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Schlüsselwörter [ converter high power mosfet ] Spiel 106 produits.
N-Kanal Siliziumkarbid MOSFET Mehrzweck für Motorfahrer
| Typ: | N |
|---|---|
| Häufigkeit: | Hochfrequenz |
| Widerstand: | Geringer Widerstand |
Haltbares Siliziumkarbid MOSFET Wärmeabbau für den Automobilbereich
| Material: | Siliziumkarbid |
|---|---|
| Anwendung: | Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, |
| Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
Industrielle Transistoren aus Siliziumkarbid
| Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
|---|---|
| Einheitentyp: | MOSFET |
| Produktbezeichnung: | Siliziumkarbid-MOSFET |
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Industrielle Transistoren mit 1200 V Sic-Leistung, stabiler Hochspannung, N-Kanal Mosfet
| Vorteile: | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu |
|---|---|
| Anwendung: | Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, |
| Macht: | Hohe Leistung |
Schnelle Aufladung Niedrige Leistung Fet Stabile multifunktionale niedrige Schwelle
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
|---|---|
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Energiespeicherung Niederspannungs-MOSFET praktische N-Kanal-Hoch-EAS-Fähigkeit
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
|---|---|
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
Stabiler 20V Niedrigstrom-P-Kanal Mosfet, praktischer Niederspannungs-Hochstrom-Transistor
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
|---|---|
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
Solar-Inverter Siliziumkarbid MOSFET N-Kanal für Industrie
| Einheitentyp: | MOSFET |
|---|---|
| Häufigkeit: | Hochfrequenz |
| Widerstand: | Geringer Widerstand |
Industrielle langlebige Niedrigspannungs-VGS-Mosfet, kleine RSP-Niedrigspannungs-Schalttransistoren
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
|---|---|
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Praktische Niederspannungs-MOSFET Multifunktions-N-Kanal-Niederspannungs-Rds
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
|---|---|
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |