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Schlüsselwörter [ converter high power mosfet ] Spiel 116 produits.
MOSFET mit hoher EAS-Kapazität für drahtlose Ladung
| EAS capability: | High EAS Capability |
|---|---|
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
Niedrigspannungs-MOSFET-Grench-Prozess, hocheffizienter Motorantrieb für 5G-Basisstation
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| EAS capability: | High EAS Capability |
| SGT process Application: | Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
Industrielle SiC-Carbid-Mosfet-Schaltfrequenz Dauerhafte Hitzefestigkeit
| Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
|---|---|
| Material: | Siliziumkarbid |
| Einheitentyp: | MOSFET |
Praktische Siliziumkarbid-MOSFET Stabile Hochfrequenz-Militärstandard
| Material: | Siliziumkarbid |
|---|---|
| Häufigkeit: | Hochfrequenz |
| Einheitentyp: | MOSFET |
MOSFET-Multiscene mit stabiler Ultra-Niedrigspannung für schnelles Laden
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
|---|---|
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
Motorfahrer Niederspannung Fet stabil für Hochfrequenzschalter
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
|---|---|
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
Langlebige SGT Niederspannungs-MOSFET-Multifunktion mit kleinerer RSP
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
|---|---|
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Industrielles Niederspannungs-MOSFET für 5G-Basisstationen
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
Energiespeicherung Niederspannungs-MOSFET praktische N-Kanal-Hoch-EAS-Fähigkeit
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
|---|---|
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
Revolutionäre Hochfrequenz-Halbleiterkomponente für erneuerbare Energiesysteme
| Temperaturbeständigkeit: | Hochtemperaturbeständigkeit |
|---|---|
| Sperrverzögerungsstrom: | Extrem geringer Rückwärtsstrom |
| Effizienz: | Hohe Effizienz |