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Motor Driver baixa tensão Fet estável para interruptor de alta frequência

  • Motor Driver Low Voltage Fet Stable For High Frequency Switch
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
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Detalhes do produto
eficiência Alta eficiência e confiável Capacidade EAS Alta capacidade de EAS
Resistência Baixo RDS (SOBRE) Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre
Consumo de energia Perda de baixa potência Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Vantagens do processo de vala RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. Aplicação do processo de SGT Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre
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Motorista de baixa tensão Fet

,

Baixa tensão Fet estável

,

Mudança de baixa potência
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

MOSFET de baixa Rds ((ON) de alta capacidade EAS para aplicação de comutadores de alta frequência

Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é um produto revolucionário que fornece um desempenho excepcional em várias aplicações, como carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC,Comutador de alta frequênciaTem excelente baixa tensão de porta e baixa Rds ((ON), permitindo baixa perda de energia e alta capacidade EAS.Também adota a otimização FOM inovadora e abrange mais aplicações com a ajuda do processo de trincheira e processo SGT.

 

Parâmetros técnicos:

Nome do produto Parâmetros
MOSFET de baixa tensão Vantagens do processo SGT: Otimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações.
MOSFET de baixa tensão Eficiência: Alta eficiência e confiabilidade
MOSFET de baixa tensão Aplicação do processo de trincheira: carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona
MOSFET de baixa tensão Vantagens do processo de trincheira: RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser combinadas e utilizadas livremente.
MOSFET de baixa tensão Resistência: baixa Rds ((ON))
MOSFET de baixa tensão Processo de construção: trincheira/SGT
MOSFET de baixa tensão Capacidade EAS: Alta capacidade EAS
MOSFET de baixa tensão Consumo de energia: Baixa perda de energia
MOSFET de baixa tensão Aplicação do processo SGT: motorista, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, retificação síncrona
 

Aplicações:

MOSFET de baixa tensão

O REASUNOS Low Voltage MOSFET é um dispositivo único e poderoso de Guangdong, China. É adequado para várias aplicações devido à sua baixa tensão de gate, baixa perda de energia e alta capacidade de EAS.Tem também um processo de estrutura Trench/SGT, o que o torna adequado para carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC / DC, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.O preço do produto é determinado com base no produtoÉ embalado em embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, e colocado dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão. O tempo de entrega é entre 2-30 dias, dependendo da quantidade total.Os termos de pagamento são 100% T/T adiantadoA capacidade de abastecimento é de até 5K/mês.

 

Apoio e Serviços:

Suporte técnico e serviço de MOSFET de baixa tensão

Fornecemos uma gama abrangente de suporte técnico e serviço para produtos MOSFET de baixa tensão.A nossa equipa de engenheiros experientes está disponível para responder a quaisquer perguntas e prestar assistência com a selecção de produtos, conceção e resolução de problemas.

Apoio técnico

A nossa equipa de engenheiros está disponível para responder a quaisquer perguntas técnicas que possam ter sobre os produtos MOSFET de Baixa Tensão.Auxílio à aplicação, e suporte de solução de problemas.

Assistência na selecção de produtos

Podemos ajudá-lo a escolher o MOSFET de baixa tensão certo para sua aplicação.

Orientação de projeto

Os nossos engenheiros podem fornecer aconselhamento sobre o projeto de circuitos, seleção de componentes e layout.

Suporte para solução de problemas

Se estiver a ter problemas com o seu MOSFET de Baixa Tensão, os nossos engenheiros estão disponíveis para fornecer suporte de solução de problemas.

 

Embalagem e transporte:

Embalagem e transporte de MOSFET de baixa tensão:

Os MOSFETs de baixa tensão devem ser embalados num saco antiestático para evitar danos causados por descargas eletrostáticas.O saco deve então ser colocado numa caixa de papelão resistente com almofada protetora para evitar choques e impactos durante o transporteA caixa deve ser claramente rotulada com o nome do produto, o endereço do destinatário e o endereço de envio.

 

Perguntas frequentes:

  • P: O que é o REASUNOS MOSFET de Baixa Tensão?
  • R: REASUNOS MOSFET de baixa tensão é um componente de transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico (MOSFET) que opera em baixas tensões.
  • P: Onde é fabricado o REASUNOS Low Voltage MOSFET?
  • R: O MOSFET de baixa tensão REASUNOS é fabricado em Guangdong, na China.
  • P: Qual é o preço do MOSFET de baixa tensão REASUNOS?
  • R: O preço do MOSFET de baixa tensão REASUNOS é baseado no produto.
  • P: Como é que o REASUNOS MOSFET de Baixa Tensão é embalado?
  • R: O REASUNOS Low Voltage MOSFET é embalado em embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.
  • P: Quanto tempo dura o prazo de entrega do REASUNOS MOSFET de baixa tensão?
  • R: O prazo de entrega do REASUNOS Low Voltage MOSFET é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.
Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base