Alle Produkte
Schlüsselwörter [ high power mosfet ] Spiel 182 produits.
N-Kanal Niederspannungs-MOSFET Stabil hoher EAS für Gleichspannungs-Gleichspannungswandler
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
Praktische Niederspannungs-MOSFET Multifunktions-N-Kanal-Niederspannungs-Rds
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
|---|---|
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
Konverter Niederspannungs-MOSFET Mehrzweck für drahtlose Ladung
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
|---|---|
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
MOSFET mit hoher Effizienz für Konverter
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
|---|---|
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
Kleine RSP Niederspannungs-MOSFET-Mehrszene N-Kanal Niedrigschwelle
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
|---|---|
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
MBR2060CT MBR20100CT SBD Mosfet, Industrie Schottky Barriere-Rectifier Diode
| Vorwärtsspannung: | Niedrige VF |
|---|---|
| Leckage: | Niedriges Durchsickern |
| Anwendung: | Anzeige Bildschirm-Stromversorgung, Laptop-Stromversorgung, Schaltstromversorgung usw. |
Stabile Super Junction Fet Mehrschicht für neue Energie-Energie-Ausrüstung
| Typ: | N |
|---|---|
| Vorteile: | Es wird durch mehrschichtigen Epitaxie-Prozess gemacht. Verglichen mit Graben-Prozess, hat es ausgez |
| Innenwiderstand: | Ultra kleiner Innenwiderstand |
Niedrigspannungs-MOSFET-Grench-Prozess, hocheffizienter Motorantrieb für 5G-Basisstation
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
|---|---|
| resistance: | Low Rds(ON) |
| SGT process Application: | Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
Stabile Prozess-Integrierte Schaltkreismodul mit nationalen Militärstandard
| Antisurge-Strom: | Stärkung der Leistungsfähigkeit des Überspannungstroms |
|---|---|
| Temperaturbeständigkeit: | Hochtemperaturbeständigkeit |
| Vorteile: | Der nationale Militärstandard Chinas mit stabilem Prozess und zuverlässiger Qualität |
Metalloxid-Transistor mit Superverbindung
| Innenwiderstand: | Ultra kleiner Innenwiderstand |
|---|---|
| Vorteile: | Es wird durch mehrschichtigen Epitaxie-Prozess gemacht. Verglichen mit Graben-Prozess, hat es ausgez |
| Produktbezeichnung: | Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET |