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Conversor MOSFET de baixa tensão multiuso para carregamento sem fio

  • Converter Low Voltage MOSFET Multipurpose For Wireless Charging
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
Tempo de entrega 2-30 dias (depende da quantidade total)
Termos de pagamento 100% T/T adiantado (EXW)
Habilidade da fonte 5KK/mês

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Detalhes do produto
processo de estrutura Trincheira/SGT Aplicação do processo de SGT Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre
Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação.
Nome do produto MOSFET de baixa tensão Capacidade EAS Alta capacidade de EAS
Vantagens do processo de vala RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. Consumo de energia Perda de baixa potência
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Conversor MOSFET de baixa tensão

,

MOSFET de baixa tensão multiuso

,

Carregamento sem fio MOSFET de baixa tensão
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

MOSFET de baixa tensão de porta com vantagens do processo SGT para um processo de estrutura confiável

Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é um transistor de baixa tensão com baixa tensão de limiar e alta capacidade de EAS. É projetado para aplicações como carregamento sem fio, carregamento rápido, motor driver,Conversor DC/DCO RSP tem as vantagens de um RSP menor e pode ser combinado e utilizado livremente em série e em paralelo.Ele também tem a otimização FOM avançada, o que o torna adequado para mais aplicações.

O MOSFET de baixa tensão oferece ótimo desempenho com seu transistor de baixa tensão, mosfet de baixa tensão de limiar, mosfet de baixa tensão e alta capacidade de EAS.carregamento rápido, motor driver, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona e muito mais.Além disso,, tem também as vantagens de RSP menor e ambas as configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas.

O MOSFET de baixa tensão é uma excelente escolha para aqueles que precisam de alta capacidade de EAS e mosfet de baixa tensão de limiar.Possui as vantagens de RSP menor e ambas as configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadasAlém disso, também possui otimização FOM inovadora, o que o torna adequado para mais aplicações. É a escolha ideal para carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC / DC,Comutador de alta frequência e retificação síncrona.

 

Parâmetros técnicos:

Parâmetro Descrição
Capacidade de EAS Alta capacidade de EAS
Aplicação do processo de trincheira Carregamento sem fio, carregamento rápido, condutor de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona
Processo de estrutura Tranche/SGT
Vantagens do processo de trincheira RSPs menores, com configurações em série e paralelas podem ser combinadas e utilizadas livremente
Resistência Baixa Rds ((ON)
Processo SGT Vantagens Optimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações
Processo SGT Application Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Síncrona
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade
Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Consumo de energia Baixa perda de potência
 

Aplicações:

REASUNOS MOSFET de baixa tensão - Carregamento sem fio, carregamento rápido, condutor do motor, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona

A REASUNOS orgulha-se de oferecer seu transistor MOSFET de baixa tensão, que usa um processo Trench / SGT para fornecer desempenho superior em uma ampla gama de aplicações.Este FET de baixa tensão é projetado para fornecer baixa resistência Rds ((ON) e pode ser usado para carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.que permite que RSPs menores e configurações em série e paralelas sejam combinadas e utilizadas livremente.

O REASUNOS FET de baixa tensão está disponível a preços competitivos. Oferecemos embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.O nosso prazo de entrega é de 2 a 30 dias., dependendo da quantidade total, e aceitamos 100% T/T em adiantamento (EXW) pagamentos.

 

Apoio e Serviços:

Suporte técnico e serviço de MOSFET de baixa tensão

Oferecemos suporte técnico completo e serviço para nossos produtos MOSFET de baixa tensão.Nossa equipe de engenheiros experientes estão disponíveis para fornecer soluções para quaisquer problemas técnicos que você possa ter com nossos produtosOferecemos também serviços de formação e educação abrangentes para ajudá-lo a compreender como utilizar os nossos produtos da forma mais eficiente e eficaz.

Se tiver quaisquer dúvidas ou preocupações, não hesite em contactar-nos. A nossa equipa de serviço ao cliente está sempre disponível para prestar assistência e responder a quaisquer perguntas que possa ter.

 

Embalagem e transporte:

Os MOSFETs de baixa tensão são geralmente embalados e enviados da seguinte forma:

  • Cada dispositivo é embalado individualmente num saco plástico fechado a vácuo.
  • Os sacos são então colocados num saco de blindagem estática homologado pela ESD.
  • O saco de blindagem estática é então colocado num contentor de transporte.
  • O contêiner de transporte é então selado e enviado para o cliente.
 

Perguntas frequentes:

P: O que é um MOSFET de baixa tensão?

R: O MOSFET de baixa tensão é um tipo de transistor de efeito de campo de óxido metálico-semicondutor (MOSFET) projetado para uso em aplicações de baixa tensão.

P: Qual é a marca?

R: O nome comercial do MOSFET de baixa tensão é REASUNOS.

P: Onde é o local de origem?

R: O local de origem do MOSFET de baixa tensão é Guangdong, China.

P: Qual é a descrição da embalagem?

R: Os detalhes da embalagem do MOSFET de baixa tensão é uma embalagem tubular à prova de poeira, à prova de água e antiestática, colocada dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.

P: Qual é o prazo de entrega?

R: O prazo de entrega do MOSFET de baixa tensão é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.

Q: Quais são os termos de pagamento?

R: Os termos de pagamento do MOSFET de baixa tensão são 100% T/T antecipadamente (EXW).

P: Qual é a capacidade de abastecimento?

R: A capacidade de abastecimento do MOSFET de baixa tensão é de 5KK/mês.

Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base