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एन चैनल सिलिकॉन कार्बाइड मोस्फेट मोटर चालक के लिए बहुउद्देश्यीय
| प्रकार: | एन |
|---|---|
| आवृत्ति: | उच्च आवृत्ति |
| प्रतिरोध: | प्रतिरोध पर कम |
ऑटोमोटिव के लिए टिकाऊ सिलिकॉन कार्बाइड MOSFET हीट डिसिपेशन
| सामग्री: | सिलिकन कार्बाइड |
|---|---|
| आवेदन: | सोलर इन्वर्टर, हाई-वोल्टेज डीसी/डीसी कनवर्टर, मोटर ड्राइवर, यूपीएस बिजली आपूर्ति, स्विचिंग बिजली आपू |
| दक्षता: | उच्च दक्षता |
औद्योगिक सिलिकॉन कार्बाइड पावर ट्रांजिस्टर
| दक्षता: | उच्च दक्षता |
|---|---|
| उपकरण का प्रकार: | MOSFET |
| उत्पाद का नाम: | सिलिकॉन कार्बाइड MOSFET |
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औद्योगिक 1200 वी सीआईसी पावर ट्रांजिस्टर, स्थिर उच्च वोल्टेज एन चैनल मोस्फेट
| लाभ: | राष्ट्रीय सैन्य मानक उत्पादन लाइन के आधार पर, प्रक्रिया स्थिर है और गुणवत्ता विश्वसनीय है |
|---|---|
| आवेदन: | सोलर इन्वर्टर, हाई-वोल्टेज डीसी/डीसी कनवर्टर, मोटर ड्राइवर, यूपीएस बिजली आपूर्ति, स्विचिंग बिजली आपू |
| शक्ति: | उच्च शक्ति |
तेज़ चार्जिंग कम शक्ति Fet स्थिर बहुक्रियाशील कम सीमा
| दक्षता: | उच्च दक्षता और विश्वसनीय |
|---|---|
| उत्पाद का नाम: | कम वोल्टेज MOSFET |
| ईएएस क्षमता: | उच्च ईएएस क्षमता |
ऊर्जा भंडारण कम वोल्टेज एमओएसएफईटी व्यावहारिक एन चैनल उच्च ईएएस क्षमता
| ईएएस क्षमता: | उच्च ईएएस क्षमता |
|---|---|
| ट्रेंच प्रक्रिया के लाभ: | छोटे आरएसपी, श्रृंखला और समानांतर दोनों विन्यासों को स्वतंत्र रूप से संयोजित और उपयोग किया जा सकता ह |
| संरचना प्रक्रिया: | ट्रेंच/एसजीटी |
स्थिर 20V कम शक्ति पी चैनल मोस्फेट, व्यावहारिक कम वोल्टेज उच्च वर्तमान ट्रांजिस्टर
| दक्षता: | उच्च दक्षता और विश्वसनीय |
|---|---|
| बिजली की खपत: | कम बिजली हानि |
| एसजीटी प्रक्रिया आवेदन: | मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन। |
सौर इन्वर्टर सिलिकॉन कार्बाइड एमओएसएफईटी एन चैनल औद्योगिक के लिए
| उपकरण का प्रकार: | MOSFET |
|---|---|
| आवृत्ति: | उच्च आवृत्ति |
| प्रतिरोध: | प्रतिरोध पर कम |
औद्योगिक टिकाऊ कम वीजीएस मोस्फेट, छोटे आरएसपी कम वोल्टेज स्विचिंग ट्रांजिस्टर
| एसजीटी प्रक्रिया के लाभ: | निर्णायक एफओएम अनुकूलन, अधिक एप्लिकेशन को कवर करता है। |
|---|---|
| बिजली की खपत: | कम बिजली हानि |
| ट्रेंच प्रक्रिया आवेदन: | वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस |
व्यावहारिक कम वोल्टेज MOSFET बहुक्रियाशील एन चैनल कम आरडी
| संरचना प्रक्रिया: | ट्रेंच/एसजीटी |
|---|---|
| दक्षता: | उच्च दक्षता और विश्वसनीय |
| एसजीटी प्रक्रिया के लाभ: | निर्णायक एफओएम अनुकूलन, अधिक एप्लिकेशन को कवर करता है। |