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mots clés [ converter high power mosfet ] rencontre 116 produits.
MOSFET basse tension à haute capacité EAS pour la charge sans fil
| EAS capability: | High EAS Capability |
|---|---|
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
Moteur de conduite à haute efficacité pour la station de base 5G
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| EAS capability: | High EAS Capability |
| SGT process Application: | Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
Mousfet de carbure SiC industriel à commutation de fréquence résistant à la chaleur durable
| l'efficacité: | Rendement élevé |
|---|---|
| Matériel: | Carbure de silicium |
| Type de dispositif: | Transistor MOSFET |
MOSFET à carbure de silicium stable à haute fréquence
| Matériel: | Carbure de silicium |
|---|---|
| Fréquence: | À haute fréquence |
| Type de dispositif: | Transistor MOSFET |
MOSFET multi-scène à ultra-faible tension stable pour une charge rapide
| Avantages de processus de SGT: | Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. |
|---|---|
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
| Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
Conducteur moteur basse tension Fet stable pour le commutateur haute fréquence
| l'efficacité: | Haute efficacité et fiabilité |
|---|---|
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
Fonction multi MOSFET SGT à basse tension durable avec RSP plus petit
| Application de processus de SGT: | Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r |
|---|---|
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
MOSFET industriel à basse tension multifonctionnel pour la station de base 5G
| Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
|---|---|
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
Stockage de l'énergie MOSFET basse tension pratique N-canal Haute capacité EAS
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
|---|---|
| Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
| Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
Composant de semi-conducteurs à haute fréquence révolutionnaire pour les systèmes d'énergie renouvelable
| Résistance à la température: | Résistance aux températures élevées |
|---|---|
| Courant de récupération d'inversion: | Courant de récupération inverse extrêmement faible |
| Efficacité: | Haute efficacité |