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Schlüsselwörter [ high power mosfet ] Spiel 182 produits.
Inverter Langlebig SiC Schottky Barrierediode, Wärmebeständigkeit Mosfet SBD
| Wärmebeständigkeit: | Widerstand der hohen Temperatur |
|---|---|
| Vorteile: | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu |
| Anwendung: | PFC-Schaltkreis, Gleichspannungs-/Wechselstromumrichter für Solar- und Windenergieerzeugung, UPS-Str |
LED-Treiber Super Junction MOSFET Überspannungsgegenstand
| Einheitentyp: | Energie-getrennte Geräte |
|---|---|
| Kapazitanz: | Ultra-niedrige Kreuzungs-Kapazitanz |
| Produktbezeichnung: | Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET |
N-Kanal-Super-Junction MOSFET Multifunktionales für die UPS-Stromversorgung
| Typ: | N |
|---|---|
| Innenwiderstand: | Ultra kleiner Innenwiderstand |
| Produktbezeichnung: | Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET |
Industrie-MOSFET-N-Kanal-Mehrschichtprozess
| Innenwiderstand: | Ultra kleiner Innenwiderstand |
|---|---|
| Anwendung: | LED-Fahrer, PFC-Stromkreis, Schaltnetzteil, UPS des Dauerleistungs-Versorgungssystems, der New Energ |
| Vorteile: | Es wird durch mehrschichtigen Epitaxie-Prozess gemacht. Verglichen mit Graben-Prozess, hat es ausgez |
N-Typ-MOSFET-Mehrzweck-Superschnitt für die Schaltvorrichtung
| Anwendung: | LED-Fahrer, PFC-Stromkreis, Schaltnetzteil, UPS des Dauerleistungs-Versorgungssystems, der New Energ |
|---|---|
| Vorteile: | Es wird durch mehrschichtigen Epitaxie-Prozess gemacht. Verglichen mit Graben-Prozess, hat es ausgez |
| EMS-Rand: | Große EMI Margin |
SGT Stabil Low Gate Threshold Spannung Mosfet für Gleichstrom-Gleichstromwandler
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
|---|---|
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
Multipurpose Niederspannungs-MOSFET hohe Effizienz für Motorfahrer
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
|---|---|
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Schnelle Aufladung Niedrige Leistung Fet Stabile multifunktionale niedrige Schwelle
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
|---|---|
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Stabiler 20V Niedrigstrom-P-Kanal Mosfet, praktischer Niederspannungs-Hochstrom-Transistor
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
|---|---|
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
Niedrigspannungs-MOSFET-Grench-Prozess, hocheffizienter Motorantrieb für 5G-Basisstation
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| EAS capability: | High EAS Capability |
| SGT process Application: | Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |