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Semiconduttore ad alta potenza di silicio di tipo N stabile per l'energia elettrica
| dissipazione di calore: | Grande dissipazione di calore |
|---|---|
| Perdita: | Perdita bassa |
| Potenza: | Alto potere |
Semiconduttore di potenza durevole, 1700V Silicon Carbide Sic Power Semiconductors
| Capacità di giunzione: | Capacità di giunzione bassa |
|---|---|
| dissipazione di calore: | Grande dissipazione di calore |
| RDS (sopra): | RDS basso (SOPRA) |
SIC di alta potenza semiconduttore polifunzionale per elettronica
| efficienza: | Alta efficienza |
|---|---|
| Vantaggi: | Processo stabile e qualità affidabile |
| Frequenza: | Ad alta frequenza |
Semiconduttore ad alta tensione multi-scene stabile per elettronica
| Voltaggio: | Alta tensione |
|---|---|
| efficienza: | Alta efficienza |
| Vantaggi: | Processo stabile e qualità affidabile |
Semiconduttore ad alta potenza multifunzionale integrato canale N
| Potenza: | Alto potere |
|---|---|
| Frequenza: | Ad alta frequenza |
| Capacità di giunzione: | Capacità di giunzione bassa |
Semiconduttore a carburo di silicio a basso Rds, semiconduttore pratico di tipo N
| Voltaggio: | Alta tensione |
|---|---|
| dissipazione di calore: | Grande dissipazione di calore |
| Potenza: | Alto potere |
Potenza elettrica Potenza elevata Semiconduttore durevole Multiuso
| RDS (sopra): | RDS basso (SOPRA) |
|---|---|
| Tipo: | N |
| Potenza: | Alto potere |
N canale semiconduttori a base di silicio multiscene ad alta tensione
| Tipo: | N |
|---|---|
| Vantaggi: | Processo stabile e qualità affidabile |
| dissipazione di calore: | Grande dissipazione di calore |
Stabile SIC Semiconduttore ad alta potenza di tipo N
| efficienza: | Alta efficienza |
|---|---|
| Vantaggi: | Processo stabile e qualità affidabile |
| dissipazione di calore: | Grande dissipazione di calore |
1200V 1500V SIC Power Semiconductor, Semiconduttore a silicio multifunzione
| Voltaggio: | Alta tensione |
|---|---|
| RDS (sopra): | RDS basso (SOPRA) |
| Vantaggi: | Processo stabile e qualità affidabile |

