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parole chiave [ converter high power mosfet ] incontro 116 prodotti.
MOSFET a bassa tensione ad alta capacità EAS per la ricarica wireless
| EAS capability: | High EAS Capability |
|---|---|
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
Low Voltage MOSFET Trench Process High Efficiency Motor Driver per la stazione base 5G
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| EAS capability: | High EAS Capability |
| SGT process Application: | Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
Industrial SiC Carbide Mosfet Frequenza di commutazione termicamente resistente
| efficienza: | Alta efficienza |
|---|---|
| Materiale: | Carburo di silicio |
| Tipo di dispositivo: | MOSFET |
MOSFET di carburo di silicio pratico stabile ad alta frequenza
| Materiale: | Carburo di silicio |
|---|---|
| Frequenza: | Ad alta frequenza |
| Tipo di dispositivo: | MOSFET |
Multiscene MOSFET ad ultra bassa tensione stabile per la ricarica rapida
| Vantaggi trattati di SGT: | Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. |
|---|---|
| Applicazione del processo di trincea: | Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz |
| Consumo di energia: | Perdita di potere basso |
Motor Driver Low Voltage Fet Stabile per interruttore ad alta frequenza
| efficienza: | Alta efficienza e affidabilità |
|---|---|
| Funzionalità EAS: | Elevata capacità EAS |
| Resistenza: | RDS basso (SOPRA) |
Funzione multi MOSFET a bassa tensione SGT resistente con RSP più piccolo
| Applicazione trattata di SGT: | Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r |
|---|---|
| Resistenza: | RDS basso (SOPRA) |
| Applicazione del processo di trincea: | Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz |
MOSFET a bassa tensione industriale multifunzionale per stazioni base 5G
| Consumo di energia: | Perdita di potere basso |
|---|---|
| Funzionalità EAS: | Elevata capacità EAS |
| Resistenza: | RDS basso (SOPRA) |
Immagazzinamento dell'energia MOSFET a bassa tensione pratico canale N Alta capacità EAS
| Funzionalità EAS: | Elevata capacità EAS |
|---|---|
| Vantaggi del processo di trincea: | RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili |
| Processo di struttura: | Trincea/SGT |
Componente di semiconduttori ad alta frequenza rivoluzionario per sistemi di energia rinnovabile
| Resistenza alle temperature: | Resistenza alle alte temperature |
|---|---|
| Corrente di recupero inverso: | Corrente di recupero inverso estremamente bassa |
| Efficienza: | Alta efficienza |