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Schlüsselwörter [ high power mosfet ] Spiel 182 produits.
1μA Wechselrichter Hochspannungs-MOS, Industrieller Hochspannungs-Bipolartransistor
| Vorteile: | Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig |
|---|---|
| Hochspg Mosfet-Anwendung: | LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw. |
| Nennspannung: | Hochspannungs-/Ultrahochspannung |
Langlebiger Transistor mit sehr hoher Spannung
| Vorteile: | Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig |
|---|---|
| Hochspg Mosfet-Anwendung: | LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw. |
| Produktbezeichnung: | Hochspannungs-MOSFET |
Inverter Hochspannung Fet, Stromversorgung N-Kanal Mosfet Transistor
| Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg: | Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen |
|---|---|
| Typ: | N |
| Wärmeableitung: | Große Wärmeableitung |
Anwendung von Ultra-HV-MOSFET-Smartmetern mit geringer Leckage 1 μ A für die industrielle Automatisierung
| Technologie: | MOSFET |
|---|---|
| Leckage: | Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen |
| Nennspannung: | Hochspannungs-/Ultrahochspannung |
Ultra-HV-MOSFET für intelligente Zähler-Inverter mit hoher Wärmeverteilung
| Produktbezeichnung: | Hochspannungs-MOSFET |
|---|---|
| Typ: | N |
| Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung: | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. |
Revolutionäre Hochfrequenz-Halbleiterkomponente für erneuerbare Energiesysteme
| Temperaturbeständigkeit: | Hochtemperaturbeständigkeit |
|---|---|
| Sperrverzögerungsstrom: | Extrem geringer Rückwärtsstrom |
| Effizienz: | Hohe Effizienz |
Multipurpose SBD Mosfet, langlebiger Oberflächen-Mount Schottky Barrier Rectifier
| Eigenschaften: | Extrem geringer Rückwärtsstrom, starke Überspannungsschutzleistung |
|---|---|
| Häufigkeit: | Hochfrequenz |
| Material: | Siliziumkarbid |
Heatproof Silicon Carbide SBD Mosfet Multiscene für Fahrer
| Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
|---|---|
| Material: | Siliziumkarbid |
| Macht: | Hohe Leistung |
600 V Langlebiger Super Junction MOSFET Mehrzweck kleiner innerer Widerstand
| Einheitentyp: | Energie-getrennte Geräte |
|---|---|
| Typ: | N |
| Produktbezeichnung: | Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET |
Langlebiger Industrieller Super Junction Mos, Multifunktions Mosfet Discrete
| Produktbezeichnung: | Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Anwendung: | LED-Fahrer, PFC-Stromkreis, Schaltnetzteil, UPS des Dauerleistungs-Versorgungssystems, der New Energ |
| Vorteile: | Es wird durch mehrschichtigen Epitaxie-Prozess gemacht. Verglichen mit Graben-Prozess, hat es ausgez |