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Multiscene Siliziumkarbid MOSFET Multi-Funktion für UPS-Stromversorgung

  • Multiscene Silicon Carbide MOSFET Multi Function For UPS Power Supply
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Min Bestellmenge 600
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, in Kartons in einer Kartonbox.
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Typ N Häufigkeit Hochfrequenz
Macht Hohe Leistung Material Siliziumkarbid
Produktbezeichnung Siliziumkarbid-MOSFET Einheitentyp MOSFET
Widerstand Geringer Widerstand Effizienz Hohe Leistungsfähigkeit
Hervorheben

MOSFET aus Siliziumkarbid mit mehreren Szenen

,

MOSFET mit mehreren Funktionen aus Siliziumkarbid

,

Stromversorgung Si Carbide Mosfet
Sie können die gewünschten Produkte ankreuzen und im Message Board mit uns kommunizieren.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
7 RSM120025Z N 90 1200 25 34 TO247-4 600
8 RSM120040W N 68 1200 40 55 TO247-3 600
9 RSM120040Z N 68 1200 40 55 TO247-4 600
10 RSM120075W N 33 1200 75 95 TO247-3 600
11 RSM120075Z N 33 1200 75 95 TO247-4 600
12 RSM120080W N 36 1200 80 98 TO247-3 600
13 RSM120080Z N 36 1200 80 98 TO247-4 600
14 RSM120160W N 18 1200 160 196 TO247-3 600
15 RSM120160Z N 18 1200 160 196 TO247-4 600
16 RSM1701K0W N 5 1700 1000 1300 TO247-3 600
17 RSM1701K0Z N 5 1700 1000 1300 TO247-4 600
18 RSM170045W N 72 1700 45 70 TO247-3 600
19 RSM170045Z N 72 1700 45 70 TO247-4 600
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Silikonkarbid Low On Resistance Field Effect Transistor für die UPS-Stromversorgung

Beschreibung des Produkts:

Silicon Carbide (SiC) MOSFET ist ein hochfrequenter, hocheffizienter Metalloxid Halbleiterfeldwirkungstransistor (MOSFET) auf Basis von Silicon Carbide-Material.Dieses MOSFET hat einen breiten Betriebstemperaturbereich, geringer Widerstand, hoher Frequenzbetrieb, geringe Torladung und schnelle Schaltgeschwindigkeit, so dass es ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik geeignet ist.Das Siliziumkarbid-MOSFET ist so konzipiert, dass es in Bezug auf die Effizienz eine überlegene Leistung bietet, Frequenz- und Leistungsmanagementfähigkeit. Es ist in der Lage, hohe Leistungsniveaus zu bewältigen, hohen Temperaturen standzuhalten und sehr geringe Leistungsverluste zu liefern.Das MOSFET kann auch bei hohen Frequenzen arbeiten, und erzielt eine hohe Effizienz in einer Vielzahl von Anwendungen, was es zu einer idealen Wahl für Leistungselektronik-Anwendungen macht.

Das Siliziumkarbid-MOSFET bietet eine einzigartige Kombination aus niedrigem Widerstand und hoher Frequenz.,Der Hochfrequenzbetrieb des MOSFET bietet eine überlegene Leistung in Bezug auf Energieeffizienz und Zuverlässigkeit.und der geringe Widerstand macht es zu einer idealen Wahl für HochleistungsanwendungenDie geringe Torladung und die schnelle Schaltgeschwindigkeit machen es zu einer idealen Wahl für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen.

