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Stromversorgung Super Junction MOSFET Oberflächenbefestigung Multi-Funktion

  • Power Supply Super Junction MOSFET Surface Mount Multi Function
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Anwendung LED-Fahrer, PFC-Stromkreis, Schaltnetzteil, UPS des Dauerleistungs-Versorgungssystems, der New Energ Vorteile Es wird durch mehrschichtigen Epitaxie-Prozess gemacht. Verglichen mit Graben-Prozess, hat es ausgez
Produktbezeichnung Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET Einheitentyp Energie-getrennte Geräte
Innenwiderstand Ultra kleiner Innenwiderstand Kapazitanz Ultra-niedrige Kreuzungs-Kapazitanz
Typ N Paket Ultra Päckchen
Hervorheben

Stromversorgung Super Junction MOSFET

,

Super Junction MOSFET Oberflächenhalter

,

Multifunktion SJ MOSTET
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Ultra-niedrige Verbindungskapazität Leistung Diskrete Geräte Super Verbindung MOSFET/SJ MOSTET

Beschreibung des Produkts:

Das Super Junction MOSFET ist ein revolutionärer Durchbruch in der Leistungshalbleitertechnologie.die eine extrem niedrige Verbindungskapazität und eine große EMI-Marge erreichen kannEs wird durch mehrschichtigen Epitaxiprozess hergestellt, wodurch es dem traditionellen Grabenprozess in Bezug auf Anti-EMI- und Anti-Surge-Fähigkeiten überlegen ist.mit einer Leistungsdichte von mehr als 20 WMit seiner hervorragenden LeistungSuper Junction MOSFET ist zur idealen Wahl für die Leistungsumwandlung und Spannungsregelung in einer Vielzahl von Verbraucher- und Industrieanwendungen geworden.

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung Beschreibung
MOSFET mit Superverbindung Transistor für Halbleiter mit Metalloxid, SJ MOSFET, Typ N
Anwendung LED-Treiber, PFC-Schaltkreis, Schaltnetzteil, UPS von kontinuierlicher Stromversorgungssystem, neue Energie Energie Ausrüstung, usw.
Gerätetypen Stromdiskrete Geräte
Kapazität Ultra-niedrige Knotenkapazität
Vorteile Es ist durch mehrschichtigen Epitaxy-Prozess hergestellt. Verglichen mit Trench-Prozess, hat es ausgezeichnete Anti-EMI und Anti-Surge Fähigkeiten
innerer Widerstand Ultraschmaler innerer Widerstand
Paket Ultra-kleines Paket
EWI-Marge Große EMI-Marge
 

Anwendungen:

REASUNOS Si Super Junction MOSFET ist ein leistungsdiskretes Gerät, das durch ein mehrschichtiges Epitaxieverfahren hergestellt wird. Es verfügt über ein ultra kleines Paket, einen großen EMI-Margin und eine ultra-niedrige Verbindungskapazität.Verglichen mit dem Gräbenverfahren, hat es ausgezeichnete Anti-EMI- und Anti-Surge-Fähigkeiten, was es zu einer beliebten Wahl für Anwendungen macht, die hohe Effizienz, geringen Stromverbrauch und niedrige EMI erfordern.Der Preis dieser Ware variiert je nach Gesamtmenge.. Es wird in staub-, wasserdichtem und antistatischem Rohrverpackung verpackt, in einer Kartonbox in Kartons gelegt. Die Lieferzeit beträgt in der Regel 2-30 Tage. Die Lieferfähigkeit beträgt 5KK / Monat.Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Super Junction MOSFET bietet technische Unterstützung und Dienstleistungen, um sicherzustellen, dass Sie das Beste aus Ihrem Produkt herausholen.Optimierung der Leistung, und das Beste aus Ihrem Produkt herausholen.

Wir bieten technische Unterstützung und Dienstleistungen über unsere Website, E-Mail und Telefon.Unser technisches Supportpersonal verfügt über langjährige Erfahrung in der Halbleiterindustrie und ist bereit, Ihnen die Informationen und Unterstützung zu geben, die Sie benötigen..

Darüber hinaus bieten wir eine Reihe von Dienstleistungen an, darunter Produkttests, Produktzertifizierung und Produkttechnik.Diese Dienstleistungen sollen sicherstellen, dass Ihr Super Junction MOSFET den höchsten Qualitätsstandards entspricht und zuverlässig und effizient ist.

Wenn Sie Fragen haben oder Hilfe benötigen, kontaktieren Sie uns jederzeit.

 

Verpackung und Versand:

Super Junction MOSFET-Produkte werden verpackt und in starken, sicheren Kisten/Wagen versandt, die mit Dämpfstoffen verstärkt werden, um sie während des Transports zu schützen.Jede Schachtel enthält das Super Junction MOSFET ProduktAlle Sendungen müssen ordnungsgemäß mit der richtigen Adresse und der richtigen Nachverfolgungsnummer für den Empfänger gekennzeichnet sein.

Die Lieferungen von Super Junction MOSFETs werden je nach Bestimmungsort über den zuverlässigsten verfügbaren Spediteur versandt.Wir bieten auch Expressversandoptionen für Kunden an, die eine schnellere Lieferung benötigen.

 

Häufige Fragen:

F: Was ist ein Super Junction MOSFET?
A: Ein Super Junction MOSFET ist eine Art Metalloxid-Halbleiterfeldwirkungstransistor (MOSFET), der zur Steuerung des Stromflusses verwendet wird.
F: Was ist der Markenname von Super Junction MOSFET?
A: Der Markenname von Super Junction MOSFET ist REASUNOS.
F: Woher stammt das Super Junction MOSFET?
A: Super Junction MOSFET stammt aus Guangdong, China.
F: Wie hoch ist der Preis für Super Junction MOSFET?
A: Der Preis von Super Junction MOSFET wird je nach Produkt bestätigt.
F: Wie ist die Verpackung von Super Junction MOSFET?
A: Super Junction MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einem Karton verpackt.
F: Wie lange dauert die Lieferzeit von Super Junction MOSFET?
A: Die Lieferzeit von Super Junction MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.
F: Wie sind die Zahlungsbedingungen von Super Junction MOSFET?
A: Die Zahlungsbedingungen von Super Junction MOSFET sind 100% T/T im Voraus (EXW).
F: Wie groß ist die Versorgungsfähigkeit von Super Junction MOSFET?
A: Die Lieferkapazität von Super Junction MOSFET beträgt 5KK/Monat.
Umbauten:

Transistor mit Metalloxid-Superverbindung

PFC-Schaltkreis-MOSFET mit Überschneidung

Stromversorgung Super Junction MOSFET