Semua produk
kata kunci [ high power mosfet ] pertandingan 182 Produk.
N Channel Low Voltage MOSFET Stabil High EAS Untuk DC DC Converter
| Konsumsi daya: | Kehilangan Daya Rendah |
|---|---|
| Keuntungan proses parit: | RSP Lebih Kecil, Konfigurasi Seri Maupun Paralel Dapat Dikombinasikan Dan Dimanfaatkan Secara Bebas. |
| Nama produk: | MOSFET Tegangan Rendah |
MOSFET Tegangan Rendah Praktis Multifunctional N Channel Low Rds
| Proses struktur: | Parit/SGT |
|---|---|
| efisiensi: | Efisiensi Tinggi Dan Andal |
| Keuntungan proses SGT: | Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi. |
Konverter MOSFET Tegangan Rendah Multipurpose Untuk Pengisian Tanpa Kabel
| Proses struktur: | Parit/SGT |
|---|---|
| Aplikasi proses SGT: | Pengemudi Motor, Pemancar 5G, Penyimpanan Energi, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektifikasi Sinkron. |
| Aplikasi proses parit: | Pengisian Nirkabel, Pengisian Cepat, Driver Motor, Konverter DC/DC, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektif |
Multi Fungsi Tegangan Rendah MOSFET Efisiensi Tinggi Untuk Konverter
| Keuntungan proses SGT: | Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi. |
|---|---|
| kemampuan EAS: | Kemampuan EAS Tinggi |
| Keuntungan proses parit: | RSP Lebih Kecil, Konfigurasi Seri Maupun Paralel Dapat Dikombinasikan Dan Dimanfaatkan Secara Bebas. |
RSP kecil tegangan rendah MOSFET Multi Scene N Channel Low Threshold
| kemampuan EAS: | Kemampuan EAS Tinggi |
|---|---|
| Keuntungan proses SGT: | Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi. |
| Aplikasi proses SGT: | Pengemudi Motor, Pemancar 5G, Penyimpanan Energi, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektifikasi Sinkron. |
MBR2060CT MBR20100CT SBD Mosfet, Industrial Schottky Barrier Rectifier Diode
| Tegangan maju: | VF rendah |
|---|---|
| Kebocoran: | Kebocoran Rendah |
| Aplikasi: | Catu Daya Layar Tampilan, Catu Daya Laptop, Catu Daya Switching, dll |
Stabil Super Junction Fet Multi Layer Untuk Peralatan Daya Energi Baru
| Jenis: | N |
|---|---|
| Keuntungan: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. Itu Dibuat Dengan Proses Epitaksi Multi-layer.< |
| Ketahanan batin: | Resistensi Internal Ultra Kecil |
Low Voltage MOSFET Trench Process Driver Motor Efisiensi Tinggi untuk Stasiun Basis 5G
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
|---|---|
| resistance: | Low Rds(ON) |
| SGT process Application: | Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
Modul Sirkuit Terintegrasi Proses Stabil Dengan Standar Militer Nasional
| Arus Anti Lonjakan: | Kemampuan Srtong Anti Lonjakan Arus |
|---|---|
| Ketahanan suhu: | Ketahanan suhu tinggi |
| Keuntungan: | Standar Militer Nasional Tiongkok Dengan Proses Yang Stabil Dan Kualitas Yang Dapat Diandalkan |
Transistor Super Junction Metal Oxide Multifungsi Untuk Industri
| Ketahanan batin: | Resistensi Internal Ultra Kecil |
|---|---|
| Keuntungan: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. Itu Dibuat Dengan Proses Epitaksi Multi-layer.< |
| Nama produk: | Super Junction MOSFET/SJ MOSTET |