 

Technische Parameter:

Parameter Einzelheiten
Material Siliziumkarbid
Typ N
Macht Hohe Macht
Vorteile Auf der Basis der nationalen Militärstandard-Produktionslinie ist der Prozess stabil und die Qualität zuverlässig.
Widerstand Niedriger Widerstand
Häufigkeit Hochfrequenz
Effizienz Hohe Effizienz
Produktbezeichnung MOSFET aus Siliziumkarbid
Gerätetypen MOSFET
Anwendung Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs-/Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS-Stromversorgung, Schaltstromversorgung, Ladestelle usw.
Schlüsselwörter Transistor mit Feldwirkung aus Siliziumkarbid, Transistor mit Feldwirkung aus Metalloxid und Halbleiter, Transistor mit Feldwirkung aus Siliziumkarbid und Halbleiter
 

Anwendungen:

REASUNOS Silikoncarbid-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistoren (SiC-MOSFETs) sind die perfekte Wahl für Hochstrom-, Hochspannungs- und Hochtemperaturanwendungen.Die haben wenig Widerstand., bieten SiC-MOSFETs mit hohem Wirkungsgrad eine hervorragende thermische Leistung und eine hervorragende Zuverlässigkeit.UPS-Stromversorgungen, Stromversorgungen und Ladestellen.

REASUNOS bietet eine große Auswahl an SiC-MOSFET-Produkten in verschiedenen Typen und Größen an.und antistatische RohrverpackungenDer Preis des Produkts hängt von der Gesamtmenge ab und die Lieferzeit beträgt in der Regel 2-30 Tage, je nach Bestellung.Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW)Wir haben eine Lieferkapazität von 5K pro Monat.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

MOSFET-Produkte aus Siliziumkarbid werden durch eine Vielzahl von technischen Diensten und Supportdiensten unterstützt.

Zu den technischen Dienstleistungen und Unterstützung für Silicon Carbide MOSFET-Produkte gehören:

  • Technische Unterstützung Unsere Experten sind bereit, Ihnen Beratung und Unterstützung zu geben und Ihnen dabei zu helfen, die Technologie optimal zu nutzen.
  • Produktprüfung Unsere Ingenieure sind in der Prüfung und Validierung von Silicon-Carbide-MOSFET-Produkten erfahren.
  • Software-Unterstützung: Unser Team kann Ihnen bei der Entwicklung von Software helfen, um Ihr Silicon Carbide MOSFET Produkt optimal zu nutzen.
  • Gewährleistungsunterstützung ️ Unsere Techniker sind bereit, Ihnen bei allen Garantieproblemen Ihres MOSFET-Produkts aus Siliziumkarbid behilflich zu sein.
  • Wartung und Reparatur Unsere Techniker sind bereit, Ihnen bei der Wartung und Reparatur Ihres Silicon Carbide MOSFET Produkts zu helfen.
 

Verpackung und Versand:

Bei der Verpackung und dem Versand von Siliziumkarbid-MOSFET sind folgende Schritte erforderlich:

  • Verpackung des Arzneimittels in einem geeigneten Behälter.
  • Auf der Verpackung ist der Produktname, die Bestellnummer und alle speziellen Anweisungen anzugeben.
  • Überprüfung des Produkts, um sicherzustellen, dass vor dem Versand keine sichtbaren Mängel vorliegen.
  • Verwendung einer geeigneten Versandmethode, um sicherzustellen, dass das Produkt sicher und rechtzeitig geliefert wird.
 

Häufige Fragen:

F1: Wie lautet der Markenname des Siliziumkarbid-MOSFET?
A1: Der Markenname des Siliziumkarbid-MOSFET ist REASUNOS.
F2: Wo ist der Ursprungsort des Siliziumkarbid-MOSFET?
A2: Der Ursprungsort des Siliziumkarbid-MOSFET ist Guangdong, China.
F3: Wie hoch ist die Mindestbestellmenge für Silicon Carbide MOSFET?
A3: Die Mindestbestellmenge für Siliconcarbide MOSFET beträgt 600.
F4: Wie wird das Siliziumkarbid-MOSFET verpackt?
A4: Das Siliziumkarbid-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.
F5: Wie ist die Lieferzeit für Silicon Carbide MOSFET?
A5: Die Lieferzeit für Silicon Carbide MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.
Umbauten:

Praktische Fahrzeugtechnik Sic Mosfet

N Typ Sic Power Mosfet

MOSFET aus Siliziumkarbid für die Automobilindustrie