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Schlüsselwörter [ high power mosfet ] Spiel 182 produits.
Hohe Effizienz Niedriger Stromverlust Niedrigspannung MOSFET-Grench/SGT-Prozess
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
|---|---|
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
| EAS capability: | High EAS Capability |
Hohe Effizienz Niedriger Stromverlust Niedrigspannung MOSFET-Grench/SGT-Prozess
| resistance: | Low Rds(ON) |
|---|---|
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
MOSFET mit hoher EAS-Kapazität für drahtlose Ladung
| EAS capability: | High EAS Capability |
|---|---|
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
Industrielle langlebige Niedrigspannungs-VGS-Mosfet, kleine RSP-Niedrigspannungs-Schalttransistoren
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
|---|---|
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Schalter praktischer Mosfet Niedrigstrom, Multifunktionaler Niederspannungstransistor
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
|---|---|
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Industrielles Niederspannungs-MOSFET für 5G-Basisstationen
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
Mehrzweck-Niedrigspannungs-FET, langlebige Niedrigleistung N-Kanal-Mosfet
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
|---|---|
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
Multiscene Niederspannungs-MOSFET-P-Kanal für die Energiespeicherung
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
|---|---|
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Schnellladende Niederspannungs-MOSFET N-Kanal Mehrzweck für Motorfahrer
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
HF-Schalter Niederspannungs-MOSFET praktisch für die synchrone Berichtigung
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |