Multiscene 20V Mosfet Baixa Tensão, Estação Base 5G Transistor de Baixa Potência

Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
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Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
Tempo de entrega 2-30 dias (depende da quantidade total)
Termos de pagamento 100% T/T adiantado (EXW)
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Detalhes do produto
Resistência Baixo RDS (SOBRE) processo de estrutura Trincheira/SGT
Nome do produto MOSFET de baixa tensão Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre
Consumo de energia Perda de baixa potência Vantagens do processo de vala RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas.
Capacidade EAS Alta capacidade de EAS Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação.
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Multiscene Mosfet Baixa Tensão

,

20V Mosfet Baixa Tensão

,

Transistor de baixa potência da estação base

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

Estação Base 5G MOSFET de Baixa Tensão com Processo SGT Baixa Perda de Potência

Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é um tipo de dispositivo semicondutor de potência com baixa perda de potência e alta capacidade EAS.É geralmente usado em aplicações de baixa tensão e as vantagens do processo de trincheira permitem que ele tenha RSP menor e combinado livremente e utilizado tanto em série e configurações paralelasAs vantagens do processo SGT proporcionam ainda uma otimização FOM inovadora e cobrem mais aplicações.O MOSFET de baixa tensão é uma escolha ideal para um controle de energia eficiente e confiável.

 

Parâmetros técnicos:

Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Processo de estrutura Tranche/SGT
Capacidade de EAS Alta capacidade de EAS
Processo SGT Vantagens Otimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações.
Processo SGT Application Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Sincrónica.
Aplicação do processo de trincheira Carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona.
Consumo de energia Baixa perda de potência
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade
Vantagens do processo de trincheira RSPs menores, com configurações em série e paralelas, podem ser combinadas e utilizadas livremente.
resistência Baixa Rds ((ON)
 

Aplicações:

O MOSFET de baixa tensão, um tipo de transistor de baixa tensão, é um dispositivo semicondutor confiável e de alta eficiência com baixa tensão de porta, baixa resistência e configurações em série e paralelas.É amplamente utilizado em várias aplicações, como carregamento sem fio, carregamento rápido, controlador de motor, conversor DC/DC, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.está disponível a um preço acordado, com embalagem tubular à prova de poeira, à prova de água e antistática e pode ser entregue em 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.As condições de pagamento são 100% T/T adiantado (EXW) e tem uma capacidade de abastecimento de 5KK/mês.
 

Apoio e Serviços:

Suporte técnico e serviço de MOSFET de baixa tensão

Nós fornecemos suporte técnico e serviço abrangente para os nossos produtos MOSFET de Baixa Tensão.Desde a concepção e prototipagem até à produção e pós-produçãoTemos uma ampla gama de recursos, incluindo tutoriais, documentação on-line, webinars e muito mais. Também fornecemos suporte no local para nossos clientes, se necessário.

Nossa equipe de suporte técnico e serviço está disponível 24 horas por dia, 7 dias por semana, para responder a qualquer pergunta que você possa ter.Estamos empenhados em fornecer aos nossos clientes produtos e serviços da mais alta qualidade.

Se tiver alguma dúvida ou precisar de assistência, por favor contacte-nos a qualquer momento.

 

Embalagem e transporte:

O produto MOSFET de baixa tensão deve ser embalado num saco de descarga eletrostática (ESD) e enviado numa caixa antiestática para proteger contra a eletricidade estática.

 

Perguntas frequentes:

Perguntas e respostas sobre MOSFET de baixa tensão
  • P:Qual é o nome comercial deste MOSFET de Baixa Tensão?
    A:O nome comercial deste MOSFET de Baixa Tensão é REASUNOS.
  • P:Qual é a origem do produto?
    A:A origem do produto é Guangdong, CN.
  • P:Qual é o preço deste MOSFET de baixa tensão?
    A:O preço deste MOSFET de baixa tensão será confirmado com base no produto.
  • P:Como é que este MOSFET de Baixa Tensão será embalado?
    A:Este MOSFET de Baixa Tensão será embalado com embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antiestáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.
  • P:Quanto tempo demora este MOSFET de baixa tensão a ser entregue?
    A:O prazo de entrega deste MOSFET de Baixa Tensão depende da quantidade total e normalmente leva 2-30 dias.
  • P:Que condições de pagamento oferecem?
    A:Oferecemos 100% T/T adiantado (EXW) como condições de pagamento.
  • P:Qual é a capacidade de abastecimento deste MOSFET de baixa tensão?
    A:Temos uma capacidade de abastecimento de 5K/mês para este MOSFET de Baixa Tensão.