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Metalloxid-Transistor mit Superverbindung

  • Metal Oxide Super Junction Transistor Multifunctional For Industry
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Innenwiderstand Ultra kleiner Innenwiderstand Vorteile Es wird durch mehrschichtigen Epitaxie-Prozess gemacht. Verglichen mit Graben-Prozess, hat es ausgez
Produktbezeichnung Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET Anwendung LED-Fahrer, PFC-Stromkreis, Schaltnetzteil, UPS des Dauerleistungs-Versorgungssystems, der New Energ
Paket Ultra Päckchen Kapazitanz Ultra-niedrige Kreuzungs-Kapazitanz
Einheitentyp Energie-getrennte Geräte Typ N
Hervorheben

Transistor mit Metalloxid-Superverbindung

,

Überschneidungstransistor Multifunktions

,

Transistoren mit Metalloxid in der Industrie
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Leistungsdiskrete Geräte Super Junction MOSFET mit ultra-niedriger Junction-Kapazität

Beschreibung des Produkts:

Super Junction MOSFETs oder SJ MOSTETs sind leistungsdiskrete Geräte mit einem ultra kleinen Paket und einem ultra kleinen internen Widerstand.Sie haben eine ultra-niedrige Verbindungskapazität und sind ideal für hohe EffizienzDie Superjunction-Diode kann auch zur Verringerung des Stromverbrauchs und zur Verbesserung der Systemleistung verwendet werden.SJ MOSTETs sind die perfekte Wahl für Anlagenentwickler, die eine höhere Leistung bei minimalen Stromverlusten wünschen.

 

Technische Parameter:

Eigenschaft Beschreibung
Anwendung LED-Treiber, PFC-Schaltkreis, Schaltnetzteil, UPS von kontinuierlicher Stromversorgungssystem, neue Energie Energie Ausrüstung, usw.
Produktbezeichnung Überschneidung MOSFET/SJ MOSTET
Typ N
EMI-Marge Große EMI-Marge
Gerätetypen Stromdiskrete Geräte
Paket Ultra-kleines Paket
Der innere Widerstand Ultraschmaler innerer Widerstand
Vorteile Es ist durch mehrschichtigen Epitaxy-Prozess hergestellt. Verglichen mit Trench-Prozess, hat es ausgezeichnete Anti-EMI und Anti-Surge Fähigkeiten
Kapazität Ultra-niedrige Knotenkapazität
 

Anwendungen:

Der Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor (Super Junction MOSFET) von REASUNOS ist aufgrund seines einzigartigen Designs zur führenden Wahl für Anwendungen geworden, die hohe Effizienz und geringe Verluste erfordern.Herkunft GuangdongDiese überlegene Diode ist mit einem mehrschichtigen Epitaxiprozess hergestellt, wodurch sie eine ausgezeichnete Anti-EMI- und Anti-Surge-Fähigkeit besitzt.Dieses Produkt weist eine extrem geringe Verbindungskapazität und einen extrem geringen inneren Widerstand auf., so dass es perfekt für Anwendungen wie LED-Treiber, PFC-Schaltung, Schaltnetzteil, UPS von kontinuierlicher Stromversorgungssystem, neue Energie-Energie-Ausrüstung, etc.Das REASUNOS Super Junction MOSFET bietet eine große EMI-Marge für bessere Leistung und ZuverlässigkeitAls solches eignet es sich für viele Anwendungen mit hoher Leistung.

Bei der Verpackung stellt REASUNOS staub-, wasserdichte und antistatische Rohrverpackungen zur Verfügung, die in Kartons in Kartons aufbewahrt werden, um den Schutz des Produkts zu gewährleisten.Dieses Super Junction MOSFET ist auch sehr erschwinglichReasonos bietet auch eine Lieferkapazität von 5KK/Monat, wobei die Lieferzeit je nach Gesamtmenge zwischen 2 und 30 Tagen beträgt.Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

MOSFET-Produkte mit Super Junction werden durch eine Vielzahl von technischen Dienstleistungen und Supportoptionen unterstützt, darunter:

  • Technische Unterstützung bei der Produktauswahl, Anwendungskonzeption und Fehlerbehebung
  • Umfassende Produktdokumentation und -literatur
  • Online-Produkt-Simulation und -Design-Tools
  • Dienstleistungen zur Unterstützung der Konstruktion, einschließlich Musterkits und Bewertungsstellen
  • Informationen über Produktqualität und Zuverlässigkeit
 

Verpackung und Versand:

Super Junction MOSFET wird für den Versand in einem versiegelten und schützenden Behälter verpackt.Der Behälter sollte immer vorsichtig geöffnet werden, um mögliche Beschädigungen des MOSFET zu vermeiden..

Der Behälter sollte auch fern von jeglichen Wärmequellen gehalten werden, und das MOSFET darf nicht Temperaturen über 150°C ausgesetzt werden.Das MOSFET sollte von jedem ätzenden oder brennbaren Material ferngehalten werden..

 

Häufige Fragen:

F: Was ist ein Super Junction MOSFET?A: Ein Super Junction MOSFET ist eine Art MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor) mit einer fortschrittlichen Struktur, die seine Leistung in Strommanagementanwendungen verbessert.
F: Was ist der Markenname von Super Junction MOSFET?A: Der Markenname von Super Junction MOSFET ist REASUNOS.
F: Woher kommt das Super Junction MOSFET?A: Super Junction MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.
F: Wie viel kostet ein Super Junction MOSFET?A: Der Preis von Super Junction MOSFET hängt vom Produkt ab, bitte bestätigen Sie den Preis beim Verkäufer.
F: Wie wird Super Junction MOSFET verpackt und geliefert?A: Super Junction MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einem Karton verpackt.Lieferzeit beträgt 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) und die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW)Wir haben eine Lieferkapazität von 5K/Monat.
Umbauten:

Transistor mit Metalloxid-Superverbindung

PFC-Schaltkreis-MOSFET mit Überschneidung

Stromversorgung Super Junction MOSFET