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MOSFET mit hoher Effizienz für Konverter

  • Multi Function Low Voltage MOSFET High Efficiency For Converter
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Vorteile des Grabenverfahrens Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we SGT-Prozessanwendung Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur.
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET Prozess strukturieren Graben/SGT
Effizienz Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie
Hervorheben

MOSFET mit mehreren Funktionen für Niederspannung

,

Niederspannungs-MOSFET mit hohem Wirkungsgrad

,

Konverter mit niedrigem Vth-Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Niederspannungs-MOSFET mit bahnbrechender FOM-Optimierung und zuverlässigen SGT-Prozessvorteilen

Beschreibung des Produkts:

Ein Niederspannungs-MOSFET ist eine Art Niederspannungsschwellen-MOSFET, das mit einem niedrigen VGS und einer niedrigen Torspannung ausgelegt ist.mit einer Breite von mehr als 20 mm,Außerdem hat es einen geringen Stromverlust, eine hohe Effizienz und eine zuverlässige Leistung. Es kann weitgehend in drahtlosem Aufladen, Schnellladen, Motorantrieb, DC/DC-Konverter, Hochfrequenzschalter,mit einer Leistung von mehr als 100 W und.

 

Technische Parameter:

Parameter Beschreibung
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Niedrige Schwellenspannung MOSFET mit niedriger Schwellenspannung
Niedrige Torspannung Niedrigspannung MOSFET
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
Effizienz Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
Stromverbrauch Niedriger Leistungsverlust
Strukturprozess Graben/SGT
Vorteile des Grabenprozesses Kleinere RSP können sowohl serielle als auch parallele Konfigurationen frei kombiniert und verwendet werden.
Grabenprozess Anwendung Drahtloses Laden, Schnellladen, Motorantrieb, Gleichspannung/Gleichspannungskonverter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Vorteile des SGT-Verfahrens Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendungen abdeckt.
SGT-Verfahren Anwendung Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
 

Anwendungen:

REASUNOS, ein führender Niederspannungs-MOSFET-Anbieter aus Guangdong, China, präsentiert sein neuestes SGT-Niederspannungs-MOSFET und Niederspannungs-Transistor mit dem niedrigsten Spannungs-Fet auf dem Markt.Kunden können den Preis je nach Produkt bestätigen.. Das Produkt wird mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen geliefert, die in einer Kartonbox in Kartons aufbewahrt werden.Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW), und die monatliche Versorgungsfähigkeit beträgt 5KK. Es verfügt über einen geringen Rds ((ON) -Widerstand und eine bahnbrechende FOM-Optimierung, die mehr Anwendungen abdeckt, wie z. B. Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher,HochfrequenzschalterAußerdem bietet der Grabenprozess kleinere RSP und sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und für das drahtlose Laden genutzt werden.Schnellladung, Motorantrieb, Gleichspannungskonverter, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Wir bieten technische Unterstützung und Dienstleistungen für Niederspannungs-MOSFET-Produkte an.

  • Konstruktion und Prototyping
  • Prüfung und Fehlerbehebung
  • Montage und Integration
  • Wartungs- und Reparaturdienstleistungen

Wir bieten auch eine umfassende Palette von Ressourcen und Tools, die Ihnen helfen, das Beste aus unseren Niederspannungs-MOSFET-Produkten zu machen, einschließlich:

  • Detaillierte Produktspezifikationen
  • Technische Leitfäden und Tutorials
  • Firmware- und Softwareaktualisierungen
  • FAQs und Tipps zur Fehlerbehebung

Für weitere Informationen zu unserem technischen Support und unseren Dienstleistungen für Niederspannungs-MOSFETs:Kontaktieren Sie uns.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Niederspannungs-MOSFET:

Die Niederspannungs-MOSFETs sollten in einem antistatischen Beutel verpackt werden.Sie sollten in eine Kartonbox mit einem Polstermaterial wie einer luftgefüllten Blasenfolie gelegt werden, um sicherzustellen, dass die Produkte während des Versands nicht beschädigt werden.Die Verpackung sollte mit Klebeband versiegelt und mit dem Namen und der Adresse des Produkts versehen sein.

Die Niederspannungs-MOSFETs sollten mit einem seriösen Träger versendet und verfolgt werden.Die Schifffahrtsgesellschaft sollte über den Wert der zu versendenden Waren unterrichtet werden und für den gesamten Wert der Sendung eine angemessene Versicherung abgeschlossen werden..

 

Häufige Fragen:

F1: Wie heißt dieser Niederspannungs-MOSFET?
A1: Der Markenname dieses Niederspannungs-MOSFET ist REASUNOS.
F2: Woher kommt dieses Niederspannungs-MOSFET?
A2: Dieses Niederspannungs-MOSFET stammt aus Guangdong, China.
F3: Wie hoch ist der Preis dieses Niederspannungs-MOSFET?
A3: Der Preis für dieses Niederspannungs-MOSFET ist Preis basierend auf dem Produkt bestätigen.
F4: In welcher Verpackung kommt dieses Niederspannungs-MOSFET?
A4: Dieses Niederspannungs-MOSFET ist staub-, wasser- und antistatisch verpackt und in Kartons in einem Karton verpackt.
F5: Wie lange dauert die Lieferung dieses Niederspannungs-MOSFET?
A5: Die Lieferung dieses Niederspannungs-MOSFET dauert 2-30 Tage (je nach Gesamtmenge).
Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET