MOSFET multiuso de super junção de tipo N para comutação de fonte de alimentação
Lugar de origem | Guangdong, NC |
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Marca | REASUNOS |
Preço | Confirm price based on product |
Detalhes da embalagem | Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca |
Tempo de entrega | 2-30 dias (depende da quantidade total) |
Termos de pagamento | 100% T/T adiantado (EXW) |
Habilidade da fonte | 5KK/mês |

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xAplicação | Motorista do diodo emissor de luz, circuito de PFC, fonte de alimentação de comutação, UPS do sistem | Vantagens | É feito pelo processo da epitaxia da Multi-camada. Comparado com o processo da trincheira, tem anti |
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Margem do IEM | Grande EMI Margin | Resistencia interna | Resistência interna ultra pequena |
Pacote | Pacote ultra pequeno | Tipo de dispositivo | Dispositivos discretos do poder |
Tipo | N | Capacidade | Ultra-baixa capacidade de junção |
Destacar | MOSFET de superjunção de tipo N,Super Junção MOSFET Multipurpose,Fornecimento de energia N Diodo de superjunção |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
9 | RSF60R099W | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO247-3 | 600 | |
10 | RSF60R070W | N | 45 | 600 | 61 | 70 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSF60R041W | N | 70 | 600 | 35 | 41 | TO247-3 | 600 | |
12 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
13 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
14 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 | |
15 | RSU7N65D | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-252 | 2500 | |
16 | RSU7N65F | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-220F | 1000 | |
17 | RS65R600D | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-252 | 2500 | |
18 | RS65R600F | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
19 | RSE65R550D | N | 7.6 | 650 | 480 | 550 | TO-252 | 2500 | |
20 | RSU12N65F | N | 12 | 650 | 380 | 420 | TO-220F | 1000 | |
21 | RS65R380D | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-252 | 2500 | |
22 | RS65R380F | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-220F | 1000 | |
23 | RS65R280D | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS65R280F | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-220F | 1000 | |
25 | RSE65R210F | N | 16.8 | 650 | 185 | 210 | TO-220F | 1000 | |
26 | RS65R190F | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220F | 1000 | |
27 | RS65R190S | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-263 | 800 | |
28 | RS65R190T | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220 | 1000 | |
29 | RSF65R190T | N | 20 | 650 | 170 | 190 | TO-220 | 1000 | |
30 | RSE65R180F | N | 22 | 650 | 150 | 180 | TO-220F | 1000 | |
31 | RSE65R165F | N | 20.4 | 650 | 145 | 165 | TO-220F | 1000 | |
32 | RSF65R130F | N | 26 | 650 | 115 | 130 | TO-220F | 1000 | |
33 | RSE70R600F | N | 7.3 | 700 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
34 | RSE70R420F | N | 11 | 700 | 365 | 420 | TO-220F | 1000 | |
35 | RSE70R360F | N | 12 | 700 | 315 | 360 | TO-220F | 1000 | |
36 | RSE80R850D | N | 7 | 800 | 740 | 850 | TO-252 | 2500 | |
37 | RS80R500F | N | 9 | 800 | 420 | 500 | TO-220F | 1000 | |
38 | RSE80R380F | N | 13 | 800 | 330 | 380 | TO-220F | 1000 | |
39 | RSE80R250F | N | 18 | 800 | 220 | 250 | TO-220F | 1000 |
Dispositivos discretos de potência de diodo de superjunção
Descrição do produto:
O Super Junction MOSFET, também conhecido como Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor, é um tipo de dispositivo discreto de potência com um pacote ultra pequeno.Tem uma resistência interna ultra pequena., capacidade de junção ultra-baixa e grande margem EMI, tornando-se uma escolha ideal para aplicações como conversão de energia, gestão de energia, comutação de alta frequência, amplificadores e controle de motor.Também é conhecido como Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
Parâmetros técnicos:
Imóveis | Valor |
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Tipo de dispositivo | Dispositivos discretos de energia |
Tipo | N |
Nome do produto | Superjunção MOSFET/SJ MOSTET |
Pacote | Pacote ultra pequeno |
Vantagens | Comparado com o processo de trincheira, tem excelentes capacidades anti EMI e anti surge. |
Capacidade | Capacidade de junção ultra-baixa |
Resistência interna | Resistência interna ultra pequena |
Margem do IME | Margem de EMI elevada |
Aplicação | Dirigente LED, circuito PFC, fonte de alimentação de comutação, UPS de sistema de alimentação contínua, equipamento de energia nova energia, etc. |
Aplicações:
O REASUNOS Super Junction MOSFET (SJ MOSFET) é um transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico (MOSFET) com uma grande margem EMI e uma resistência interna ultra pequena.É um dispositivo de tipo N e tem amplas aplicações no driver LED, circuito PFC, alimentação por comutação, UPS do sistema de alimentação contínua e equipamento de energia nova, etc.
O REASUNOS Super Junction MOSFET é um produto de alta qualidade com desempenho fiável e funcionamento estável.colocados dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelãoO preço deste produto é confirmado de acordo com o produto e pode ser entregue 2-30 dias após o recebimento do pagamento.
Apoio e Serviços:
Oferecemos suporte técnico e serviço para o MOSFET de Super Junção.Os nossos profissionais experientes estão disponíveis para fornecer aos clientes as soluções mais fiáveis e eficientes para as suas aplicaçõesOferecemos esses serviços através do nosso site, telefone e e-mail.
- Apoio à concepção e simulação para seleção de produtos, aplicações e resolução de problemas
- Documentação específica do produto e da aplicação, incluindo folhas de dados e notas de aplicação
- Apoio técnico no local
- Projeto e fabrico de soluções sob medida
- Serviços de reparação e manutenção
- Instalação e colocação em serviço no local
Embalagem e transporte:
Os nossos Super Junction MOSFETs são embalados e enviados em recipientes de alta qualidade que protegem o produto de danos ambientais durante o transporte.Os recipientes são concebidos para garantir que os produtos cheguem em segurança.
O processo de embalagem inclui as seguintes etapas:
- Os MOSFETs são envolvidos individualmente em material antistático.
- Os MOSFETs envolvidos são colocados em recipientes com borracha para proteção adicional.
- Os recipientes são rotulados com a informação do produto e o endereço de envio.
- Os contentores são colocados em caixas de transporte maiores com almofada adicional.
- As caixas de envio são seladas e rotuladas com o endereço de envio.
Todos os pacotes são enviados com um número de rastreamento, para que os clientes possam monitorar o progresso do seu envio.
Perguntas frequentes:
P1: O que é o Super Junction MOSFET?
A1:Super Junction MOSFET is a type of MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) that features a structure with multiple connected junctions to reduce on-resistance and increase current handling capabilities.
P2: Onde é feito o REASUNOS Super Junction MOSFET?
A2: O REASUNOS Super Junction MOSFET é fabricado em Guangdong, China.
Q3: Quanto é o REASUNOS Super Junction MOSFET?
A3:O preço do REASUNOS Super Junction MOSFET é o preço confirmado com base no produto.
P4: Como é que o REASUNOS Super Junction MOSFET é embalado?
A4:O REASUNOS Super Junction MOSFET é embalado com embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.
Q5: Quanto tempo leva para entregar o REASUNOS Super Junction MOSFET?
A5: Demora 2-30 dias (depende da quantidade total) para entregar o REASUNOS Super Junction MOSFET.