MOSFET multiuso de super junção de tipo N para comutação de fonte de alimentação

Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
Tempo de entrega 2-30 dias (depende da quantidade total)
Termos de pagamento 100% T/T adiantado (EXW)
Habilidade da fonte 5KK/mês

Contacte-me para amostras grátis e vales.

Whatsapp:0086 18588475571

bate-papo: 0086 18588475571

skype: sales10@aixton.com

Se você tem algum interesse, nós fornecemos a ajuda online de 24 horas.

x
Detalhes do produto
Aplicação Motorista do diodo emissor de luz, circuito de PFC, fonte de alimentação de comutação, UPS do sistem Vantagens É feito pelo processo da epitaxia da Multi-camada. Comparado com o processo da trincheira, tem anti
Margem do IEM Grande EMI Margin Resistencia interna Resistência interna ultra pequena
Pacote Pacote ultra pequeno Tipo de dispositivo Dispositivos discretos do poder
Tipo N Capacidade Ultra-baixa capacidade de junção
Destacar

MOSFET de superjunção de tipo N

,

Super Junção MOSFET Multipurpose

,

Fornecimento de energia N Diodo de superjunção

Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
Deixe um recado
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

Dispositivos discretos de potência de diodo de superjunção

Descrição do produto:

O Super Junction MOSFET, também conhecido como Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor, é um tipo de dispositivo discreto de potência com um pacote ultra pequeno.Tem uma resistência interna ultra pequena., capacidade de junção ultra-baixa e grande margem EMI, tornando-se uma escolha ideal para aplicações como conversão de energia, gestão de energia, comutação de alta frequência, amplificadores e controle de motor.Também é conhecido como Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.

 

Parâmetros técnicos:

Imóveis Valor
Tipo de dispositivo Dispositivos discretos de energia
Tipo N
Nome do produto Superjunção MOSFET/SJ MOSTET
Pacote Pacote ultra pequeno
Vantagens Comparado com o processo de trincheira, tem excelentes capacidades anti EMI e anti surge.
Capacidade Capacidade de junção ultra-baixa
Resistência interna Resistência interna ultra pequena
Margem do IME Margem de EMI elevada
Aplicação Dirigente LED, circuito PFC, fonte de alimentação de comutação, UPS de sistema de alimentação contínua, equipamento de energia nova energia, etc.
 

Aplicações:

O REASUNOS Super Junction MOSFET (SJ MOSFET) é um transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico (MOSFET) com uma grande margem EMI e uma resistência interna ultra pequena.É um dispositivo de tipo N e tem amplas aplicações no driver LED, circuito PFC, alimentação por comutação, UPS do sistema de alimentação contínua e equipamento de energia nova, etc.

O REASUNOS Super Junction MOSFET é um produto de alta qualidade com desempenho fiável e funcionamento estável.colocados dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelãoO preço deste produto é confirmado de acordo com o produto e pode ser entregue 2-30 dias após o recebimento do pagamento.

 

Apoio e Serviços:

Apoio técnico e serviço para o MOSFET de superjunção

Oferecemos suporte técnico e serviço para o MOSFET de Super Junção.Os nossos profissionais experientes estão disponíveis para fornecer aos clientes as soluções mais fiáveis e eficientes para as suas aplicaçõesOferecemos esses serviços através do nosso site, telefone e e-mail.

Apoio técnico
  • Apoio à concepção e simulação para seleção de produtos, aplicações e resolução de problemas
  • Documentação específica do produto e da aplicação, incluindo folhas de dados e notas de aplicação
  • Apoio técnico no local
Serviço
  • Projeto e fabrico de soluções sob medida
  • Serviços de reparação e manutenção
  • Instalação e colocação em serviço no local
 

Embalagem e transporte:

Embalagem e transporte do MOSFET de superjunção

Os nossos Super Junction MOSFETs são embalados e enviados em recipientes de alta qualidade que protegem o produto de danos ambientais durante o transporte.Os recipientes são concebidos para garantir que os produtos cheguem em segurança.

O processo de embalagem inclui as seguintes etapas:

  • Os MOSFETs são envolvidos individualmente em material antistático.
  • Os MOSFETs envolvidos são colocados em recipientes com borracha para proteção adicional.
  • Os recipientes são rotulados com a informação do produto e o endereço de envio.
  • Os contentores são colocados em caixas de transporte maiores com almofada adicional.
  • As caixas de envio são seladas e rotuladas com o endereço de envio.

Todos os pacotes são enviados com um número de rastreamento, para que os clientes possam monitorar o progresso do seu envio.

 

Perguntas frequentes:

Perguntas e respostas sobre o REASUNOS Super Junction MOSFET

P1: O que é o Super Junction MOSFET?

A1:Super Junction MOSFET is a type of MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) that features a structure with multiple connected junctions to reduce on-resistance and increase current handling capabilities.

P2: Onde é feito o REASUNOS Super Junction MOSFET?

A2: O REASUNOS Super Junction MOSFET é fabricado em Guangdong, China.

Q3: Quanto é o REASUNOS Super Junction MOSFET?

A3:O preço do REASUNOS Super Junction MOSFET é o preço confirmado com base no produto.

P4: Como é que o REASUNOS Super Junction MOSFET é embalado?

A4:O REASUNOS Super Junction MOSFET é embalado com embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.

Q5: Quanto tempo leva para entregar o REASUNOS Super Junction MOSFET?

A5: Demora 2-30 dias (depende da quantidade total) para entregar o REASUNOS Super Junction MOSFET.