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Transistor de comutação de baixa voltagem industrial durável de baixo VGS Mosfet, pequeno RSP

  • Industrial Durable Low Vgs Mosfet , Small RSP Low Voltage Switching Transistor
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
Tempo de entrega 2-30 dias (depende da quantidade total)
Termos de pagamento 100% T/T adiantado (EXW)
Habilidade da fonte 5KK/mês

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Detalhes do produto
Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. Consumo de energia Perda de baixa potência
Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre processo de estrutura Trincheira/SGT
Aplicação do processo de SGT Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre Resistência Baixo RDS (SOBRE)
eficiência Alta eficiência e confiável Vantagens do processo de vala RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas.
Destacar

Mosfet industrial de baixo Vgs

,

Mosfet de baixo Vgs durável

,

Transistor de comutação de baixa tensão RSP pequeno
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

MOSFET de processo de trincheira de baixa perda de energia com alta capacidade EAS e menor RSP

Descrição do produto:

Os MOSFETs de baixa tensão são projetados para oferecer maior eficiência e confiabilidade para uma variedade de aplicações.O MOSFET Trench Low Voltage é um transistor de efeito de campo de baixa tensão (FET) com baixa tensão de limiar e alta eficiência, o que o torna uma solução ideal para várias aplicações de gestão de energia.Comutador de alta frequênciaCom sua alta capacidade de EAS e aplicação de processo SGT, este MOSFET de baixa tensão é adequado para motorista, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência,Este MOSFET de Baixa Tensão fornece eficiência melhorada, desempenho confiável e baixa perda de energia para uma variedade de aplicações.

 

Parâmetros técnicos:

Imóveis Descrição
Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Processo de estrutura Tranche/SGT
Voltagem de limiar baixo MOSFET
Vantagens do processo SGT Optimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações
Capacidade de EAS Alta capacidade de EAS
Aplicação do processo SGT Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Síncrona
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade
MOSFET de potência de baixa tensão Baixa perda de potência
Aplicação do processo de trincheira Carregamento sem fio, carregamento rápido, condutor de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona
Vantagens do processo de trincheira RSPs menores, com configurações em série e paralelas podem ser combinadas e utilizadas livremente
Condutor de MOSFET de baixa tensão Baixa Rds ((ON)
 

Aplicações:

MOSFET de baixa tensão

O REASUNOS Low Voltage MOSFET é um produto de alto desempenho de Guangdong, na China, que possui uma baixa tensão de limiar e baixa perda de energia.É caracterizado por uma baixa resistência Rds ((ON) que o torna ideal para uma ampla gama de aplicações, tais como motor driver, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.O MOSFET de Baixa Tensão REASUNOS também fornece configurações em série e paralelas que podem ser livremente combinadas e utilizadas.

O MOSFET de baixa tensão REASUNOS é uma escolha ideal para várias indústrias, incluindo automotivo, aeroespacial, industrial e eletrônicos de consumo.O seu preço é competitivo e pode ser discutido com base nas necessidades do produtoO produto é embalado em embalagens tubulares impermeáveis à poeira, à água e à antiestática, que são colocadas numa caixa de cartão em caixas de papelão.A capacidade de abastecimento é de 5KK/mês e o prazo de entrega é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade totalOs termos de pagamento são 100% T/T adiantado (EXW).

 

Apoio e Serviços:

Suporte técnico e serviço de MOSFET de baixa tensão

Fornecemos suporte técnico e serviço para produtos MOSFET de baixa tensão.Nossa equipe de suporte técnico é composta por profissionais experientes que são bem versados na tecnologia e operações de nossos produtos MOSFET de baixa tensão.

Oferecemos uma gama abrangente de serviços para ajudar os clientes a obter o máximo de seus produtos MOSFET de baixa tensão.e formação sobre produtosTambém oferecemos aconselhamento técnico e assistência para otimizar o desempenho dos produtos MOSFET de baixa tensão.

Nós nos esforçamos para fornecer a melhor experiência ao cliente com o nosso suporte técnico e serviço. Nós nos esforçamos para responder a todas as perguntas dos clientes prontamente e com grande precisão.Nossa equipe de atendimento ao cliente está disponível 24 horas por dia, 7 dias por semana para prestar assistência e responder a quaisquer perguntas que você possa ter.

Estamos dedicados a fornecer aos nossos clientes um apoio técnico e serviço excepcionais.O nosso compromisso com a satisfação do cliente reflete-se no nosso compromisso de fornecer as últimas atualizações de produtos e versões de softwareEstamos ansiosos para continuar a servi-lo com o melhor suporte técnico e serviço para produtos MOSFET de baixa tensão.

 

Embalagem e transporte:

Embalagem e transporte de MOSFET de baixa tensão
  • Os produtos são embalados de forma segura em sacos ou caixas antiestáticos.
  • As embalagens são colocadas numa caixa de papelão ou numa caixa de cartão.
  • As embalagens são seguradas com espuma para evitar a movimentação.
  • Transporte aéreo ou marítimo.
 

Perguntas frequentes:

P: Qual é a marca do MOSFET de baixa tensão?
R: A marca do MOSFET de baixa tensão é REASUNOS.
P: Onde é fabricado o produto?
R: O MOSFET de Baixa Tensão é fabricado em Guangdong, China.
P: Qual é o preço do produto?
R: O preço do produto é baseado no próprio produto. Por favor, contacte-nos para mais informações.
P: Como é que o produto é embalado?
R: O produto é embalado em embalagens tubulares impermeáveis à poeira, à água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de cartão em caixas de papelão.
Q: Quanto tempo dura a entrega?
R: O prazo de entrega é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.
Q: Que condições de pagamento aceita?
A: Aceitamos 100% T/T antecipadamente (EXW).
P: Qual é a capacidade de abastecimento?
R: Somos capazes de fornecer 5KK/mês.
Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base