Praktische N-Typ Automotive Sic Mosfet, UPS Stromversorgung Sic Transistor

Beschreibung des Produkts:

MOSFETs aus Siliziumkarbid, auch als Metalloxid-Halbleiterfeldwirkungstransistoren (MOSFETs) bezeichnet,sind fortschrittliche Halbleitergeräte, die in einer Vielzahl von Anwendungen eine überlegene Leistungsfähigkeit und Energieeffizienz bieten könnenDiese Metalloxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistoren sind aus Siliziumkarbid (SiC) hergestellt und bieten einen geringen Widerstand und eine hohe Leistungsfähigkeit.

Dieses Siliziumkarbid-MOSFET wird auf einer nationalen militärischen Standard-Produktionslinie hergestellt, um sicherzustellen, dass der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig ist.Einschließlich geringer WiderstandsfähigkeitDieses Produkt wurde entwickelt, um eine zuverlässige und stabile Leistung in der Leistungselektronik, Automobilindustrie, Industrie,und andere Anwendungen.

Durch seinen geringen Widerstand und seine hohe Leistungsfähigkeit ist das Siliziumkarbid-MOSFET eine ideale Lösung für Leistungselektronik, Automobilindustrie, Industrie und andere Anwendungen.,auf der nationalen militärischen Standard-Produktionslinie basiert, stellt Prozessstabilität und Qualitätssicherheit sicher.

Technische Parameter:

Anwendungen:

Produktbezeichnung:MOSFET aus Siliziumkarbid

Markenbezeichnung:Gründe

Herkunftsort:Guangdong, KN

Material:Siliziumkarbid

Typ des Geräts:MOSFET

Leistung:Hohe Macht

Widerstand:Niedriger Widerstand

Mindestbestellmenge:600

Preis:Preis nach Produkt bestätigen

Verpackungsdaten:Staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Kartons in einer Kartonbox.

Lieferzeit:2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)

Zahlungsbedingungen:100% T/T im Voraus (EXW)

Versorgungsfähigkeit:5KK/Monat

REASUNOS Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (SiC MOSFET) ist ein leistungsstarker, geringer Widerstand MOSFET mit überlegener Leistung und Zuverlässigkeit.Es ist für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen ausgelegt, wie Motorsteuerung, Energieumwandlung, erneuerbare Energien und Automobilindustrie.

REASUNOS SiC MOSFETs sind dank ihrer überlegenen thermischen Leistung und ihrer geringen Torkapazität in der Lage, Hochstrom- und Hochtemperaturoperationen zu bewältigen.Sie weisen auch eine geringe Torladung und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit aufDarüber hinaus eignen sie sich aufgrund ihres geringen Betriebswiderstands und ihrer überlegenen Robustheit für anspruchsvolle Anwendungen zur Leistungsumwandlung.

REASUNOS Silicon Carbide MOSFETs werden mit fortschrittlichen Techniken und hochwertigen Materialien hergestellt, die eine zuverlässige Leistung und langfristige Zuverlässigkeit gewährleisten.Sie sind in verschiedenen Verpackungen und Größen erhältlich, mit einem breiten Leistungsspektrum, was sie für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet macht.

Unterstützung und Dienstleistungen:

Wir verpflichten uns, Ihnen die hochwertigsten Produkte und Dienstleistungen für Silicon Carbide MOSFET zu bieten.Unser erfahrenes technisches Support-Team ist hier, um Ihnen die Hilfe und Beratung zu geben, die Sie benötigen, um das Beste aus Ihren Silicon Carbide MOSFETs herauszuholen.

Wir bieten umfassende technische Unterstützung und Dienstleistungen für alle unsere Produkte, einschließlich:

• Installations- und Einrichtungshilfe
• Fehlerbehebung von Hardware und Software
• Fehlerbehebung und Reparatur
• Technische Dokumentation und Benutzerhandbücher
• Produkt-Upgrades und -Updates
• Ausbildung und technische Beratung

Darüber hinaus bieten wir laufende Support- und Wartungsdienste an, wie z. B.:

• Laufende Produktentwicklung und -prüfung
• Optimierung und Anpassung von Produkten
• Software- und Firmware-Updates
• Überwachung und Optimierung der Leistung
• 24/7 Kundenservice und technischer Support

Wenn Sie Fragen haben oder Hilfe bei einem unserer Produkte benötigen, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

Verpackung und Versand:

Silicon Carbide MOSFETs sind empfindlich gegen ESD und können während des Versands beschädigt werden, wenn sie nicht richtig verpackt sind.

MOSFETs aus Siliziumkarbid sollten einzeln in antistatisches, elektrostatisch abschirmendes Material verpackt werden.Dieses Material muss in der Lage sein, jede während des Transports ansammelnde statische Ladung zu zerstreuen.Die Verpackung sollte außerdem mit einem störungssicheren Siegel versiegelt werden, um sicherzustellen, dass das Produkt nicht geöffnet oder manipuliert wurde.

Silicon-Carbide-MOSFETs sollten über einen zuverlässigen Spediteur versandt werden, der eine Nachverfolgungs- und Lieferbestätigung anbietet.Die Verpackung sollte mit einem Aufkleber "Fragile" gekennzeichnet sein, der darauf hinweist, dass beim Umgang mit der Verpackung besondere Vorsicht geboten wird.Zusätzlich sollte eine antistatische Verpackungshülle verwendet werden, um eine elektrostatische Entladung zu verhindern.

Häufige Fragen: