | 600 | 61 | 70 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSF60R041W | N | 70 | 600 | 35 | 41 | TO247-3 | 600 | |
12 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
13 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
14 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 | |
15 | RSU7N65D | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-252 | 2500 | |
16 | RSU7N65F | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-220F | 1000 | |
17 | RS65R600D | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-252 | 2500 | |
18 | RS65R600F | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
19 | RSE65R550D | N | 7.6 | 650 | 480 | 550 | TO-252 | 2500 | |
20 | RSU12N65F | N | 12 | 650 | 380 | 420 | TO-220F | 1000 | |
21 | RS65R380D | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-252 | 2500 | |
22 | RS65R380F | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-220F | 1000 | |
23 | RS65R280D | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS65R280F | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-220F | 1000 | |
25 | RSE65R210F | N | 16.8 | 650 | 185 | 210 | TO-220F | 1000 | |
26 | RS65R190F | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220F | 1000 | |
27 | RS65R190S | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-263 | 800 | |
28 | RS65R190T | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220 | 1000 | |
29 | RSF65R190T | N | 20 | 650 | 170 | 190 | TO-220 | 1000 | |
30 | RSE65R180F | N | 22 | 650 | 150 | 180 | TO-220F | 1000 | |
31 | RSE65R165F | N | 20.4 | 650 | 145 | 165 | TO-220F | 1000 | |
32 | RSF65R130F | N | 26 | 650 | 115 | 130 | TO-220F | 1000 | |
33 | RSE70R600F | N | 7.3 | 700 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
34 | RSE70R420F | N | 11 | 700 | 365 | 420 | TO-220F | 1000 | |
35 | RSE70R360F | N | 12 | 700 | 315 | 360 | TO-220F | 1000 | |
36 | RSE80R850D | N | 7 | 800 | 740 | 850 | TO-252 | 2500 | |
37 | RS80R500F | N | 9 | 800 | 420 | 500 | TO-220F | 1000 | |
38 | RSE80R380F | N | 13 | 800 | 330 | 380 | TO-220F | 1000 | |
39 | RSE80R250F | N | 18 | 800 | 220 | 250 | TO-220F | 1000 |
超低ジャンクション容量 N 超ジャンクションダイオードパワーディスクリートデバイス
製品説明:
スーパージャンクション金属酸化物フィールド効果トランジスタとも呼ばれるスーパージャンクションMOSFETは,超小型パッケージを持つ電源離散装置の一種である.内部抵抗が非常に小さい超低回合容量と大きなEMIマージンにより,電源変換,電源管理,高周波スイッチ,アンプ,モーター制御などのアプリケーションに理想的な選択となります.超接合金属酸化半導体場効果トランジスタとしても知られています.
技術パラメータ:
資産 | 価値 |
---|---|
装置の種類 | 電源を分離する装置 |
タイプ | N |
製品名 | 超交差点MOSFET/SJ MOSTET |
パッケージ | 超小型パッケージ |
利点 | 多層エピタキシープロセスによって作られています. トレンチプロセスと比較して,それは優れた反EMIと反急増能力を有しています. |
容量 | 超低回路容量 |
内面 の 抵抗 | 極小な内抵抗 |
EMI マージン | 高いEMI手数料 |
適用する | LEDドライバ,PFC回路,スイッチング電源,UPSの連続電源システム,新しいエネルギー電源機器,など |
応用:
REASUNOS スーパージャンクション MOSFET (SJ MOSFET) は,金属酸化物半導体フィールド効果トランジスタ (MOSFET) で,EMI 幅が大きく,内部抵抗が極めて小さい.LEDドライバに幅広いアプリケーションがあります.連続電源システムのUPSと新しいエネルギー電源機器など
REASUNOS スーパージャンクション MOSFETは,信頼性の高い性能と安定した動作を備えた高品質の製品です. 防塵,防水,反静的管状のパッケージで梱包されています.紙箱の中に入れる. この製品の価格は製品によって確認され,支払いが受信されてから2-30日後に配達することができます. REASUNOSはスーパージャンクションMOSFETの5KK/月を提供することができます.
サポートとサービス
我々はスーパージャンクション MOSFETの 技術サポートとサービスを提供します私たちの経験豊富なプロフェッショナルは,お客様のアプリケーションのための最も信頼性と効率的なソリューションを提供するために利用可能ですウェブサイト,電話,メールを通じてこれらのサービスを提供しています.
- 製品選択,アプリケーション,トラブルシューティングのための設計とシミュレーションサポート
- 製品およびアプリケーション特有のドキュメント,データシートおよびアプリケーションノートを含む
- 現地での技術支援
- カスタムソリューションの設計と製造
- 修理・保守サービス
- 敷地内設置と投入
梱包と輸送:
スーパージャンクションMOSFETは 高品質のコンテナに包装され 輸送中に環境被害から保護されます容器は,製品が安全で安全に届くように設計されています..
包装プロセスには次のステップが含まれます.
- MOSFETは個別に反静的材料に包まれています
- 包装されたMOSFETは,追加の保護のために泡状の包装付きの容器に入れます.
- コンテナには製品情報と送料アドレスが付けられています
- 容器はさらにパッシングを付いた大きな輸送箱に置かれます.
- 配送箱は封印され,配送住所が記載されています.
すべてのパッケージは追跡番号で送られており,顧客は送料の進捗状況を監視できます.
FAQ:
Q1:スーパージャンクションMOSFETとは?
A1:Super Junction MOSFET is a type of MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) that features a structure with multiple connected junctions to reduce on-resistance and increase current handling capabilities.
Q2: REASUNOS スーパージャンクション MOSFET はどこで作られていますか?
A2:REASUNOS スーパージャンクション MOSFETは中国の広東で製造されています
Q3: REASUNOS スーパージャンクション MOSFET はどのくらいですか?
A3:REASUNOS スーパージャンクション MOSFETの価格は,製品によって確認価格です.
Q4: REASUNOS Super Junction MOSFET はどのようにパッケージ化されていますか?
A4:REASUNOS Super Junction MOSFETは,防塵,防水,反静的管状のパッケージで梱包され,紙箱の中に詰められています.
Q5: REASUNOS スーパージャンクション MOSFET の配達にはどのくらいの時間がかかりますか?
A5:REASUNOS スーパージャンクション MOSFET を配達するのに 2~30 日かかります (総量によって異なります).