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Multiscene MOSFET ad ultra bassa tensione stabile per la ricarica rapida

  • Stable Ultra Low Voltage MOSFET Multiscene For Fast Charging
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz
Consumo di energia Perdita di potere basso Applicazione trattata di SGT Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r
efficienza Alta efficienza e affidabilità Vantaggi del processo di trincea RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili
Resistenza RDS basso (SOPRA) Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Evidenziare

MOSFET a bassa tensione stabile

,

Multiscene MOSFET a bassa tensione

,

Carica rapida Mosfet a bassa tensione
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

Transistor a processo di trincea a basso Rds ((ON) per applicazioni a motore

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è un transistor a effetto campo a bassa tensione.rettifica sincrona, ricarica wireless, ricarica rapida e convertitore DC/DC, ecc. Il processo SGT fornisce un piccolo RSP, sia le configurazioni in serie che quelle parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate, e una bassa perdita di potenza.Il processo di trincea ha un'elevata efficienza e prestazioni affidabiliÈ ampiamente utilizzato nel conduttore del motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza e rettifica sincrona.

 

Parametri tecnici:

Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Processo di struttura Fossa/SGT
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
Consumo di energia Basse perdite di potenza
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona.
Resistenza Basso Rds ((ON)
Applicazione del processo SGT Motor Driver, Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, Interruttore ad alta frequenza, Rettifica sincrona.
Efficienza Alta efficienza e affidabilità
Vantaggi del processo SGT Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.
Vantaggi del processo di trincea RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate.
 

Applicazioni:

REASUNOS Low Voltage MOSFET è progettato con processo SGT avanzato e processo di trincea, che garantisce un'elevata efficienza e affidabilità, nonché una bassa perdita di potenza.Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona, ricarica wireless, ricarica rapida e convertitore CC/DC, ecc. Questo prodotto è prodotto a Guangdong,Cina con eccellente qualità e prezzo competitivoViene fornito con imballaggio tubolare antirughe, impermeabile e antistatico, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.e il tempo di consegna è di 2-30 giorni (dipende dalla quantità totale). Termini di pagamento sono 100% T / T in anticipo ((EXW).

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizio di MOSFET a bassa tensione

A xx, ci dedichiamo a fornire la massima qualità di servizio e supporto per i nostri prodotti MOSFET a bassa tensione.Il nostro team di esperti è qui per fornirti l'assistenza necessaria per ottenere il massimo dal tuo prodotto..

Offriamo una varietà di servizi di supporto tecnico, tra cui:

  • Assistenza all'installazione e all'installazione del prodotto
  • Documentazione del prodotto online e FAQ
  • Risoluzione e riparazione dei problemi del prodotto
  • Supporto tecnico via e-mail, telefono o chat online

Offriamo anche una selezione di piani di servizio, con opzioni per un servizio di emergenza fino a 24 ore.I nostri tecnici esperti sono qui per aiutare.

Per ulteriori informazioni sul nostro supporto tecnico e servizi MOSFET a bassa tensione, contattateci oggi.

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione

I MOSFET a bassa tensione devono essere confezionati in contenitori protetti da ESD e spediti con cura.I MOSFET a bassa tensione dovrebbero anche essere correttamente etichettati per una facile identificazione in caso di ritornoL'imballaggio deve inoltre contenere la documentazione necessaria, quali le specifiche del prodotto e le istruzioni di installazione.

 

FAQ:

Q1: Qual è il marchio dei prodotti MOSFET a bassa tensione?A1:Il marchio dei prodotti MOSFET a bassa tensione è REASUNOS.
Q2:Dove sono originari i prodotti MOSFET a bassa tensione?A2:Il luogo di origine dei prodotti MOSFET a bassa tensione è il Guangdong (CN).
Q3:Quanto costa il MOSFET a bassa tensione?A3:Il prezzo del MOSFET a bassa tensione è confermato in base al prodotto specifico.
D4:Che tipo di imballaggio utilizza il MOSFET a bassa tensione?A4:Il MOSFET a bassa tensione utilizza un imballaggio tubulare a prova di polvere, impermeabile e antistatico, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.
Q5:Qual è il tempo di consegna per il MOSFET a bassa tensione?A5:Il tempo di consegna per il MOSFET a bassa tensione è di 2-30 giorni, a seconda della quantità totale.
Etichette:

N canale Mosfet bassa tensione di soglia

Mosfet di canale P stabile a bassa potenza

MOSFET a bassa tensione della stazione base