ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
คำหลัก [ converter high power mosfet ] การจับคู่ 96 ผลิตภัณฑ์.
HF Switch MOSFET ความดันต่ํา ปราคติสําหรับการปรับปรุงแบบสมอง
| การใช้พลังงาน: | การสูญเสียพลังงานต่ำ |
|---|---|
| กระบวนการโครงสร้าง: | ร่องลึก/SGT |
| ประสิทธิภาพ: | ประสิทธิภาพสูงและเชื่อถือได้ |
อินเวอร์เตอร์ ทนทาน SiC Schottky ปกป้องไดโอเดส, ความทนความร้อน Mosfet SBD
| ทนความร้อน: | ทนต่ออุณหภูมิสูง |
|---|---|
| ข้อดี: | ขึ้นอยู่กับสายการผลิตมาตรฐานการทหารแห่งชาติ กระบวนการมีเสถียรภาพและคุณภาพเชื่อถือได้ |
| การใช้งาน: | วงจร PFC, อินเวอร์เตอร์ DC/AC สำหรับการผลิตพลังงานแสงอาทิตย์และพลังงานลม, แหล่งจ่ายไฟของ UPS, ตัวขับ |
LED Driver Super Junction MOSFET แอนติซอร์จ แอนติอีเอ็มไอ
| ประเภทอุปกรณ์: | อุปกรณ์จ่ายไฟแบบแยกส่วน |
|---|---|
| ความจุ: | ความจุทางแยกต่ำเป็นพิเศษ |
| ชื่อสินค้า: | ซุปเปอร์จังค์ชัน MOSFET/SJ MOSTET |
กระบวนการ MOSFET กระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการ
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
|---|---|
| resistance: | Low Rds(ON) |
| SGT process Application: | Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
ปราคติก Super Junction Fet N ประเภทหลายฟังก์ชันสําหรับเครื่องแปลง
| ชื่อสินค้า: | ซุปเปอร์จังค์ชัน MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| การใช้งาน: | ไดร์เวอร์ LED, วงจร PFC, แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง, UPS ของระบบจ่ายไฟต่อเนื่อง, อุปกรณ์พลังงานพลังงานให |
| ความต้านทานภายใน: | ความต้านทานภายในขนาดเล็กเป็นพิเศษ |
โมดูลวงจรบูรณาการกระบวนการที่มั่นคง ด้วยมาตรฐานทหารแห่งชาติ
| ป้องกันกระแสไฟกระชาก: | ความสามารถในการป้องกันไฟกระชากในปัจจุบัน |
|---|---|
| ทนต่ออุณหภูมิ: | ทนต่ออุณหภูมิสูง |
| ข้อดี: | มาตรฐานการทหารแห่งชาติของจีนด้วยกระบวนการที่มีเสถียรภาพและคุณภาพที่เชื่อถือได้ |