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Palabras clave [ converter high power mosfet ] partido 116 productos.
MOSFET de baja tensión de alta capacidad EAS para carga inalámbrica
| EAS capability: | High EAS Capability |
|---|---|
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
Proceso de trinchera de MOSFET de baja tensión controlador de motor de alta eficiencia para estación base 5G
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| EAS capability: | High EAS Capability |
| SGT process Application: | Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
Mosfet de carburo de SiC industrial con frecuencia de conmutación resistente al calor
| eficiencia: | Eficacia alta |
|---|---|
| El material: | Carburo de silicio |
| Tipo de dispositivo: | MOSFET |
MOSFET de carburo de silicio práctico de alta frecuencia estable estándar militar
| El material: | Carburo de silicio |
|---|---|
| Frecuencia: | De alta frecuencia |
| Tipo de dispositivo: | MOSFET |
MOSFET multiscene de ultrabaja tensión estable para carga rápida
| Ventajas de proceso de SGT: | Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. |
|---|---|
| Aplicación del proceso de zanja: | Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue |
| Consumo de energía: | Pérdida de la energía baja |
Conducción del motor baja tensión Fet estable para el interruptor de alta frecuencia
| eficiencia: | Alta eficiencia y confiable |
|---|---|
| Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |
| Resistencia: | RDS bajo (ENCENDIDO) |
Función múltiple de MOSFET de baja tensión SGT duradera con RSP más pequeño
| Uso de proceso de SGT: | Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re |
|---|---|
| Resistencia: | RDS bajo (ENCENDIDO) |
| Aplicación del proceso de zanja: | Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue |
MOSFET de baja tensión industrial multifuncional para estación base 5G
| Consumo de energía: | Pérdida de la energía baja |
|---|---|
| Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |
| Resistencia: | RDS bajo (ENCENDIDO) |
Almacenamiento de energía MOSFET de baja tensión Práctico de N canales Alta capacidad EAS
| Capacidad EAS: | Alta capacidad EAS |
|---|---|
| Ventajas del proceso de zanja: | RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. |
| Proceso de estructura: | Trinchera/SGT |
Componente de semiconductores de alta frecuencia revolucionario para sistemas de energía renovable
| Resistencia a la temperatura: | Resistencia a altas temperaturas |
|---|---|
| Corriente de recuperación reversa: | Corriente de recuperación inversa extremadamente baja |
| Eficiencia: | Alta eficiencia |