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Multiscene 20V Mosfet Basso Voltaggio, 5G Base Station Basso Potere Transistor

  • Multiscene 20V Mosfet Low Voltage , 5G Base Station Low Power Transistor
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Resistenza RDS basso (SOPRA) Processo di struttura Trincea/SGT
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz
Consumo di energia Perdita di potere basso Vantaggi del processo di trincea RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili
Funzionalità EAS Elevata capacità EAS Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione.
Evidenziare

Multiscene Mosfet a bassa tensione

,

20V Mosfet bassa tensione

,

Transistor a bassa potenza della stazione base
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

MOSFET a bassa tensione della stazione base 5G con processo SGT a bassa perdita di potenza

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è un tipo di dispositivo semiconduttore di potenza con basse perdite di potenza e elevata capacità EAS.Di solito viene utilizzato in applicazioni a bassa tensione e i vantaggi del processo di trincea gli consentono di avere RSP più piccoli e liberamente combinati e utilizzati sia in serie che in configurazioni paralleleI vantaggi del processo SGT forniscono ulteriormente una ottimizzazione FOM rivoluzionaria e coprono più applicazioni.Il MOSFET a bassa tensione è la scelta ideale per un controllo di potenza efficiente e affidabile.

 

Parametri tecnici:

Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Processo di struttura Fossa/SGT
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
Processo SGT Vantaggi Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.
Processo SGT Applicazione Motor Driver, Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, Interruttore ad alta frequenza, Rettifica sincrona.
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona.
Consumo di energia Basse perdite di potenza
Efficienza Alta efficienza e affidabilità
Processo di trincea Vantaggi RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate.
resistenza Basso Rds ((ON)
 

Applicazioni:

Il MOSFET a bassa tensione, un tipo di transistor a bassa tensione, è un dispositivo semiconduttore affidabile e ad alta efficienza con bassa tensione di ingresso, bassa resistenza e configurazioni sia in serie che in parallelo.È ampiamente utilizzato in varie applicazioni come la ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, stazione base 5G, stoccaggio di energia, interruttore ad alta frequenza e rettificazione sincrona.è disponibile ad un prezzo concordato, con imballaggio tubulare antirughe, impermeabile e antistatico e può essere consegnato entro 2-30 giorni, a seconda della quantità totale.Le condizioni di pagamento sono il 100% T/T in anticipo (EXW) e ha una capacità di fornitura di 5KK/mese..
 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizio di MOSFET a bassa tensione

Forniamo supporto tecnico completo e servizio per i nostri prodotti MOSFET a bassa tensione.dalla progettazione e dalla prototipazione alla produzione e alla post-produzioneAbbiamo una vasta gamma di risorse, tra cui tutorial, documentazione online, webinar e altro ancora. Forniamo anche supporto in loco per i nostri clienti se necessario.

Il nostro team di supporto tecnico e di assistenza è disponibile 24 ore su 24, 7 giorni su 7 per rispondere a tutte le domande che potresti avere.Ci impegniamo a fornire ai nostri clienti prodotti e servizi di altissima qualità.

Se avete domande o avete bisogno di assistenza, contattateci in qualsiasi momento.

 

Imballaggio e trasporto:

Il prodotto MOSFET a bassa tensione deve essere confezionato in un sacchetto a scarica elettrostatica (ESD) e spedito in una scatola antistatica per proteggere dall'elettricità statica.

 

FAQ:

Domande e risposte sul MOSFET a bassa tensione
  • D:Qual è il nome di marca di questo MOSFET a bassa tensione?
    A:Il marchio di questo MOSFET a bassa tensione è REASUNOS.
  • D:Qual è l'origine del prodotto?
    A:L'origine del prodotto è Guangdong, CN.
  • D:Qual è il prezzo di questo MOSFET a bassa tensione?
    A:Il prezzo di questo MOSFET a bassa tensione sarà confermato in base al prodotto.
  • D:Come verrà confezionato questo MOSFET a bassa tensione?
    A:Questo MOSFET a bassa tensione verrà confezionato con un imballaggio tubulare antistatico, impermeabile e antispina, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.
  • D:Quanto tempo ci vuole per consegnare questo MOSFET a bassa tensione?
    A:Il tempo di consegna di questo MOSFET a bassa tensione dipende dalla quantità totale e di solito dura da 2 a 30 giorni.
  • D:Quali condizioni di pagamento offre?
    A:Offriamo 100% T/T in anticipo (EXW) come termini di pagamento.
  • D:Qual è la capacità di alimentazione di questo MOSFET a bassa tensione?
    A:Abbiamo una capacità di approvvigionamento di 5K / mese per questo MOSFET a bassa tensione.
Etichette:

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MOSFET a bassa tensione della stazione base