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Schlüsselwörter [ converter high power mosfet ] Spiel 116 produits.
Multiscene 20V Mosfet Niedrigspannung, 5G Basisstation Niedrigleistungstransistor
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
|---|---|
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
Mehrzweck-Niedrigspannungs-FET, langlebige Niedrigleistung N-Kanal-Mosfet
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
|---|---|
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
SGT Niedrigspannungs-MOSFET 30V 40V
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
|---|---|
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Multiscene Siliziumkarbid MOSFET Multi-Funktion für UPS-Stromversorgung
| Typ: | N |
|---|---|
| Häufigkeit: | Hochfrequenz |
| Macht: | Hohe Leistung |
Praktische N-Typ Automotive Sic Mosfet, UPS Stromversorgung Sic Transistor
| Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
|---|---|
| Anwendung: | Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil, |
| Produktbezeichnung: | Siliziumkarbid-MOSFET |
Automotive Siliziumkarbid MOSFET Mehrzweck für die Luft- und Raumfahrt
| Macht: | Hohe Leistung |
|---|---|
| Vorteile: | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu |
| Einheitentyp: | MOSFET |
Multipurpose Niederspannungs-MOSFET hohe Effizienz für Motorfahrer
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
|---|---|
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Schalter praktischer Mosfet Niedrigstrom, Multifunktionaler Niederspannungstransistor
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
|---|---|
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Motorfahrer Niedrigspannung Mosfet, Multiscene Niedrig Vgs N Kanal Mosfet
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
|---|---|
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
P-Kanal Niederspannungs-MOSFET
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
|---|---|
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |