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LED Driver Super Junction MOSFET Anti Surge Anti EMI Piccola resistenza interna
Tipo di dispositivo: | Dispositivi discreti di potere |
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Capacità: | Capacità di giunzione ultrabassa |
Nome del prodotto: | Giunzione eccellente MOSFET/SJ MOSTET |
Durabile industriale Super Junction Mos, Multifunzione Mosfet Discreto
Nome del prodotto: | Giunzione eccellente MOSFET/SJ MOSTET |
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Applicazione: | Driver del LED, circuito di PFC, alimentazione elettrica di commutazione, UPS dell'impianto di alime |
Vantaggi: | È fatto tramite il processo a più strati di epitassia. Rispetto al processo della fossa, ha anti EMI |
PFC Circuit Super Junction MOSFET Practical Multiscene tipo N
Nome del prodotto: | Giunzione eccellente MOSFET/SJ MOSTET |
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Applicazione: | Driver del LED, circuito di PFC, alimentazione elettrica di commutazione, UPS dell'impianto di alime |
Tipo di dispositivo: | Dispositivi discreti di potere |
Anti Surge MOSFET Super Junction N Channel Durable Multipurpose
Resistenza interna: | Resistenza interna ultra piccola |
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Margine di EMI: | Grande EMI Margin |
Nome del prodotto: | Giunzione eccellente MOSFET/SJ MOSTET |
MOSFET multifunzionale a super giunzione di canale N per l'alimentazione UPS
Tipo: | N |
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Resistenza interna: | Resistenza interna ultra piccola |
Nome del prodotto: | Giunzione eccellente MOSFET/SJ MOSTET |
Transistor a super giunzione stabile industriale, Mosfet discreto di dissipazione del calore
Margine di EMI: | Grande EMI Margin |
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Applicazione: | Driver del LED, circuito di PFC, alimentazione elettrica di commutazione, UPS dell'impianto di alime |
Tipo: | N |
Fornitura di alimentazione Super Junction MOSFET Surface Mount Multi Function
Applicazione: | Driver del LED, circuito di PFC, alimentazione elettrica di commutazione, UPS dell'impianto di alime |
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Vantaggi: | È fatto tramite il processo a più strati di epitassia. Rispetto al processo della fossa, ha anti EMI |
Nome del prodotto: | Giunzione eccellente MOSFET/SJ MOSTET |
Stabile Super Junction Fet Multilayer per le nuove apparecchiature di energia elettrica
Tipo: | N |
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Vantaggi: | È fatto tramite il processo a più strati di epitassia. Rispetto al processo della fossa, ha anti EMI |
Resistenza interna: | Resistenza interna ultra piccola |
MOSFET a super giunzione multiuso tipo N 600V per driver a LED
Vantaggi: | È fatto tramite il processo a più strati di epitassia. Rispetto al processo della fossa, ha anti EMI |
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pacchetto: | Pacchetto ultra piccolo |
Applicazione: | Driver del LED, circuito di PFC, alimentazione elettrica di commutazione, UPS dell'impianto di alime |
Anti EMI Superjunction Power Mosfet, pratico N Channel Power Mosfet
Capacità: | Capacità di giunzione ultrabassa |
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pacchetto: | Pacchetto ultra piccolo |
Tipo di dispositivo: | Dispositivi discreti di potere |