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Converter MOSFET a bassa tensione multiuso per la ricarica wireless

  • Converter Low Voltage MOSFET Multipurpose For Wireless Charging
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Processo di struttura Trincea/SGT Applicazione trattata di SGT Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione.
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione Funzionalità EAS Elevata capacità EAS
Vantaggi del processo di trincea RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili Consumo di energia Perdita di potere basso
Evidenziare

MOSFET a bassa tensione convertitore

,

MOSFET a bassa tensione multiuso

,

MOSFET per ricarica wireless a bassa tensione
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

MOSFET a bassa tensione con processo SGT vantaggi per un processo di struttura affidabile

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è un transistor a bassa tensione con bassa tensione di soglia e elevata capacità EAS. È progettato per applicazioni come la ricarica wireless, la ricarica rapida, il driver del motore,Convertitore DC/DCIl sistema è dotato di un sistema di ricambio a alta frequenza e di una rettificazione sincrona, con i vantaggi di una RSP più piccola e di una combinazione e utilizzazione libera sia in serie che in parallelo.ha anche ottimizzazione FOM di svolta, il che lo rende adatto ad un'applicazione più ampia.

Il MOSFET a bassa tensione offre ottime prestazioni con il suo transistor a bassa tensione, mosfet a bassa tensione soglia, mosfet a bassa tensione e elevata capacità EAS.carica rapidaCon la sua ottimizzazione FOM rivoluzionaria, può fornire prestazioni migliori e coprire più applicazioni.Inoltre, ha anche i vantaggi di un RSP più piccolo e le configurazioni sia in serie che in parallelo possono essere liberamente combinate e utilizzate.

Il MOSFET a bassa tensione è una scelta eccellente per coloro che hanno bisogno di una elevata capacità EAS e di un mosfet a bassa tensione di soglia.Ha i vantaggi di RSP più piccoli e sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzateInoltre, ha anche ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che lo rende adatto per più applicazioni.di alte frequenze e rettifica sincrona.

 

Parametri tecnici:

Parametro Descrizione
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona
Processo di struttura Fossa/SGT
Processo di trincea Vantaggi RSP più piccole, sia serie che configurazioni parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate
Resistenza Basso Rds ((ON)
Processo SGT Vantaggi Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni
Processo SGT Applicazione Motor driver, stazione base 5G, accumulo di energia, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona
Efficienza Alta efficienza e affidabilità
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Consumo di energia Basse perdite di potenza
 

Applicazioni:

MOSFET a bassa tensione REASUNOS - Ricarica wireless, ricarica rapida, driver del motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona

REASUNOS è orgogliosa di offrire il suo transistor MOSFET a bassa tensione, che utilizza un processo Trench / SGT per fornire prestazioni superiori in una vasta gamma di applicazioni.Questo FET a bassa tensione è progettato per fornire una bassa resistenza Rds ((ON) e può essere utilizzato per la ricarica wireless, ricarica rapida, motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza e rettifica sincrona.che consente di combinare e utilizzare liberamente RSP più piccoli e configurazioni sia in serie che in parallelo.

Il FET a bassa tensione REASUNOS è disponibile a prezzi competitivi. Offriamo imballaggi a prova di polvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di cartone in cartone.Il nostro tempo di consegna è di 2-30 giorniAbbiamo una capacità di fornitura mensile di 5KK/mese.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizio di MOSFET a bassa tensione

Offriamo supporto tecnico completo e servizio per i nostri prodotti MOSFET a bassa tensione.Il nostro team di ingegneri esperti è disponibile per fornire soluzioni a qualsiasi problema tecnico che si possa avere con i nostri prodottiOffriamo inoltre servizi di formazione e di formazione completi per aiutarvi a capire come utilizzare i nostri prodotti nel modo più efficiente ed efficace.

Se avete domande o preoccupazioni, non esitate a contattarci. Il nostro team di assistenza clienti è sempre disponibile per fornire assistenza e rispondere a qualsiasi domanda.

 

Imballaggio e trasporto:

I MOSFET a bassa tensione sono generalmente confezionati e spediti nel modo seguente:

  • Ogni dispositivo è confezionato individualmente in un sacchetto di plastica sigillato sotto vuoto.
  • I sacchetti vengono quindi inseriti in un sacchetto di protezione statica omologato dall'ESD.
  • Il sacchetto di schermatura statica viene quindi collocato in un contenitore di trasporto.
  • Il contenitore di spedizione viene quindi sigillato e spedito al cliente.
 

FAQ:

D: Cos'è il MOSFET a bassa tensione?

R: Il MOSFET a bassa tensione è un tipo di transistor a effetto campo (MOSFET) a ossido metallico-semiconduttore progettato per l'uso in applicazioni a bassa tensione.

D: Qual è il marchio?

R: Il marchio del MOSFET a bassa tensione è REASUNOS.

D: Dove si trova il luogo di origine?

R: Il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione è Guangdong, Cina.

D: Quali sono i dettagli dell'imballaggio?

R: I dettagli di imballaggio del MOSFET a bassa tensione è un imballaggio tubolare a prova di polvere, impermeabile e antistatico, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.

D: Qual è il tempo di consegna?

R: Il tempo di consegna del MOSFET a bassa tensione è di 2-30 giorni, a seconda della quantità totale.

D: Quali sono le condizioni di pagamento?

R: I termini di pagamento del MOSFET a bassa tensione sono il 100% T/T in anticipo (EXW).

D: Qual è la capacità di approvvigionamento?

R: La capacità di approvvigionamento del MOSFET a bassa tensione è di 5KK/mese.

Etichette:

N canale Mosfet bassa tensione di soglia

Mosfet di canale P stabile a bassa potenza

MOSFET a bassa tensione della stazione base